Durchschnittliche Verlustleistung über einen bestimmten Zeitraum Taschenrechner

✖Die Gesamtzeit ist die Gesamtzeit, die der Körper benötigt, um diesen Raum zurückzulegen.ⓘ Gesamtzeitaufwand [t_total]			+10% -10%
✖Spannung stellt den elektrischen Druck dar, der elektrischen Strom durch einen Leiter drückt.ⓘ Stromspannung [V_t]			+10% -10%
✖Strom gibt die Geschwindigkeit an, mit der elektrische Ladung durch einen Leiter fließt.ⓘ Aktuell [i_t]			+10% -10%
✖Gesamtzeitaufwand ist die Gesamtzeit, die der Körper benötigt, um diesen Raum zurückzulegen.ⓘ Gesamtzeitaufwand [t_total]			+10% -10%

✖Unter „Durchschnittsleistung“ versteht man die Geschwindigkeit, mit der über einen bestimmten Zeitraum durchschnittlich Energie übertragen oder Arbeit verrichtet wird.ⓘ Durchschnittliche Verlustleistung über einen bestimmten Zeitraum [P_avg]

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Formel

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Durchschnittliche Verlustleistung über einen bestimmten Zeitraum

Formel

`"P"_{"avg"} = (1/"t"_{"total"})*int("V"_{"t"}*"i"_{"t"},x,0,"t"_{"total"})`

Beispiel

`"18.8215W"=(1/"80s")*int("4.565V"*"4.123A",x,0,"80s")`

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Durchschnittliche Verlustleistung über einen bestimmten Zeitraum Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Durchschnittliche Kraft = (1/Gesamtzeitaufwand)*int(Stromspannung*Aktuell,x,0,Gesamtzeitaufwand)
P_avg = (1/t_total)*int(V_t*i_t,x,0,t_total)
Diese formel verwendet 1 Funktionen, 5 Variablen

Verwendete Funktionen

int - Das bestimmte Integral kann zur Berechnung der vorzeichenbehafteten Nettofläche verwendet werden, d. h. der Fläche über der x-Achse minus der Fläche unter der x-Achse., int(expr, arg, from, to)

Verwendete Variablen

Durchschnittliche Kraft - (Gemessen in Watt) - Unter „Durchschnittsleistung“ versteht man die Geschwindigkeit, mit der über einen bestimmten Zeitraum durchschnittlich Energie übertragen oder Arbeit verrichtet wird.
Gesamtzeitaufwand - (Gemessen in Zweite) - Die Gesamtzeit ist die Gesamtzeit, die der Körper benötigt, um diesen Raum zurückzulegen.
Stromspannung - (Gemessen in Volt) - Spannung stellt den elektrischen Druck dar, der elektrischen Strom durch einen Leiter drückt.
Aktuell - (Gemessen in Ampere) - Strom gibt die Geschwindigkeit an, mit der elektrische Ladung durch einen Leiter fließt.
Gesamtzeitaufwand - (Gemessen in Zweite) - Gesamtzeitaufwand ist die Gesamtzeit, die der Körper benötigt, um diesen Raum zurückzulegen.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Gesamtzeitaufwand: 80 Zweite --> 80 Zweite Keine Konvertierung erforderlich
Stromspannung: 4.565 Volt --> 4.565 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Aktuell: 4.123 Ampere --> 4.123 Ampere Keine Konvertierung erforderlich
Gesamtzeitaufwand: 80 Zweite --> 80 Zweite Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

P_avg = (1/t_total)*int(V_t*i_t,x,0,t_total) --> (1/80)*int(4.565*4.123,x,0,80)

Auswerten ... ...

P_avg = 18.821495

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

18.821495 Watt --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

18.821495 ≈ 18.8215 Watt <-- Durchschnittliche Kraft

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Vignesh Naidu

Vellore Institut für Technologie (VIT), Vellore, Tamil Nadu

Vignesh Naidu hat diesen Rechner und 25+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Dipanjona Mallick

Heritage Institute of Technology (HITK), Kalkutta

Dipanjona Mallick hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner verifiziert!

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Äquivalenzfaktor der Seitenwandspannung

Gehen Äquivalenzfaktor der Seitenwandspannung = -(2*sqrt(Eingebautes Potenzial von Seitenwandverbindungen)/(Endspannung-Anfangsspannung)*(sqrt(Eingebautes Potenzial von Seitenwandverbindungen-Endspannung)-sqrt(Eingebautes Potenzial von Seitenwandverbindungen-Anfangsspannung)))

Ziehen Sie den Strom im linearen Bereich herunter

Gehen Pulldown-Strom im linearen Bereich = sum(x,0,Anzahl paralleler Treibertransistoren,(Elektronenmobilität*Oxidkapazität/2)*(Kanalbreite/Kanallänge)*(2*(Gate-Source-Spannung-Grenzspannung)*Ausgangsspannung-Ausgangsspannung^2))

Knotenspannung bei gegebener Instanz

Gehen Knotenspannung bei gegebener Instanz = (Transkonduktanzfaktor/Knotenkapazität)*int(exp(-(1/(Knotenwiderstand*Knotenkapazität))*(Zeitraum-x))*In den Knoten fließender Strom*x,x,0,Zeitraum)

Ziehen Sie den Strom in den Sättigungsbereich

Gehen Sättigungsbereich Pulldown-Strom = sum(x,0,Anzahl paralleler Treibertransistoren,(Elektronenmobilität*Oxidkapazität/2)*(Kanalbreite/Kanallänge)*(Gate-Source-Spannung-Grenzspannung)^2)

Sättigungszeit

Gehen Sättigungszeit = -2*Ladekapazität/(Transkonduktanz-Prozessparameter*(Hohe Ausgangsspannung-Grenzspannung)^2)*int(1,x,Hohe Ausgangsspannung,Hohe Ausgangsspannung-Grenzspannung)

Zeitverzögerung, wenn NMOS im linearen Bereich arbeitet

Gehen Linearer Bereich in der Zeitverzögerung = -2*Sperrschichtkapazität*int(1/(Transkonduktanz-Prozessparameter*(2*(Eingangsspannung-Grenzspannung)*x-x^2)),x,Anfangsspannung,Endspannung)

Drainstrom fließt durch den MOS-Transistor

Gehen Stromverbrauch = (Kanalbreite/Kanallänge)*Elektronenmobilität*Oxidkapazität*int((Gate-Source-Spannung-x-Grenzspannung),x,0,Drain-Quellenspannung)

Ladungsdichte im Verarmungsbereich

Gehen Dichte der Sperrschichtladung = (sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Dopingkonzentration des Akzeptors*modulus(Oberflächenpotential-Bulk-Fermi-Potenzial)))

Tiefe der mit dem Abfluss verbundenen Erschöpfungsregion

Gehen Region der Erschöpfungstiefe von Drain = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*(Eingebautes Verbindungspotential+Drain-Quellenspannung))/([Charge-e]*Dopingkonzentration des Akzeptors))

Drainstrom im Sättigungsbereich im MOS-Transistor

Gehen Drainstrom im Sättigungsbereich = Kanalbreite*Sättigungselektronendriftgeschwindigkeit*int(Aufladen*Kurzkanalparameter,x,0,Effektive Kanallänge)

Maximale Erschöpfungstiefe

Gehen Maximale Erschöpfungstiefe = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*modulus(2*Bulk-Fermi-Potenzial))/([Charge-e]*Dopingkonzentration des Akzeptors))

Fermipotential für P-Typ

Gehen Fermipotential für P-Typ = ([BoltZ]*Absolute Temperatur)/[Charge-e]*ln(Intrinsische Trägerkonzentration/Dopingkonzentration des Akzeptors)

Fermipotential für N-Typ

Gehen Fermipotential für N-Typ = ([BoltZ]*Absolute Temperatur)/[Charge-e]*ln(Donator-Dotierstoffkonzentration/Intrinsische Trägerkonzentration)

Eingebautes Potenzial in der Erschöpfungsregion

Gehen Eingebaute Spannung = -(sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Dopingkonzentration des Akzeptors*modulus(-2*Bulk-Fermi-Potenzial)))

Mit der Quelle verbundene Tiefe der Erschöpfungsregion

Gehen Region der Erschöpfungstiefe der Quelle = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*Eingebautes Verbindungspotential)/([Charge-e]*Dopingkonzentration des Akzeptors))

Äquivalente Großsignalkapazität

Gehen Äquivalente Großsignalkapazität = (1/(Endspannung-Anfangsspannung))*int(Sperrschichtkapazität*x,x,Anfangsspannung,Endspannung)

Substrat-Vorspannungskoeffizient

Gehen Substrat-Vorspannungskoeffizient = sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Dopingkonzentration des Akzeptors)/Oxidkapazität

Durchschnittliche Verlustleistung über einen bestimmten Zeitraum

Gehen Durchschnittliche Kraft = (1/Gesamtzeitaufwand)*int(Stromspannung*Aktuell,x,0,Gesamtzeitaufwand)

Äquivalente Großsignal-Verbindungskapazität

Gehen Äquivalente Großsignal-Verbindungskapazität = Umfang der Seitenwand*Seitenwandübergangskapazität*Äquivalenzfaktor der Seitenwandspannung

Arbeitsfunktion im MOSFET

Gehen Arbeitsfuntkion = Vakuumniveau+(Energieniveau des Leitungsbandes-Fermi-Level)

Seitenwandübergangskapazität ohne Vorspannung pro Längeneinheit

Gehen Seitenwandübergangskapazität = Null-Bias-Seitenwandübergangspotential*Tiefe der Seitenwand

Durchschnittliche Verlustleistung über einen bestimmten Zeitraum Formel

Durchschnittliche Kraft = (1/Gesamtzeitaufwand)*int(Stromspannung*Aktuell,x,0,Gesamtzeitaufwand)
P_avg = (1/t_total)*int(V_t*i_t,x,0,t_total)

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