Fattore di trasporto della base data la larghezza della base calcolatrice

↳

Elettronica

Civile

Elettrico

Elettronica e strumentazione

Ingegneria Chimica

Ingegneria di produzione

Meccanico

Scienza dei materiali

⤿

Fabbricazione di circuiti integrati bipolari

Fabbricazione di circuiti integrati MOS

Trigger di Schmitt

✖La larghezza fisica si riferisce alla larghezza della regione del canale tra i terminali di sorgente e di drenaggio. Questa larghezza del canale determina la capacità di trasporto di corrente del MOSFET.ⓘ Larghezza fisica [W_p]			+10% -10%
✖La lunghezza di diffusione elettronica è un concetto utilizzato nella fisica dei semiconduttori per descrivere la distanza media percorsa da un elettrone prima di subire diffusione o ricombinazione.ⓘ Lunghezza di diffusione degli elettroni [L_e]			+10% -10%

✖Il fattore di trasporto della base ci dice quale frazione della corrente elettronica che viene iniettata nella base arriva effettivamente alla giunzione del collettore.ⓘ Fattore di trasporto della base data la larghezza della base [α_T]

⎘ Copia

👎

Formula

✖

Fattore di trasporto della base data la larghezza della base

Formula

`"α"_{"T"} = 1-(1/2*("W"_{"p"}/"L"_{"e"})^2)`

Esempio

`"0.185061"=1-(1/2*("1.532m"/"1.2m")^2)`

Calcolatrice

LaTeX

Ripristina

👍

Scaricamento Elettronica Formula PDF PDF Image

Fattore di trasporto della base data la larghezza della base Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Fattore di trasporto di base = 1-(1/2*(Larghezza fisica/Lunghezza di diffusione degli elettroni)^2)
α_T = 1-(1/2*(W_p/L_e)^2)
Questa formula utilizza 3 Variabili

Variabili utilizzate

Fattore di trasporto di base - Il fattore di trasporto della base ci dice quale frazione della corrente elettronica che viene iniettata nella base arriva effettivamente alla giunzione del collettore.
Larghezza fisica - (Misurato in metro) - La larghezza fisica si riferisce alla larghezza della regione del canale tra i terminali di sorgente e di drenaggio. Questa larghezza del canale determina la capacità di trasporto di corrente del MOSFET.
Lunghezza di diffusione degli elettroni - (Misurato in metro) - La lunghezza di diffusione elettronica è un concetto utilizzato nella fisica dei semiconduttori per descrivere la distanza media percorsa da un elettrone prima di subire diffusione o ricombinazione.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Larghezza fisica: 1.532 metro --> 1.532 metro Nessuna conversione richiesta
Lunghezza di diffusione degli elettroni: 1.2 metro --> 1.2 metro Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

α_T = 1-(1/2*(W_p/L_e)^2) --> 1-(1/2*(1.532/1.2)^2)

Valutare ... ...

α_T = 0.185061111111111

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

0.185061111111111 --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

0.185061111111111 ≈ 0.185061 <-- Fattore di trasporto di base

(Calcolo completato in 00.020 secondi)

Tu sei qui -

Casa » Ingegneria » Elettronica » Circuiti integrati (IC) » Fabbricazione di circuiti integrati bipolari » Fattore di trasporto della base data la larghezza della base

Titoli di coda

Creato da banuprakash

Dayananda Sagar College di Ingegneria (DSCE), Bangalore

banuprakash ha creato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

Verificato da Santhosh Yadav

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav ha verificato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

< 19 Fabbricazione di circuiti integrati bipolari Calcolatrici

Resistenza del parallelepipedo rettangolare

Partire Resistenza = ((Resistività*Spessore dello strato)/(Larghezza dello strato diffuso*Lunghezza dello strato diffuso))*(ln(Larghezza del rettangolo inferiore/Lunghezza del rettangolo inferiore)/(Larghezza del rettangolo inferiore-Lunghezza del rettangolo inferiore))

Atomi di impurità per unità di area

Partire Impurità totale = Diffusione efficace*(Area di giunzione della base dell'emettitore*((Carica*Concentrazione intrinseca^2)/Corrente del collettore)*exp(Emettitore di base di tensione/Tensione termica))

Conduttività di tipo P

Partire Conduttività ohmica = Carica*(Mobilità del silicio con drogaggio elettronico*(Concentrazione intrinseca^2/Concentrazione di equilibrio del tipo P)+Mobilità del silicio drogato con fori*Concentrazione di equilibrio del tipo P)

Conduttività di tipo N

Partire Conduttività ohmica = Carica*(Mobilità del silicio con drogaggio elettronico*Concentrazione di equilibrio di tipo N+Mobilità del silicio drogato con fori*(Concentrazione intrinseca^2/Concentrazione di equilibrio di tipo N))

Corrente di collettore del transistor PNP

Partire Corrente del collettore = (Carica*Area di giunzione della base dell'emettitore*Concentrazione di equilibrio di tipo N*Costante di diffusione per PNP)/Larghezza della base

Conduttività ohmica delle impurità

Partire Conduttività ohmica = Carica*(Mobilità del silicio con drogaggio elettronico*Concentrazione di elettroni+Mobilità del silicio drogato con fori*Concentrazione dei fori)

Capacità della sorgente di gate data la capacità di sovrapposizione

Partire Capacità della sorgente di gate = (2/3*Larghezza del transistor*Lunghezza del transistor*Capacità dell'ossido)+(Larghezza del transistor*Capacità di sovrapposizione)

Corrente di saturazione nel transistor

Partire Corrente di saturazione = (Carica*Area di giunzione della base dell'emettitore*Diffusione efficace*Concentrazione intrinseca^2)/Impurità totale

Consumo energetico del carico capacitivo in base alla tensione di alimentazione

Partire Consumo energetico del carico capacitivo = Capacità di carico*Tensione di alimentazione^2*Frequenza del segnale di uscita*Numero totale di uscite commutate

Resistenza del foglio dello strato

Partire Resistenza del foglio = 1/(Carica*Mobilità del silicio con drogaggio elettronico*Concentrazione di equilibrio di tipo N*Spessore dello strato)

Buco di densità di corrente

Partire Densità di corrente del foro = Carica*Costante di diffusione per PNP*(Concentrazione di equilibrio dei fori/Larghezza della base)

Efficienza di iniezione dell'emettitore

Partire Efficienza dell'iniezione dell'emettitore = Corrente dell'emettitore/(Corrente di emettitore dovuta agli elettroni+Corrente dell'emettitore dovuta ai fori)

Resistenza dello strato diffuso

Partire Resistenza = (1/Conduttività ohmica)*(Lunghezza dello strato diffuso/(Larghezza dello strato diffuso*Spessore dello strato))

Tensione di breakout dell'emettitore del collettore

Partire Tensione di breakout dell'emettitore del collettore = Tensione di interruzione della base del collettore/(Guadagno attuale di BJT)^(1/Numero di radice)

Impurezza con concentrazione intrinseca

Partire Concentrazione intrinseca = sqrt((Concentrazione di elettroni*Concentrazione dei fori)/Impurità della temperatura)

Corrente che scorre nel diodo Zener

Partire Corrente del diodo = (Tensione di riferimento in ingresso-Tensione di uscita stabile)/Resistenza Zener

Efficienza di iniezione dell'emettitore date le costanti di drogaggio

Partire Efficienza dell'iniezione dell'emettitore = Doping sul lato N/(Doping sul lato N+Doping sul lato P)

Fattore di conversione da tensione a frequenza nei circuiti integrati

Partire Fattore di conversione da tensione a frequenza nei circuiti integrati = Frequenza del segnale di uscita/Tensione di ingresso

Fattore di trasporto della base data la larghezza della base

Partire Fattore di trasporto di base = 1-(1/2*(Larghezza fisica/Lunghezza di diffusione degli elettroni)^2)

Fattore di trasporto della base data la larghezza della base Formula

Fattore di trasporto di base = 1-(1/2*(Larghezza fisica/Lunghezza di diffusione degli elettroni)^2)
α_T = 1-(1/2*(W_p/L_e)^2)

Casa

GRATUITO PDF

🔍 Ricerca

Categorie

Condividere

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!