Проводимость внешних полупроводников для N-типа Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета
Используемая формула
Проводимость внешних полупроводников (n-типа) = Концентрация доноров*[Charge-e]*Подвижность электрона
σn = Nd*[Charge-e]*μn
В этой формуле используются 1 Константы, 3 Переменные
Используемые константы
[Charge-e] - Lading van elektron Значение, принятое как 1.60217662E-19
Используемые переменные
Проводимость внешних полупроводников (n-типа) - (Измеряется в Сименс/ метр) - Проводимость внешних полупроводников (n-типа) является мерой легкости, с которой электрический заряд или тепло могут проходить через внешний полупроводниковый материал n-типа.
Концентрация доноров - (Измеряется в 1 на кубический метр) - Концентрация доноров – это концентрация электронов в донорном состоянии.
Подвижность электрона - (Измеряется в Квадратный метр на вольт в секунду) - Подвижность электрона определяется как величина средней скорости дрейфа на единицу электрического поля.
ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок
Концентрация доноров: 2E+17 1 на кубический метр --> 2E+17 1 на кубический метр Конверсия не требуется
Подвижность электрона: 180 Квадратный метр на вольт в секунду --> 180 Квадратный метр на вольт в секунду Конверсия не требуется
ШАГ 2: Оцените формулу
Подстановка входных значений в формулу
σn = Nd*[Charge-e]*μn --> 2E+17*[Charge-e]*180
Оценка ... ...
σn = 5.767835832
ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода
5.767835832 Сименс/ метр --> Конверсия не требуется
ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ
5.767835832 5.767836 Сименс/ метр <-- Проводимость внешних полупроводников (n-типа)
(Расчет завершен через 00.020 секунд)

Кредиты

Национальный институт информационных технологий (НИИТ), Neemrana
Акшада Кулкарни создал этот калькулятор и еще 500+!
Офис Софтусвиста (Пуна), Индия
Команда Софтусвиста проверил этот калькулятор и еще 1100+!

13 Полупроводниковые характеристики Калькуляторы

Проводимость в полупроводниках
Идти проводимость = (Электронная плотность*[Charge-e]*Подвижность электрона)+(Плотность отверстий*[Charge-e]*Подвижность отверстий)
Функция распределения Ферми Дирака
Идти Функция распределения Ферми Дирака = 1/(1+e^((Энергия уровня Ферми-Энергия уровня Ферми)/([BoltZ]*Температура)))
Запрещенная энергетическая зона
Идти Запрещенная энергетическая зона = Запрещенная энергетическая полоса при 0K-(Температура*Постоянная, специфичная для материала)
Проводимость внешнего полупроводника для P-типа
Идти Проводимость внешних полупроводников (p-типа) = Концентрация акцептора*[Charge-e]*Подвижность отверстий
Проводимость внешних полупроводников для N-типа
Идти Проводимость внешних полупроводников (n-типа) = Концентрация доноров*[Charge-e]*Подвижность электрона
Длина диффузии электронов
Идти Электронная диффузионная длина = sqrt(Константа электронной диффузии*Миноритарный перевозчик Lifetime)
Концентрация основных носителей в полупроводнике для p-типа
Идти Концентрация большинства носителей = Концентрация внутреннего носителя^2/Концентрация миноритарных перевозчиков
Концентрация основных носителей в полупроводнике
Идти Концентрация большинства носителей = Концентрация внутреннего носителя^2/Концентрация миноритарных перевозчиков
Уровень Ферми собственных полупроводников
Идти Внутренний полупроводник на уровне Ферми = (Энергия зоны проводимости+Энергия полосы Валанса)/2
Подвижность носителей заряда
Идти Мобильность носителей заряда = Скорость дрейфа/Напряженность электрического поля
Плотность дрейфового тока
Идти Плотность дрейфового тока = Отверстия Плотность тока+Плотность электронного тока
Напряжение насыщения с использованием порогового напряжения
Идти Напряжение насыщения = Напряжение источника затвора-Пороговое напряжение
Электрическое поле из-за напряжения Холла
Идти Электрическое поле Холла = Напряжение Холла/Ширина проводника

Проводимость внешних полупроводников для N-типа формула

Проводимость внешних полупроводников (n-типа) = Концентрация доноров*[Charge-e]*Подвижность электрона
σn = Nd*[Charge-e]*μn

Что такое внешние полупроводники?

Внешние полупроводники - это просто собственные полупроводники, которые были легированы примесными атомами (в данном случае одномерные дефекты замещения). Легирование - это процесс, при котором полупроводники увеличивают свою электрическую проводимость, вводя в свою решетку атомы различных элементов.

Что такое внешний полупроводник n-типа?

Полупроводник n-типа создается, когда чистые полупроводники, такие как Si и Ge, легированы пятивалентными элементами. когда полупроводник легирован пятивалентным атомом, электроны являются основными носителями заряда. С другой стороны, дырки являются неосновными носителями заряда. Поэтому такие примесные полупроводники называют полупроводниками n-типа. В полупроводнике n-типа Число свободных электронов >> Число дырок.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!