Conductividad de semiconductores extrínsecos para tipo N Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Conductividad de semiconductores extrínsecos (tipo n) = Concentración de donantes*[Charge-e]*Movilidad de electrones
σn = Nd*[Charge-e]*μn
Esta fórmula usa 1 Constantes, 3 Variables
Constantes utilizadas
[Charge-e] - carga de electrones Valor tomado como 1.60217662E-19
Variables utilizadas
Conductividad de semiconductores extrínsecos (tipo n) - (Medido en Siemens/Metro) - La conductividad de los semiconductores extrínsecos (tipo n) es la medida de la facilidad con la que una carga eléctrica o calor puede pasar a través de un material semiconductor extrínseco de tipo n.
Concentración de donantes - (Medido en 1 por metro cúbico) - La concentración donante es la concentración de electrones en el estado donante.
Movilidad de electrones - (Medido en Metro cuadrado por voltio por segundo) - La movilidad del electrón se define como la magnitud de la velocidad de deriva promedio por unidad de campo eléctrico.
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Concentración de donantes: 2E+17 1 por metro cúbico --> 2E+17 1 por metro cúbico No se requiere conversión
Movilidad de electrones: 180 Metro cuadrado por voltio por segundo --> 180 Metro cuadrado por voltio por segundo No se requiere conversión
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
σn = Nd*[Charge-e]*μn --> 2E+17*[Charge-e]*180
Evaluar ... ...
σn = 5.767835832
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
5.767835832 Siemens/Metro --> No se requiere conversión
RESPUESTA FINAL
5.767835832 5.767836 Siemens/Metro <-- Conductividad de semiconductores extrínsecos (tipo n)
(Cálculo completado en 00.020 segundos)

Créditos

Creado por Akshada Kulkarni
Instituto Nacional de Tecnología de la Información (NIIT), Neemrana
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Verificada por Equipo Softusvista
Oficina Softusvista (Pune), India
¡Equipo Softusvista ha verificado esta calculadora y 1100+ más calculadoras!

13 Características de los semiconductores Calculadoras

Conductividad en semiconductores
Vamos Conductividad = (Densidad de electrones*[Charge-e]*Movilidad de electrones)+(Densidad de agujeros*[Charge-e]*Movilidad de Agujeros)
Función de distribución de Fermi Dirac
Vamos Función de distribución de Fermi Dirac = 1/(1+e^((Nivel de energía de Fermi-Nivel de energía de Fermi)/([BoltZ]*Temperatura)))
Conductividad de semiconductores extrínsecos para tipo N
Vamos Conductividad de semiconductores extrínsecos (tipo n) = Concentración de donantes*[Charge-e]*Movilidad de electrones
Conductividad del semiconductor extrínseco para tipo P
Vamos Conductividad de semiconductores extrínsecos (tipo p) = Concentración del aceptor*[Charge-e]*Movilidad de Agujeros
Longitud de difusión de electrones
Vamos Longitud de difusión de electrones = sqrt(Constante de difusión de electrones*Portador minoritario de por vida)
Brecha de banda de energía
Vamos Brecha de banda de energía = Brecha de banda de energía en 0K-(Temperatura*Constante específica del material)
Concentración de portadores mayoritarios en semiconductores para tipo p
Vamos Concentración de portadores mayoritarios = Concentración de portador intrínseco^2/Concentración de portadores minoritarios
Concentración de portadores mayoritarios en semiconductores
Vamos Concentración de portadores mayoritarios = Concentración de portador intrínseco^2/Concentración de portadores minoritarios
Nivel de Fermi de semiconductores intrínsecos
Vamos Semiconductor intrínseco de nivel Fermi = (Energía de banda de conducción+Energía de la banda de cenefa)/2
Densidad de corriente de deriva
Vamos Densidad de corriente de deriva = Agujeros Densidad de corriente+Densidad de corriente de electrones
Movilidad de los portadores de carga
Vamos Movilidad de Portadores de Carga = Velocidad de deriva/Intensidad de campo eléctrico
Voltaje de saturación usando voltaje de umbral
Vamos Voltaje de saturación = Voltaje de fuente de puerta-Voltaje de umbral
Campo eléctrico debido al voltaje Hall
Vamos Campo eléctrico de pasillo = Voltaje de pasillo/Ancho del conductor

Conductividad de semiconductores extrínsecos para tipo N Fórmula

Conductividad de semiconductores extrínsecos (tipo n) = Concentración de donantes*[Charge-e]*Movilidad de electrones
σn = Nd*[Charge-e]*μn

¿Qué son los semiconductores extrínsecos?

Los semiconductores extrínsecos son simplemente semiconductores intrínsecos que han sido dopados con átomos de impureza (defectos de sustitución unidimensionales en este caso). El dopaje es el proceso en el que los semiconductores aumentan su conductividad eléctrica al introducir átomos de diferentes elementos en su red.

¿Qué es un semiconductor extrínseco tipo n?

Un semiconductor de tipo n se crea cuando los semiconductores puros, como Si y Ge, se dopan con elementos pentavalentes. cuando un semiconductor está dopado con un átomo pentavalente, los electrones son los portadores de carga mayoritarios. Por otro lado, los huecos son los portadores de cargas minoritarios. Por lo tanto, estos semiconductores extrínsecos se denominan semiconductores de tipo n. En un semiconductor de tipo n, Número de electrones libres >> Número de agujeros

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