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Conducibilità dei semiconduttori estrinseci per il tipo N calcolatrice

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Terreno di gioco
✖La concentrazione del donatore è la concentrazione di elettroni nello stato del donatore.ⓘ Concentrazione dei donatori [Nd]
+10%
-10%
✖La mobilità dell'elettrone è definita come l'entità della velocità di deriva media per unità di campo elettrico.ⓘ Mobilità dell'elettrone [μn]
+10%
-10%
✖La conduttività dei semiconduttori estrinseci (tipo n) è la misura della facilità con cui una carica elettrica o un calore può passare attraverso un materiale semiconduttore estrinseco di tipo n.ⓘ Conducibilità dei semiconduttori estrinseci per il tipo N [σn]
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Formula
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Conducibilità dei semiconduttori estrinseci per il tipo N

Formula
`"σ"_{"n"} = "N"_{"d"}*"[Charge-e]"*"μ"_{"n"}`

Esempio
`"5.767836S/m"="2e17/m³"*"[Charge-e]"*"180m²/V*s"`

Calcolatrice
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Conducibilità dei semiconduttori estrinseci per il tipo N Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Conducibilità dei semiconduttori estrinseci (tipo n) = Concentrazione dei donatori*[Charge-e]*Mobilità dell'elettrone
σn = Nd*[Charge-e]*μn
Questa formula utilizza 1 Costanti, 3 Variabili
Costanti utilizzate
[Charge-e] - Carica dell'elettrone Valore preso come 1.60217662E-19
Variabili utilizzate
Conducibilità dei semiconduttori estrinseci (tipo n) - (Misurato in Siemens/Metro) - La conduttività dei semiconduttori estrinseci (tipo n) è la misura della facilità con cui una carica elettrica o un calore può passare attraverso un materiale semiconduttore estrinseco di tipo n.
Concentrazione dei donatori - (Misurato in 1 per metro cubo) - La concentrazione del donatore è la concentrazione di elettroni nello stato del donatore.
Mobilità dell'elettrone - (Misurato in Metro quadrato per Volt al secondo) - La mobilità dell'elettrone è definita come l'entità della velocità di deriva media per unità di campo elettrico.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Concentrazione dei donatori: 2E+17 1 per metro cubo --> 2E+17 1 per metro cubo Nessuna conversione richiesta
Mobilità dell'elettrone: 180 Metro quadrato per Volt al secondo --> 180 Metro quadrato per Volt al secondo Nessuna conversione richiesta
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
σn = Nd*[Charge-e]*μn --> 2E+17*[Charge-e]*180
Valutare ... ...
σn = 5.767835832
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
5.767835832 Siemens/Metro --> Nessuna conversione richiesta
RISPOSTA FINALE
5.767835832 ≈ 5.767836 Siemens/Metro <-- Conducibilità dei semiconduttori estrinseci (tipo n)
(Calcolo completato in 00.004 secondi)
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Titoli di coda

Creato da Akshada Kulkarni
Istituto nazionale di tecnologia dell'informazione (NIIT), Neemrana
Akshada Kulkarni ha creato questa calcolatrice e altre 500+ altre calcolatrici!
Verificato da Team Softusvista
Ufficio Softusvista (Pune), India
Team Softusvista ha verificato questa calcolatrice e altre 1100+ altre calcolatrici!

13 Caratteristiche dei semiconduttori Calcolatrici

Conduttività nei semiconduttori
Partire Conducibilità = (Densità elettronica*[Charge-e]*Mobilità dell'elettrone)+(Densità dei fori*[Charge-e]*Mobilità dei fori)
Funzione di distribuzione di Fermi Dirac
Partire Funzione di distribuzione di Fermi Dirac = 1/(1+e^((Energia del livello di Fermi-Energia del livello di Fermi)/([BoltZ]*Temperatura)))
Conducibilità dei semiconduttori estrinseci per il tipo N
Partire Conducibilità dei semiconduttori estrinseci (tipo n) = Concentrazione dei donatori*[Charge-e]*Mobilità dell'elettrone
Conduttività del semiconduttore estrinseco per il tipo P
Partire Conducibilità dei semiconduttori estrinseci (tipo p) = Concentrazione dell'accettore*[Charge-e]*Mobilità dei fori
Lunghezza di diffusione elettronica
Partire Lunghezza di diffusione elettronica = sqrt(Costante di diffusione elettronica*Portatore di minoranza a vita)
Gap di banda energetica
Partire Gap di banda energetica = Energy Band Gap a 0K-(Temperatura*Costante specifica del materiale)
Concentrazione di portatori maggioritari in semiconduttore per tipo p
Partire Concentrazione di portatori maggioritari = Concentrazione portante intrinseca^2/Concentrazione di portatori di minoranza
Concentrazione del vettore maggioritario nei semiconduttori
Partire Concentrazione di portatori maggioritari = Concentrazione portante intrinseca^2/Concentrazione di portatori di minoranza
Livello di Fermi dei semiconduttori intrinseci
Partire Semiconduttore intrinseco di livello Fermi = (Energia della banda di conduzione+Energia della banda di mantovana)/2
Densità di corrente di deriva
Partire Densità di corrente di deriva = Densità di corrente dei fori+Densità di corrente elettronica
Mobilità dei vettori di carica
Partire Portatori di carica Mobilità = Velocità di deriva/Intensità del campo elettrico
Tensione di saturazione utilizzando la tensione di soglia
Partire Tensione di saturazione = Tensione sorgente gate-Soglia di voltaggio
Campo elettrico dovuto alla tensione di Hall
Partire Campo elettrico di Hall = Tensione di sala/Larghezza del conduttore

Conducibilità dei semiconduttori estrinseci per il tipo N Formula

Conducibilità dei semiconduttori estrinseci (tipo n) = Concentrazione dei donatori*[Charge-e]*Mobilità dell'elettrone
σn = Nd*[Charge-e]*μn

Cosa sono i semiconduttori estrinseci?

I semiconduttori estrinseci sono solo semiconduttori intrinseci che sono stati drogati con atomi di impurità (difetti sostituzionali unidimensionali in questo caso). Il doping è il processo in cui i semiconduttori aumentano la loro conduttività elettrica introducendo atomi di diversi elementi nel loro reticolo.

Cos'è il semiconduttore estrinseco di tipo n?

Un semiconduttore di tipo n viene creato quando semiconduttori puri, come Si e Ge, sono drogati con elementi pentavalenti. quando un semiconduttore è drogato con un atomo pentavalente, gli elettroni sono i principali portatori di carica. D'altra parte, i fori sono i portatori di carica di minoranza. Pertanto, tali semiconduttori estrinseci sono chiamati semiconduttori di tipo n. In un semiconduttore di tipo n, Numero di elettroni liberi >> Numero di buchi

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