MCD de tres números

Calculadora Factor de transporte base dado el ancho de la base

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✖El ancho físico se refiere al ancho de la región del canal entre los terminales de fuente y drenaje. Este ancho de canal determina la capacidad de transporte de corriente del MOSFET.ⓘ Ancho físico [W_p]			+10% -10%
✖La longitud de difusión de electrones es un concepto utilizado en la física de semiconductores para describir la distancia promedio que recorre un electrón antes de sufrir dispersión o recombinación.ⓘ Longitud de difusión de electrones [L_e]			+10% -10%

✖El factor de transporte de base nos dice qué fracción de la corriente de electrones que se inyecta en la base llega realmente a la unión del colector.ⓘ Factor de transporte base dado el ancho de la base [α_T]

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Factor de transporte base dado el ancho de la base Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Factor de transporte básico = 1-(1/2*(Ancho físico/Longitud de difusión de electrones)^2)
α_T = 1-(1/2*(W_p/L_e)^2)
Esta fórmula usa 3 Variables

Variables utilizadas

Factor de transporte básico - El factor de transporte de base nos dice qué fracción de la corriente de electrones que se inyecta en la base llega realmente a la unión del colector.
Ancho físico - (Medido en Metro) - El ancho físico se refiere al ancho de la región del canal entre los terminales de fuente y drenaje. Este ancho de canal determina la capacidad de transporte de corriente del MOSFET.
Longitud de difusión de electrones - (Medido en Metro) - La longitud de difusión de electrones es un concepto utilizado en la física de semiconductores para describir la distancia promedio que recorre un electrón antes de sufrir dispersión o recombinación.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Ancho físico: 1.532 Metro --> 1.532 Metro No se requiere conversión
Longitud de difusión de electrones: 1.2 Metro --> 1.2 Metro No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

α_T = 1-(1/2*(W_p/L_e)^2) --> 1-(1/2*(1.532/1.2)^2)

Evaluar ... ...

α_T = 0.185061111111111

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

0.185061111111111 --> No se requiere conversión

RESPUESTA FINAL

0.185061111111111 ≈ 0.185061 <-- Factor de transporte básico

(Cálculo completado en 00.011 segundos)

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Créditos

Creado por Banu Prakash

Facultad de Ingeniería Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

¡Banu Prakash ha creado esta calculadora y 50+ más calculadoras!

Verificada por Santhosh Yadav

Facultad de Ingeniería Dayananda Sagar (DSCE), banglore

¡Santhosh Yadav ha verificado esta calculadora y 50+ más calculadoras!

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Conductividad de tipo N

LaTeX Vamos Conductividad óhmica = Cargar*(Movilidad del silicio con dopaje electrónico*Concentración de equilibrio de tipo N+Movilidad de silicio con dopaje de orificios*(Concentración intrínseca^2/Concentración de equilibrio de tipo N))

Conductividad óhmica de la impureza

LaTeX Vamos Conductividad óhmica = Cargar*(Movilidad del silicio con dopaje electrónico*Concentración de electrones+Movilidad de silicio con dopaje de orificios*Concentración de agujeros)

Impureza con concentración intrínseca

LaTeX Vamos Concentración intrínseca = sqrt((Concentración de electrones*Concentración de agujeros)/Impureza de temperatura)

Voltaje de ruptura del emisor colector

LaTeX Vamos Voltaje de ruptura del emisor del colector = Voltaje de ruptura de la base del colector/(Ganancia actual de BJT)^(1/Número raíz)