Basistransportfaktor bei gegebener Basisbreite Taschenrechner

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✖Die physikalische Breite bezieht sich auf die Breite des Kanalbereichs zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen. Diese Kanalbreite bestimmt die Strombelastbarkeit des MOSFET.ⓘ Physische Breite [W_p]			+10% -10%
✖Die Elektronendiffusionslänge ist ein Konzept aus der Halbleiterphysik, das die durchschnittliche Distanz beschreibt, die ein Elektron zurücklegt, bevor es gestreut oder rekombiniert wird.ⓘ Elektronendiffusionslänge [L_e]			+10% -10%

✖Der Basistransportfaktor gibt an, welcher Anteil des in die Basis eingespeisten Elektronenstroms tatsächlich den Kollektorübergang erreicht.ⓘ Basistransportfaktor bei gegebener Basisbreite [α_T]

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Formel

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Basistransportfaktor bei gegebener Basisbreite

Formel

`"α"_{"T"} = 1-(1/2*("W"_{"p"}/"L"_{"e"})^2)`

Beispiel

`"0.185061"=1-(1/2*("1.532m"/"1.2m")^2)`

Taschenrechner

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Basistransportfaktor bei gegebener Basisbreite Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Basis-Transportfaktor = 1-(1/2*(Physische Breite/Elektronendiffusionslänge)^2)
α_T = 1-(1/2*(W_p/L_e)^2)
Diese formel verwendet 3 Variablen

Verwendete Variablen

Basis-Transportfaktor - Der Basistransportfaktor gibt an, welcher Anteil des in die Basis eingespeisten Elektronenstroms tatsächlich den Kollektorübergang erreicht.
Physische Breite - (Gemessen in Meter) - Die physikalische Breite bezieht sich auf die Breite des Kanalbereichs zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen. Diese Kanalbreite bestimmt die Strombelastbarkeit des MOSFET.
Elektronendiffusionslänge - (Gemessen in Meter) - Die Elektronendiffusionslänge ist ein Konzept aus der Halbleiterphysik, das die durchschnittliche Distanz beschreibt, die ein Elektron zurücklegt, bevor es gestreut oder rekombiniert wird.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Physische Breite: 1.532 Meter --> 1.532 Meter Keine Konvertierung erforderlich
Elektronendiffusionslänge: 1.2 Meter --> 1.2 Meter Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

α_T = 1-(1/2*(W_p/L_e)^2) --> 1-(1/2*(1.532/1.2)^2)

Auswerten ... ...

α_T = 0.185061111111111

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.185061111111111 --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

0.185061111111111 ≈ 0.185061 <-- Basis-Transportfaktor

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Banuprakash

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Bangalore

Banuprakash hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Santhosh Yadav

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner verifiziert!

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Widerstand eines rechteckigen Parallelepipeds

Gehen Widerstand = ((Widerstand*Dicke der Schicht)/(Breite der diffusen Schicht*Länge der diffusen Schicht))*(ln(Breite des unteren Rechtecks/Länge des unteren Rechtecks)/(Breite des unteren Rechtecks-Länge des unteren Rechtecks))

Verunreinigungsatome pro Flächeneinheit

Gehen Totale Unreinheit = Effektive Verbreitung*(Emitterbasis-Verbindungsbereich*((Aufladung*Intrinsische Konzentration^2)/Kollektorstrom)*exp(Spannungsbasisemitter/Thermische Spannung))

Leitfähigkeit vom N-Typ

Gehen Ohmsche Leitfähigkeit = Aufladung*(Elektronendotierte Siliziummobilität*Gleichgewichtskonzentration des N-Typs+Lochdotierung der Siliziummobilität*(Intrinsische Konzentration^2/Gleichgewichtskonzentration des N-Typs))

Leitfähigkeit vom P-Typ

Gehen Ohmsche Leitfähigkeit = Aufladung*(Elektronendotierte Siliziummobilität*(Intrinsische Konzentration^2/Gleichgewichtskonzentration des P-Typs)+Lochdotierung der Siliziummobilität*Gleichgewichtskonzentration des P-Typs)

Ohmsche Leitfähigkeit von Verunreinigungen

Gehen Ohmsche Leitfähigkeit = Aufladung*(Elektronendotierte Siliziummobilität*Elektronenkonzentration+Lochdotierung der Siliziummobilität*Lochkonzentration)

Kollektorstrom des PNP-Transistors

Gehen Kollektorstrom = (Aufladung*Emitterbasis-Verbindungsbereich*Gleichgewichtskonzentration des N-Typs*Diffusionskonstante für PNP)/Basisbreite

Sättigungsstrom im Transistor

Gehen Sättigungsstrom = (Aufladung*Emitterbasis-Verbindungsbereich*Effektive Verbreitung*Intrinsische Konzentration^2)/Totale Unreinheit

Gate-Source-Kapazität bei gegebener Überlappungskapazität

Gehen Gate-Source-Kapazität = (2/3*Breite des Transistors*Transistorlänge*Oxidkapazität)+(Breite des Transistors*Überlappungskapazität)

Stromverbrauch der kapazitiven Last bei gegebener Versorgungsspannung

Gehen Stromverbrauch kapazitiver Last = Lastkapazität*Versorgungsspannung^2*Ausgangssignalfrequenz*Gesamtzahl der schaltbaren Ausgänge

Schichtwiderstand der Schicht

Gehen Schichtwiderstand = 1/(Aufladung*Elektronendotierte Siliziummobilität*Gleichgewichtskonzentration des N-Typs*Dicke der Schicht)

Widerstand der diffundierten Schicht

Gehen Widerstand = (1/Ohmsche Leitfähigkeit)*(Länge der diffusen Schicht/(Breite der diffusen Schicht*Dicke der Schicht))

Verunreinigung mit intrinsischer Konzentration

Gehen Intrinsische Konzentration = sqrt((Elektronenkonzentration*Lochkonzentration)/Temperaturverunreinigung)

Aktuelle Dichteloch

Gehen Lochstromdichte = Aufladung*Diffusionskonstante für PNP*(Lochgleichgewichtskonzentration/Basisbreite)

Durchbruchspannung des Kollektor-Emitters

Gehen Kollektor-Emitter-Breakout-Spannung = Kollektor-Basis-Break-Spannung/(Aktueller Gewinn von BJT)^(1/Stammnummer)

Emitter-Injektionseffizienz bei gegebenen Dotierungskonstanten

Gehen Emitter-Einspritzeffizienz = Dotierung auf der N-Seite/(Dotierung auf der N-Seite+Dotierung auf der P-Seite)

Emitter-Injektionseffizienz

Gehen Emitter-Einspritzeffizienz = Emitterstrom/(Emitterstrom durch Elektronen+Emitterstrom durch Löcher)

Strom fließt in der Zenerdiode

Gehen Diodenstrom = (Eingangsreferenzspannung-Stabile Ausgangsspannung)/Zener-Widerstand

Spannungs-Frequenz-Umwandlungsfaktor in ICs

Gehen Umrechnungsfaktor von Spannung zu Frequenz in ICs = Ausgangssignalfrequenz/Eingangsspannung

Basistransportfaktor bei gegebener Basisbreite

Gehen Basis-Transportfaktor = 1-(1/2*(Physische Breite/Elektronendiffusionslänge)^2)

Basistransportfaktor bei gegebener Basisbreite Formel

Basis-Transportfaktor = 1-(1/2*(Physische Breite/Elektronendiffusionslänge)^2)
α_T = 1-(1/2*(W_p/L_e)^2)

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