Calculatrice A à Z
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Amplificateurs
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Communication par satellite
Communication sans fil
Communications analogiques
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Dispositifs à semi-conducteurs
EDC
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Microélectronique RF
Signal et systèmes
Système de contrôle
Système embarqué
Système radar
Systèmes de commutation de télécommunications
Théorie de l'information et codage
Théorie des champs électromagnétiques
Théorie des micro-ondes
Traitement d'image numérique
Transmission par fibre optique
⤿
MOSFET
BJT
⤿
Transistors MOS
Actuel
Amélioration du canal N
Amélioration du canal P
Analyse des petits signaux
Biais
Caractéristiques du MOSFET
Effets capacitifs internes et modèle haute fréquence
Facteur/Gain d'amplification
Rapport de réjection en mode commun (CMRR)
Résistance
Tension
Transconductance
✖
Le temps total pris est le temps total mis par le corps pour parcourir cet espace.
ⓘ
Temps total pris [t
total
]
Attoseconde
Milliards d'années
centiseconde
Siècle
Cycle de 60 Hz AC
Cycle de CA
journée
Décennie
Décaseconde
déciseconde
Exaseconde
Femtoseconde
Gigaseconde
Hectoseconde
Heure
Kiloseconde
Mégaseconde
Microseconde
Millénaire
Million d'années
milliseconde
Minute
Mois
Nanoseconde
Pétaseconde
Picoseconde
Deuxième
Svedberg
Téraseconde
Mille ans
Semaine
An
Yoctoseconde
Yottasecond
Zeptoseconde
Zettaseconde
+10%
-10%
✖
La tension représente la pression électrique qui pousse le courant électrique à travers un conducteur.
ⓘ
Tension [V
t
]
Abvolt
Attovolt
centivolt
Décivolt
Dékavolt
EMU Du potentiel électrique
ESU du potentiel électrique
Femtovolt
gigavolt
Hectovolt
Kilovolt
Mégavolt
Microvolt
millivolt
Nanovolt
Pétavolt
Picovolt
Tension de Planck
Statvolt
Téravolt
Volt
Watt / Ampere
Yoctovolt
Zeptovolt
+10%
-10%
✖
Le courant signifie le débit de charge électrique à travers un conducteur.
ⓘ
Actuel [i
t
]
abampère
Ampère
Attoampère
Biot
centiampère
CGS EM
Unité CGS ES
Déciampère
Dékaampère
UEM de courant
ESU de courant
Exaampère
Femtoampère
Gigaampère
Gilbert
Hectoampère
Kiloampère
Mégaampère
Microampère
Milliampère
Nanoampère
Petaampère
Picoampère
Statampere
Téraampère
Yoctoampere
Yottaampere
Zeptoampère
Zettaampere
+10%
-10%
✖
Le temps total pris est le temps total pris par le corps pour couvrir cet espace.
ⓘ
Temps total pris [t
total
]
Attoseconde
Milliards d'années
centiseconde
Siècle
Cycle de 60 Hz AC
Cycle de CA
journée
Décennie
Décaseconde
déciseconde
Exaseconde
Femtoseconde
Gigaseconde
Hectoseconde
Heure
Kiloseconde
Mégaseconde
Microseconde
Millénaire
Million d'années
milliseconde
Minute
Mois
Nanoseconde
Pétaseconde
Picoseconde
Deuxième
Svedberg
Téraseconde
Mille ans
Semaine
An
Yoctoseconde
Yottasecond
Zeptoseconde
Zettaseconde
+10%
-10%
✖
La puissance moyenne fait référence à la vitesse à laquelle l'énergie est transférée ou le travail est effectué, en moyenne, sur une certaine période de temps.
ⓘ
Puissance moyenne dissipée sur une période de temps [P
avg
]
Attojoule / Seconde
Attowatt
Puissance au frein (ch)
Btu (IT) / heure
Btu (IT) / minute
Btu (IT) / seconde
Btu (th) / heure
Btu (e) / minute
Btu (e) / seconde
Calorie (IT) / Heure
Calorie (IT) / Minute
Calorie (IT) / Seconde
Calorie (e) / Heure
Calorie (e) / Minute
Calorie (e) / Seconde
Centijoule / Seconde
centiwatt
CHU par heure
Decajoule / seconde
Décawatt
Decijoule / Seconde
Déciwatt
Erg par heure
Erg / Second
Exajoule / Second
Exawatt
Femtojoule / Seconde
femtowatt
Pied-livre-force par heure
Pied livre-force par minute
Pied livre-force par seconde
Gigajoule / Seconde
Gigawatt
Hectojoule / Seconde
Hectowatt
cheval-vapeur
Cheval-vapeur(550 pi* lbf / s)
Cheval-vapeur(chaudière)
Cheval-vapeur (électrique)
Cheval-vapeur (métrique)
Cheval-vapeur (eau)
Joule / Heure
Joule par minute
Joule par seconde
Kilocalorie (IT) / Heure
Kilocalorie (IT) / Minute
Kilocalorie (IT) / Seconde
Kilocalorie (e) / Heure
Kilocalorie (e) / Minute
Kilocalorie (e) / Seconde
Kilojoule / Heure
Kilojoule par minute
Kilojoule par seconde
Kilovolt Ampère
Kilowatt
MBH
MBtu (IT) par heure
Mégajoule par seconde
Mégawatt
Microjoule / Seconde
Microwatt
Millijoule / Seconde
Milliwatt
MMBH
MMBtu (IT) par heure
Nanojoule / Seconde
Nanowatt
Newton mètre / seconde
Pétajoules / Seconde
petawatt
Pferdestärke
Picojoule / Seconde
picoWatt
Planck Puissance
Livre-pied par heure
Livre-pied par minute
Livre-pied par seconde
Térajoule / Seconde
Térawatt
Ton (réfrigération)
Volt Ampère
Volt Ampère Réactif
Watt
Yoctowatt
Yottawatt
Zeptowatt
Zettawatt
⎘ Copie
Pas
👎
Formule
✖
Puissance moyenne dissipée sur une période de temps
Formule
`"P"_{"avg"} = (1/"t"_{"total"})*int("V"_{"t"}*"i"_{"t"},x,0,"t"_{"total"})`
Exemple
`"18.8215W"=(1/"80s")*int("4.565V"*"4.123A",x,0,"80s")`
Calculatrice
LaTeX
Réinitialiser
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Télécharger MOSFET Formule PDF
Puissance moyenne dissipée sur une période de temps Solution
ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Puissance moyenne
= (1/
Temps total pris
)*
int
(
Tension
*
Actuel
,x,0,
Temps total pris
)
P
avg
= (1/
t
total
)*
int
(
V
t
*
i
t
,x,0,
t
total
)
Cette formule utilise
1
Les fonctions
,
5
Variables
Fonctions utilisées
int
- L'intégrale définie peut être utilisée pour calculer la zone nette signée, qui est la zone au-dessus de l'axe des x moins la zone en dessous de l'axe des x., int(expr, arg, from, to)
Variables utilisées
Puissance moyenne
-
(Mesuré en Watt)
- La puissance moyenne fait référence à la vitesse à laquelle l'énergie est transférée ou le travail est effectué, en moyenne, sur une certaine période de temps.
Temps total pris
-
(Mesuré en Deuxième)
- Le temps total pris est le temps total mis par le corps pour parcourir cet espace.
Tension
-
(Mesuré en Volt)
- La tension représente la pression électrique qui pousse le courant électrique à travers un conducteur.
Actuel
-
(Mesuré en Ampère)
- Le courant signifie le débit de charge électrique à travers un conducteur.
Temps total pris
-
(Mesuré en Deuxième)
- Le temps total pris est le temps total pris par le corps pour couvrir cet espace.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Temps total pris:
80 Deuxième --> 80 Deuxième Aucune conversion requise
Tension:
4.565 Volt --> 4.565 Volt Aucune conversion requise
Actuel:
4.123 Ampère --> 4.123 Ampère Aucune conversion requise
Temps total pris:
80 Deuxième --> 80 Deuxième Aucune conversion requise
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
P
avg
= (1/t
total
)*int(V
t
*i
t
,x,0,t
total
) -->
(1/80)*
int
(4.565*4.123,x,0,80)
Évaluer ... ...
P
avg
= 18.821495
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
18.821495 Watt --> Aucune conversion requise
RÉPONSE FINALE
18.821495
≈
18.8215 Watt
<--
Puissance moyenne
(Calcul effectué en 00.004 secondes)
Tu es là
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Transistors MOS
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Puissance moyenne dissipée sur une période de temps
Crédits
Créé par
Vignesh Naidu
Institut de technologie de Vellore
(VIT)
,
Vellore,Tamil Nadu
Vignesh Naidu a créé cette calculatrice et 25+ autres calculatrices!
Vérifié par
Dipanjona Mallick
Institut du patrimoine de technologie
(HITK)
,
Calcutta
Dipanjona Mallick a validé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!
<
21 Transistors MOS Calculatrices
Facteur d’équivalence de tension des parois latérales
Aller
Facteur d’équivalence de tension des parois latérales
= -(2*
sqrt
(
Potentiel intégré des jonctions des parois latérales
)/(
Tension finale
-
Tension initiale
)*(
sqrt
(
Potentiel intégré des jonctions des parois latérales
-
Tension finale
)-
sqrt
(
Potentiel intégré des jonctions des parois latérales
-
Tension initiale
)))
Réduisez le courant dans la région linéaire
Aller
Courant de réduction de la région linéaire
=
sum
(x,0,
Nombre de transistors à pilote parallèle
,(
Mobilité électronique
*
Capacité d'oxyde
/2)*(
Largeur de canal
/
Longueur du canal
)*(2*(
Tension de source de porte
-
Tension de seuil
)*
Tension de sortie
-
Tension de sortie
^2))
Tension du nœud à une instance donnée
Aller
Tension du nœud à une instance donnée
= (
Facteur de transconductance
/
Capacité du nœud
)*
int
(
exp
(-(1/(
Résistance des nœuds
*
Capacité du nœud
))*(
Période de temps
-x))*
Courant circulant dans le nœud
*x,x,0,
Période de temps
)
Réduisez le courant dans la région de saturation
Aller
Courant de réduction de la région de saturation
=
sum
(x,0,
Nombre de transistors à pilote parallèle
,(
Mobilité électronique
*
Capacité d'oxyde
/2)*(
Largeur de canal
/
Longueur du canal
)*(
Tension de source de porte
-
Tension de seuil
)^2)
Temps de saturation
Aller
Temps de saturation
= -2*
Capacité de charge
/(
Paramètre de processus de transconductance
*(
Tension de sortie élevée
-
Tension de seuil
)^2)*
int
(1,x,
Tension de sortie élevée
,
Tension de sortie élevée
-
Tension de seuil
)
Courant de drain circulant à travers le transistor MOS
Aller
Courant de vidange
= (
Largeur de canal
/
Longueur du canal
)*
Mobilité électronique
*
Capacité d'oxyde
*
int
((
Tension de source de porte
-x-
Tension de seuil
),x,0,
Tension de source de drain
)
Délai lorsque le NMOS fonctionne dans une région linéaire
Aller
Région linéaire en temporisation
= -2*
Capacité de jonction
*
int
(1/(
Paramètre de processus de transconductance
*(2*(
Tension d'entrée
-
Tension de seuil
)*x-x^2)),x,
Tension initiale
,
Tension finale
)
Densité de charge dans la région d'épuisement
Aller
Densité de charge de couche d'épuisement
= (
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
Concentration dopante de l'accepteur
*
modulus
(
Potentiel des surfaces
-
Potentiel Fermi en vrac
)))
Profondeur de la région d'épuisement associée au drain
Aller
Profondeur de la région d'épuisement du drain
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*(
Potentiel de jonction intégré
+
Tension de source de drain
))/(
[Charge-e]
*
Concentration dopante de l'accepteur
))
Courant de drain dans la région de saturation du transistor MOS
Aller
Courant de drainage de la région de saturation
=
Largeur de canal
*
Vitesse de dérive des électrons de saturation
*
int
(
Charge
*
Paramètre de canal court
,x,0,
Longueur effective du canal
)
Potentiel de Fermi pour le type P
Aller
Potentiel de Fermi pour le type P
= (
[BoltZ]
*
Température absolue
)/
[Charge-e]
*
ln
(
Concentration intrinsèque de porteurs
/
Concentration dopante de l'accepteur
)
Potentiel de Fermi pour le type N
Aller
Potentiel de Fermi pour le type N
= (
[BoltZ]
*
Température absolue
)/
[Charge-e]
*
ln
(
Concentration de dopant du donneur
/
Concentration intrinsèque de porteurs
)
Profondeur d'épuisement maximale
Aller
Profondeur d'épuisement maximale
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*
modulus
(2*
Potentiel Fermi en vrac
))/(
[Charge-e]
*
Concentration dopante de l'accepteur
))
Potentiel intégré dans la région d’épuisement
Aller
Tension intégrée
= -(
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
Concentration dopante de l'accepteur
*
modulus
(-2*
Potentiel Fermi en vrac
)))
Grande capacité de signal équivalente
Aller
Grande capacité de signal équivalente
= (1/(
Tension finale
-
Tension initiale
))*
int
(
Capacité de jonction
*x,x,
Tension initiale
,
Tension finale
)
Profondeur de la région d'épuisement associée à la source
Aller
Profondeur de la région d'épuisement de la source
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*
Potentiel de jonction intégré
)/(
[Charge-e]
*
Concentration dopante de l'accepteur
))
Coefficient de biais du substrat
Aller
Coefficient de biais du substrat
=
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
Concentration dopante de l'accepteur
)/
Capacité d'oxyde
Capacité équivalente à grande jonction de signal
Aller
Capacité équivalente à grande jonction de signal
=
Périmètre du flanc
*
Capacité de jonction des parois latérales
*
Facteur d’équivalence de tension des parois latérales
Puissance moyenne dissipée sur une période de temps
Aller
Puissance moyenne
= (1/
Temps total pris
)*
int
(
Tension
*
Actuel
,x,0,
Temps total pris
)
Fonction de travail dans MOSFET
Aller
Fonction de travail
=
Niveau de vide
+(
Niveau d'énergie de la bande de conduction
-
Niveau de Fermi
)
Capacité de jonction de paroi latérale à polarisation nulle par unité de longueur
Aller
Capacité de jonction des parois latérales
=
Potentiel de jonction des parois latérales sans polarisation
*
Profondeur du flanc
Puissance moyenne dissipée sur une période de temps Formule
Puissance moyenne
= (1/
Temps total pris
)*
int
(
Tension
*
Actuel
,x,0,
Temps total pris
)
P
avg
= (1/
t
total
)*
int
(
V
t
*
i
t
,x,0,
t
total
)
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