Geleidbaarheid van extrinsieke halfgeleiders voor N-type Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening
Formule gebruikt
Geleidbaarheid van extrinsieke halfgeleiders (n-type) = Donor concentratie*[Charge-e]*Mobiliteit van Electron
σn = Nd*[Charge-e]*μn
Deze formule gebruikt 1 Constanten, 3 Variabelen
Gebruikte constanten
[Charge-e] - Carga do elétron Waarde genomen als 1.60217662E-19
Variabelen gebruikt
Geleidbaarheid van extrinsieke halfgeleiders (n-type) - (Gemeten in Siemens/Meter) - Geleidbaarheid van extrinsieke halfgeleiders (n-type) is de maat voor het gemak waarmee een elektrische lading of warmte door een extrinsiek halfgeleidermateriaal van n-type kan gaan.
Donor concentratie - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - Donorconcentratie is de concentratie van elektronen in de donortoestand.
Mobiliteit van Electron - (Gemeten in Vierkante meter per volt per seconde) - Mobiliteit van elektronen wordt gedefinieerd als de grootte van de gemiddelde driftsnelheid per eenheid elektrisch veld.
STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid
Donor concentratie: 2E+17 1 per kubieke meter --> 2E+17 1 per kubieke meter Geen conversie vereist
Mobiliteit van Electron: 180 Vierkante meter per volt per seconde --> 180 Vierkante meter per volt per seconde Geen conversie vereist
STAP 2: Evalueer de formule
Invoerwaarden in formule vervangen
σn = Nd*[Charge-e]*μn --> 2E+17*[Charge-e]*180
Evalueren ... ...
σn = 5.767835832
STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer
5.767835832 Siemens/Meter --> Geen conversie vereist
DEFINITIEVE ANTWOORD
5.767835832 5.767836 Siemens/Meter <-- Geleidbaarheid van extrinsieke halfgeleiders (n-type)
(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Credits

Gemaakt door Akshada Kulkarni
Nationaal instituut voor informatietechnologie (NIT), Neemrana
Akshada Kulkarni heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 500+ meer rekenmachines!
Geverifieërd door Team Softusvista
Softusvista Office (Pune), India
Team Softusvista heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1100+ rekenmachines!

13 Halfgeleiderkenmerken Rekenmachines

Geleidbaarheid in halfgeleiders
Gaan Geleidbaarheid = (Elektronendichtheid*[Charge-e]*Mobiliteit van Electron)+(Gaten Dichtheid*[Charge-e]*Mobiliteit van gaten)
Fermi Dirac-distributiefunctie
Gaan Fermi Dirac-distributiefunctie = 1/(1+e^((Fermi-niveau energie-Fermi-niveau energie)/([BoltZ]*Temperatuur)))
Geleidbaarheid van extrinsieke halfgeleiders voor N-type
Gaan Geleidbaarheid van extrinsieke halfgeleiders (n-type) = Donor concentratie*[Charge-e]*Mobiliteit van Electron
Geleidbaarheid van extrinsieke halfgeleider voor P-type
Gaan Geleidbaarheid van extrinsieke halfgeleiders (p-type) = Acceptor concentratie*[Charge-e]*Mobiliteit van gaten
Lengte elektronendiffusie
Gaan Elektron diffusie lengte = sqrt(Elektronendiffusieconstante*Minderheid Carrier Lifetime)
Energiebandkloof
Gaan Energiebandkloof = Energiebandafstand bij 0K-(Temperatuur*Materiaalspecifieke constante)
Meerderheidsdragerconcentratie in halfgeleider voor p-type
Gaan Meerderheid Carrier Concentratie = Intrinsieke dragerconcentratie^2/Concentratie van minderheidsdragers
Meerderheidsdragerconcentratie in halfgeleiders
Gaan Meerderheid Carrier Concentratie = Intrinsieke dragerconcentratie^2/Concentratie van minderheidsdragers
Fermi-niveau van intrinsieke halfgeleiders
Gaan Fermi-niveau intrinsieke halfgeleider = (Geleidingsband energie+Valance Band-energie)/2
Drift huidige dichtheid
Gaan Drift huidige dichtheid = Gaten Huidige Dichtheid+Elektronenstroomdichtheid
Mobiliteit van ladingdragers
Gaan Laaddragers Mobiliteit = Drift snelheid/Elektrische veldintensiteit
Verzadigingsspanning met behulp van drempelspanning
Gaan Verzadigingsspanning = Poortbronspanning-Drempelspanning
Elektrisch veld als gevolg van Hall-spanning
Gaan Zaal elektrisch veld = Zaal spanning/Dirigent Breedte

Geleidbaarheid van extrinsieke halfgeleiders voor N-type Formule

Geleidbaarheid van extrinsieke halfgeleiders (n-type) = Donor concentratie*[Charge-e]*Mobiliteit van Electron
σn = Nd*[Charge-e]*μn

Wat zijn extrinsieke halfgeleiders?

Extrinsieke halfgeleiders zijn slechts intrinsieke halfgeleiders die zijn gedoteerd met onzuiverheidsatomen (in dit geval eendimensionale substitutiedefecten). Doping is het proces waarbij halfgeleiders hun elektrische geleidbaarheid vergroten door atomen van verschillende elementen in hun rooster te introduceren.

Wat is een extrinsieke halfgeleider van het n-type?

Een n-type halfgeleider ontstaat wanneer zuivere halfgeleiders, zoals Si en Ge, worden gedoteerd met vijfwaardige elementen. wanneer een halfgeleider is gedoteerd met een vijfwaardig atoom, zijn elektronen de meeste ladingsdragers. Aan de andere kant zijn de gaten de minderheidsladingsdragers. Daarom worden dergelijke extrinsieke halfgeleiders n-type halfgeleiders genoemd. In een n-type halfgeleider, Aantal vrije elektronen >> Aantal gaten

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!