Базовый транспортный коэффициент с учетом базовой ширины Калькулятор

Инженерное дело Детская площадка Здоровье математика Больше >>

↳

Электроника Гражданская Материаловедение Механический Больше >>

⤿

Интегральные схемы (ИС)EDC Аналоговая связь Аналоговая электроника Больше >>

⤿

Изготовление биполярных ИС Изготовление МОП-ИС Триггер Шмитта

✖Физическая ширина относится к ширине области канала между клеммами истока и стока. Ширина канала определяет токопропускную способность МОП-транзистора.ⓘ Физическая ширина [W_p]			+10% -10%
✖Длина диффузии электронов — это концепция, используемая в физике полупроводников для описания среднего расстояния, которое проходит электрон, прежде чем он подвергнется рассеянию или рекомбинации.ⓘ Диффузионная длина электронов [L_e]			+10% -10%

✖Фактор переноса базы говорит нам, какая часть электронного тока, инжектируемого в базу, на самом деле достигает коллекторного перехода.ⓘ Базовый транспортный коэффициент с учетом базовой ширины [α_T]

⎘ копия

👎

Формула

LaTeX

сбросить

👍

Скачать Интегральные схемы (ИС) формула PDF PDF Image

Базовый транспортный коэффициент с учетом базовой ширины Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Базовый транспортный фактор = 1-(1/2*(Физическая ширина/Диффузионная длина электронов)^2)
α_T = 1-(1/2*(W_p/L_e)^2)
В этой формуле используются 3 Переменные

Используемые переменные

Базовый транспортный фактор - Фактор переноса базы говорит нам, какая часть электронного тока, инжектируемого в базу, на самом деле достигает коллекторного перехода.
Физическая ширина - (Измеряется в Метр) - Физическая ширина относится к ширине области канала между клеммами истока и стока. Ширина канала определяет токопропускную способность МОП-транзистора.
Диффузионная длина электронов - (Измеряется в Метр) - Длина диффузии электронов — это концепция, используемая в физике полупроводников для описания среднего расстояния, которое проходит электрон, прежде чем он подвергнется рассеянию или рекомбинации.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Физическая ширина: 1.532 Метр --> 1.532 Метр Конверсия не требуется
Диффузионная длина электронов: 1.2 Метр --> 1.2 Метр Конверсия не требуется

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

α_T = 1-(1/2*(W_p/L_e)^2) --> 1-(1/2*(1.532/1.2)^2)

Оценка ... ...

α_T = 0.185061111111111

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

0.185061111111111 --> Конверсия не требуется

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

0.185061111111111 ≈ 0.185061 <-- Базовый транспортный фактор

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » Интегральные схемы (ИС) » Изготовление биполярных ИС » Базовый транспортный коэффициент с учетом базовой ширины

Кредиты

Сделано Бану Пракаш

Инженерный колледж Даянанда Сагар (ДСКЭ), Бангалор

Бану Пракаш создал этот калькулятор и еще 50+!

Проверено Сантош Ядав

Инженерный колледж Даянанды Сагара (ДСКЭ), Банглор

Сантош Ядав проверил этот калькулятор и еще 50+!

< Изготовление биполярных ИС Калькуляторы

Проводимость N-типа

LaTeX Идти Омическая проводимость = Заряжать*(Электронно-легированная подвижность кремния*Равновесная концентрация N-типа+Подвижность кремния, легированного дырками*(Внутренняя концентрация^2/Равновесная концентрация N-типа))

Омическая проводимость примесей

LaTeX Идти Омическая проводимость = Заряжать*(Электронно-легированная подвижность кремния*Электронная концентрация+Подвижность кремния, легированного дырками*Концентрация дырок)

Примеси с собственной концентрацией

LaTeX Идти Внутренняя концентрация = sqrt((Электронная концентрация*Концентрация дырок)/Температурная примесь)

Напряжение пробоя коллектора-эмиттера

LaTeX Идти Напряжение пробоя коллектор-эмиттер = Напряжение пробоя базы коллектора/(Текущий прирост BJT)^(1/Корневой номер)

Узнать больше >>