Kalkulator A do Z

Przewodność zewnętrznych półprzewodników typu N Kalkulator

Inżynieria
Budżetowy
Chemia
Fizyka
Matematyka
Plac zabaw
Zdrowie
✖Stężenie donorowe to stężenie elektronów w stanie donorowym.ⓘ Koncentracja dawców [Nd]
+10%
-10%
✖Ruchliwość elektronu jest definiowana jako wielkość średniej prędkości dryfu na jednostkę pola elektrycznego.ⓘ Ruchliwość elektronów [μn]
+10%
-10%
✖Przewodnictwo zewnętrznych półprzewodników (typu n) jest miarą łatwości, z jaką ładunek elektryczny lub ciepło może przechodzić przez zewnętrzny materiał półprzewodnikowy typu n.ⓘ Przewodność zewnętrznych półprzewodników typu N [σn]
⎘ Kopiuj
👎
Formuła
✖

Przewodność zewnętrznych półprzewodników typu N

Formuła
`"σ"_{"n"} = "N"_{"d"}*"[Charge-e]"*"μ"_{"n"}`

Przykład
`"5.767836S/m"="2e17/m³"*"[Charge-e]"*"180m²/V*s"`

Kalkulator
LaTeX
Resetowanie
👍

Przewodność zewnętrznych półprzewodników typu N Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń
Formułę używana
Przewodnictwo zewnętrznych półprzewodników (typu n) = Koncentracja dawców*[Charge-e]*Ruchliwość elektronów
σn = Nd*[Charge-e]*μn
Ta formuła używa 1 Stałe, 3 Zmienne
Używane stałe
[Charge-e] - Ładunek elektronu Wartość przyjęta jako 1.60217662E-19
Używane zmienne
Przewodnictwo zewnętrznych półprzewodników (typu n) - (Mierzone w Siemens/Metr) - Przewodnictwo zewnętrznych półprzewodników (typu n) jest miarą łatwości, z jaką ładunek elektryczny lub ciepło może przechodzić przez zewnętrzny materiał półprzewodnikowy typu n.
Koncentracja dawców - (Mierzone w 1 na metr sześcienny) - Stężenie donorowe to stężenie elektronów w stanie donorowym.
Ruchliwość elektronów - (Mierzone w Metr kwadratowy na wolt na sekundę) - Ruchliwość elektronu jest definiowana jako wielkość średniej prędkości dryfu na jednostkę pola elektrycznego.
KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową
Koncentracja dawców: 2E+17 1 na metr sześcienny --> 2E+17 1 na metr sześcienny Nie jest wymagana konwersja
Ruchliwość elektronów: 180 Metr kwadratowy na wolt na sekundę --> 180 Metr kwadratowy na wolt na sekundę Nie jest wymagana konwersja
KROK 2: Oceń formułę
Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze
σn = Nd*[Charge-e]*μn --> 2E+17*[Charge-e]*180
Ocenianie ... ...
σn = 5.767835832
KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia
5.767835832 Siemens/Metr --> Nie jest wymagana konwersja
OSTATNIA ODPOWIEDŹ
5.767835832 ≈ 5.767836 Siemens/Metr <-- Przewodnictwo zewnętrznych półprzewodników (typu n)
(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)
Jesteś tutaj -
Dom » Inżynieria » Elektronika » EDC » Charakterystyka półprzewodników » Przewodność zewnętrznych półprzewodników typu N

Kredyty

Stworzone przez Akshada Kulkarni
Narodowy Instytut Informatyki (NIIT), Neemrana
Akshada Kulkarni utworzył ten kalkulator i 500+ więcej kalkulatorów!
Zweryfikowane przez Team Softusvista
Softusvista Office (Pune), Indie
Team Softusvista zweryfikował ten kalkulator i 1100+ więcej kalkulatorów!

13 Charakterystyka półprzewodników Kalkulatory

Przewodnictwo w półprzewodnikach
Iść Przewodność = (Gęstość elektronów*[Charge-e]*Ruchliwość elektronów)+(Gęstość otworów*[Charge-e]*Ruchliwość otworów)
Funkcja dystrybucji Fermiego Diraca
Iść Funkcja dystrybucji Fermiego Diraca = 1/(1+e^((Energia poziomu Fermiego-Energia poziomu Fermiego)/([BoltZ]*Temperatura)))
Przewodność zewnętrznego półprzewodnika dla typu P
Iść Przewodnictwo zewnętrznych półprzewodników (typu p) = Koncentracja akceptora*[Charge-e]*Ruchliwość otworów
Przewodność zewnętrznych półprzewodników typu N
Iść Przewodnictwo zewnętrznych półprzewodników (typu n) = Koncentracja dawców*[Charge-e]*Ruchliwość elektronów
Długość dyfuzji elektronów
Iść Długość dyfuzji elektronów = sqrt(Stała dyfuzji elektronów*Dożywotni przewoźnik mniejszościowy)
Pasmo energetyczne
Iść Pasmo energetyczne = Pasmo energetyczne przy 0K-(Temperatura*Stała specyficzna dla materiału)
Koncentracja większości nośników w półprzewodnikach dla typu p
Iść Koncentracja większości nośników = Wewnętrzne stężenie nośnika^2/Koncentracja przewoźników mniejszościowych
Stężenie większości nośników w półprzewodnikach
Iść Koncentracja większości nośników = Wewnętrzne stężenie nośnika^2/Koncentracja przewoźników mniejszościowych
Poziom Fermiego samoistnych półprzewodników
Iść Samoistny półprzewodnik poziomu Fermiego = (Energia pasma przewodnictwa+Energia pasma Valance'a)/2
Mobilność nośników ładunku
Iść Mobilność przewoźników ładunków = Prędkość dryfu/Natężenie pola elektrycznego
Gęstość prądu dryfu
Iść Gęstość prądu dryfu = Gęstość prądu otworów+Gęstość prądu elektronowego
Pole elektryczne wywołane napięciem Halla
Iść Pole elektryczne Halla = Napięcie Halla/Szerokość przewodnika
Napięcie nasycenia za pomocą napięcia progowego
Iść Napięcie nasycenia = Napięcie źródła bramki-Próg napięcia

Przewodność zewnętrznych półprzewodników typu N Formułę

Przewodnictwo zewnętrznych półprzewodników (typu n) = Koncentracja dawców*[Charge-e]*Ruchliwość elektronów
σn = Nd*[Charge-e]*μn

Co to są zewnętrzne półprzewodniki?

Zewnętrzne półprzewodniki to po prostu wewnętrzne półprzewodniki, które zostały domieszkowane atomami zanieczyszczeń (w tym przypadku jednowymiarowe defekty substytucyjne). Domieszkowanie to proces, w którym półprzewodniki zwiększają swoje przewodnictwo elektryczne poprzez wprowadzanie do sieci atomów różnych pierwiastków.

Co to jest zewnętrzny półprzewodnik typu n?

Półprzewodnik typu n powstaje, gdy czyste półprzewodniki, takie jak Si i Ge, są domieszkowane pierwiastkami pięciowartościowymi. gdy półprzewodnik jest domieszkowany pięciowartościowym atomem, elektronami są większość nośników ładunku. Z drugiej strony dziury są nośnikami ładunków mniejszościowych. Dlatego takie zewnętrzne półprzewodniki nazywane są półprzewodnikami typu n. W półprzewodniku typu n Liczba wolnych elektronów >> Liczba dziur

About | Contact | Disclaimer | Terms | Privacy Policy
© 2016-2024 A softusvista inc. venture!



Dom
BEZPŁATNY pliki PDF
🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić
Let Others Know
✖
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!