Fator de transporte base dada a largura base Calculadora

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Fabricação de CI bipolar

Fabricação de IC MOS

Gatilho Schmitt

✖Largura Física refere-se à largura da região do canal entre os terminais de fonte e dreno. Esta largura de canal determina a capacidade de transporte de corrente do MOSFET.ⓘ Largura Física [W_p]			+10% -10%
✖Comprimento de difusão de elétrons é um conceito usado na física de semicondutores para descrever a distância média que um elétron percorre antes de sofrer espalhamento ou recombinação.ⓘ Comprimento de difusão eletrônica [L_e]			+10% -10%

✖O fator de transporte de base nos diz qual fração da corrente de elétrons injetada na base realmente chega à junção do coletor.ⓘ Fator de transporte base dada a largura base [α_T]

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Fórmula

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Fator de transporte base dada a largura base

Fórmula

`"α"_{"T"} = 1-(1/2*("W"_{"p"}/"L"_{"e"})^2)`

Exemplo

`"0.185061"=1-(1/2*("1.532m"/"1.2m")^2)`

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Fator de transporte base dada a largura base Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Fator de Transporte Básico = 1-(1/2*(Largura Física/Comprimento de difusão eletrônica)^2)
α_T = 1-(1/2*(W_p/L_e)^2)
Esta fórmula usa 3 Variáveis

Variáveis Usadas

Fator de Transporte Básico - O fator de transporte de base nos diz qual fração da corrente de elétrons injetada na base realmente chega à junção do coletor.
Largura Física - (Medido em Metro) - Largura Física refere-se à largura da região do canal entre os terminais de fonte e dreno. Esta largura de canal determina a capacidade de transporte de corrente do MOSFET.
Comprimento de difusão eletrônica - (Medido em Metro) - Comprimento de difusão de elétrons é um conceito usado na física de semicondutores para descrever a distância média que um elétron percorre antes de sofrer espalhamento ou recombinação.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Largura Física: 1.532 Metro --> 1.532 Metro Nenhuma conversão necessária
Comprimento de difusão eletrônica: 1.2 Metro --> 1.2 Metro Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

α_T = 1-(1/2*(W_p/L_e)^2) --> 1-(1/2*(1.532/1.2)^2)

Avaliando ... ...

α_T = 0.185061111111111

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

0.185061111111111 --> Nenhuma conversão necessária

RESPOSTA FINAL

0.185061111111111 ≈ 0.185061 <-- Fator de Transporte Básico

(Cálculo concluído em 00.021 segundos)

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Créditos

Criado por banuprakash

Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

banuprakash criou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!

Verificado por Santosh Yadav

Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar (DSCE), Banglore

Santosh Yadav verificou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!

< 19 Fabricação de CI bipolar Calculadoras

Resistência do Paralelepípedo Retangular

Vai Resistência = ((Resistividade*Espessura da Camada)/(Largura da camada difusa*Comprimento da camada difusa))*(ln(Largura do retângulo inferior/Comprimento do retângulo inferior)/(Largura do retângulo inferior-Comprimento do retângulo inferior))

Átomos de Impureza por Unidade de Área

Vai Impureza total = Difusão Eficaz*(Área de junção da base do emissor*((Cobrar*Concentração Intrínseca^2)/Corrente do coletor)*exp(Emissor de base de tensão/Tensão Térmica))

Condutividade do Tipo N

Vai Condutividade Ohmica = Cobrar*(Mobilidade de Silício com Dopagem Eletrônica*Concentração de equilíbrio do tipo N+Dopagem de furos Mobilidade de silício*(Concentração Intrínseca^2/Concentração de equilíbrio do tipo N))

Condutividade do tipo P

Vai Condutividade Ohmica = Cobrar*(Mobilidade de Silício com Dopagem Eletrônica*(Concentração Intrínseca^2/Concentração de equilíbrio do tipo P)+Dopagem de furos Mobilidade de silício*Concentração de equilíbrio do tipo P)

Condutividade ôhmica da impureza

Vai Condutividade Ohmica = Cobrar*(Mobilidade de Silício com Dopagem Eletrônica*Concentração de Elétrons+Dopagem de furos Mobilidade de silício*Concentração de Buraco)

Capacitância da fonte da porta dada a capacitância de sobreposição

Vai Capacitância da Fonte da Porta = (2/3*Largura do transistor*Comprimento do transistor*Capacitância de Óxido)+(Largura do transistor*Capacitância de sobreposição)

Corrente de Coletor do Transistor PNP

Vai Corrente do coletor = (Cobrar*Área de junção da base do emissor*Concentração de equilíbrio do tipo N*Constante de difusão para PNP)/Largura básica

Corrente de saturação no transistor

Vai Corrente de saturação = (Cobrar*Área de junção da base do emissor*Difusão Eficaz*Concentração Intrínseca^2)/Impureza total

Consumo de energia de carga capacitiva dada a tensão de alimentação

Vai Consumo de energia de carga capacitiva = Capacitância de Carga*Tensão de alimentação^2*Frequência do sinal de saída*Número total de comutação de saídas

Resistência da Folha da Camada

Vai Resistência da folha = 1/(Cobrar*Mobilidade de Silício com Dopagem Eletrônica*Concentração de equilíbrio do tipo N*Espessura da Camada)

Resistência da Camada Difusa

Vai Resistência = (1/Condutividade Ohmica)*(Comprimento da camada difusa/(Largura da camada difusa*Espessura da Camada))

Buraco de densidade atual

Vai Densidade atual do furo = Cobrar*Constante de difusão para PNP*(Concentração de Equilíbrio do Buraco/Largura básica)

Impureza com Concentração Intrínseca

Vai Concentração Intrínseca = sqrt((Concentração de Elétrons*Concentração de Buraco)/Impureza de temperatura)

Eficiência de injeção de emissor

Vai Eficiência de injeção de emissor = Corrente do Emissor/(Corrente do emissor devido aos elétrons+Corrente do Emissor devido a Buracos)

Tensão de ruptura do emissor coletor

Vai Tensão de ruptura do emissor do coletor = Tensão de ruptura da base do coletor/(Ganho atual do BJT)^(1/Número raiz)

Corrente fluindo no diodo Zener

Vai Corrente de Diodo = (Tensão de referência de entrada-Tensão de saída estável)/Resistência Zener

Eficiência de injeção de emissor dadas constantes de dopagem

Vai Eficiência de injeção de emissor = Doping no lado N/(Doping no lado N+Doping no lado P)

Fator de conversão de tensão em frequência em CIs

Vai Fator de conversão de tensão em frequência em CIs = Frequência do sinal de saída/Tensão de entrada

Fator de transporte base dada a largura base

Vai Fator de Transporte Básico = 1-(1/2*(Largura Física/Comprimento de difusão eletrônica)^2)

Fator de transporte base dada a largura base Fórmula

Fator de Transporte Básico = 1-(1/2*(Largura Física/Comprimento de difusão eletrônica)^2)
α_T = 1-(1/2*(W_p/L_e)^2)

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