Facteur de transport de base étant donné la largeur de base Calculatrice

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Fabrication de circuits intégrés bipolaires

Déclencheur Schmitt

Fabrication de circuits intégrés MOS

✖La largeur physique fait référence à la largeur de la région du canal entre les bornes source et drain. Cette largeur de canal détermine la capacité de transport de courant du MOSFET.ⓘ Largeur physique [W_p]			+10% -10%
✖La longueur de diffusion électronique est un concept utilisé en physique des semi-conducteurs pour décrire la distance moyenne parcourue par un électron avant de subir une diffusion ou une recombinaison.ⓘ Longueur de diffusion électronique [L_e]			+10% -10%

✖Le facteur de transport de base nous indique quelle fraction du courant électronique injecté dans la base parvient réellement à la jonction du collecteur.ⓘ Facteur de transport de base étant donné la largeur de base [α_T]

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Facteur de transport de base étant donné la largeur de base

Formule

`"α"_{"T"} = 1-(1/2*("W"_{"p"}/"L"_{"e"})^2)`

Exemple

`"0.185061"=1-(1/2*("1.532m"/"1.2m")^2)`

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Facteur de transport de base étant donné la largeur de base Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Facteur de transport de base = 1-(1/2*(Largeur physique/Longueur de diffusion électronique)^2)
α_T = 1-(1/2*(W_p/L_e)^2)
Cette formule utilise 3 Variables

Variables utilisées

Facteur de transport de base - Le facteur de transport de base nous indique quelle fraction du courant électronique injecté dans la base parvient réellement à la jonction du collecteur.
Largeur physique - (Mesuré en Mètre) - La largeur physique fait référence à la largeur de la région du canal entre les bornes source et drain. Cette largeur de canal détermine la capacité de transport de courant du MOSFET.
Longueur de diffusion électronique - (Mesuré en Mètre) - La longueur de diffusion électronique est un concept utilisé en physique des semi-conducteurs pour décrire la distance moyenne parcourue par un électron avant de subir une diffusion ou une recombinaison.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Largeur physique: 1.532 Mètre --> 1.532 Mètre Aucune conversion requise
Longueur de diffusion électronique: 1.2 Mètre --> 1.2 Mètre Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

α_T = 1-(1/2*(W_p/L_e)^2) --> 1-(1/2*(1.532/1.2)^2)

Évaluer ... ...

α_T = 0.185061111111111

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

0.185061111111111 --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

0.185061111111111 ≈ 0.185061 <-- Facteur de transport de base

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par banuprakash

Collège d'ingénierie Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

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Vérifié par Santhosh Yadav

Collège d'ingénierie Dayananda Sagar (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav a validé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!

< 19 Fabrication de circuits intégrés bipolaires Calculatrices

Résistance du parallélépipède rectangulaire

Aller Résistance = ((Résistivité*Épaisseur de couche)/(Largeur de la couche diffusée*Longueur de la couche diffusée))*(ln(Largeur du rectangle inférieur/Longueur du rectangle inférieur)/(Largeur du rectangle inférieur-Longueur du rectangle inférieur))

Atomes d'impuretés par unité de surface

Aller Impureté totale = Diffusion efficace*(Zone de jonction de la base de l'émetteur*((Charge*Concentration intrinsèque^2)/Courant du collecteur)*exp(Émetteur de base de tension/Tension thermique))

Conductivité de type P

Aller Conductivité Ohmique = Charge*(Mobilité du silicium dopé électroniquement*(Concentration intrinsèque^2/Concentration à l'équilibre de type P)+Mobilité du silicium dopé par trous*Concentration à l'équilibre de type P)

Conductivité de type N

Aller Conductivité Ohmique = Charge*(Mobilité du silicium dopé électroniquement*Concentration d'équilibre de type N+Mobilité du silicium dopé par trous*(Concentration intrinsèque^2/Concentration d'équilibre de type N))

Conductivité ohmique des impuretés

Aller Conductivité Ohmique = Charge*(Mobilité du silicium dopé électroniquement*Concentration d'électrons+Mobilité du silicium dopé par trous*Concentration des trous)

Courant collecteur du transistor PNP

Aller Courant du collecteur = (Charge*Zone de jonction de la base de l'émetteur*Concentration d'équilibre de type N*Constante de diffusion pour PNP)/Largeur de base

Capacité de la source de grille étant donné la capacité de chevauchement

Aller Capacité de la source de porte = (2/3*Largeur du transistor*Longueur du transistor*Capacité d'oxyde)+(Largeur du transistor*Capacité de chevauchement)

Courant de saturation dans le transistor

Aller Courant de saturation = (Charge*Zone de jonction de la base de l'émetteur*Diffusion efficace*Concentration intrinsèque^2)/Impureté totale

Consommation électrique de charge capacitive compte tenu de la tension d'alimentation

Aller Consommation d'énergie de charge capacitive = Capacité de charge*Tension d'alimentation^2*Fréquence du signal de sortie*Nombre total de sorties de commutation

Résistance de la feuille de couche

Aller Résistance de feuille = 1/(Charge*Mobilité du silicium dopé électroniquement*Concentration d'équilibre de type N*Épaisseur de couche)

Résistance de la couche diffusée

Aller Résistance = (1/Conductivité Ohmique)*(Longueur de la couche diffusée/(Largeur de la couche diffusée*Épaisseur de couche))

Trou de densité actuelle

Aller Densité de courant de trou = Charge*Constante de diffusion pour PNP*(Concentration d'équilibre du trou/Largeur de base)

Impureté à concentration intrinsèque

Aller Concentration intrinsèque = sqrt((Concentration d'électrons*Concentration des trous)/Impureté de température)

Tension de rupture de l'émetteur collecteur

Aller Tension de rupture du collecteur et de l'émetteur = Tension de rupture de la base du collecteur/(Gain actuel du BJT)^(1/Numéro racine)

Efficacité d'injection de l'émetteur

Aller Efficacité d'injection de l'émetteur = Courant de l'émetteur/(Courant d'émetteur dû aux électrons+Courant de l'émetteur dû aux trous)

Courant circulant dans la diode Zener

Aller Courant de diode = (Tension de référence d'entrée-Tension de sortie stable)/Résistance Zener

Facteur de conversion tension-fréquence dans les circuits intégrés

Aller Facteur de conversion tension-fréquence dans les circuits intégrés = Fréquence du signal de sortie/Tension d'entrée

Efficacité d’injection de l’émetteur compte tenu des constantes de dopage

Aller Efficacité d'injection de l'émetteur = Dopage côté N/(Dopage côté N+Dopage côté P)

Facteur de transport de base étant donné la largeur de base

Aller Facteur de transport de base = 1-(1/2*(Largeur physique/Longueur de diffusion électronique)^2)

Facteur de transport de base étant donné la largeur de base Formule

Facteur de transport de base = 1-(1/2*(Largeur physique/Longueur de diffusion électronique)^2)
α_T = 1-(1/2*(W_p/L_e)^2)

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