Leitfähigkeit extrinsischer Halbleiter für N-Typ Taschenrechner

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✖Die Donorkonzentration ist die Konzentration der Elektronen im Donorzustand.ⓘ Spenderkonzentration [N_d]			+10% -10%
✖Die Mobilität von Elektronen ist definiert als die Größe der durchschnittlichen Driftgeschwindigkeit pro elektrischer Feldeinheit.ⓘ Mobilität des Elektrons [μ_n]			+10% -10%

✖Die Leitfähigkeit von extrinsischen Halbleitern (n-Typ) ist das Maß für die Leichtigkeit, mit der eine elektrische Ladung oder Wärme durch ein extrinsisches Halbleitermaterial vom n-Typ fließen kann.ⓘ Leitfähigkeit extrinsischer Halbleiter für N-Typ [σ_n]

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Formel

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Leitfähigkeit extrinsischer Halbleiter für N-Typ

Formel

`"σ"_{"n"} = "N"_{"d"}*"[Charge-e]"*"μ"_{"n"}`

Beispiel

`"5.767836S/m"="2e17/m³"*"[Charge-e]"*"180m²/V*s"`

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Leitfähigkeit extrinsischer Halbleiter für N-Typ Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Leitfähigkeit extrinsischer Halbleiter (n-Typ) = Spenderkonzentration*[Charge-e]*Mobilität des Elektrons
σ_n = N_d*[Charge-e]*μ_n
Diese formel verwendet 1 Konstanten, 3 Variablen

Verwendete Konstanten

[Charge-e] - Ladung eines Elektrons Wert genommen als 1.60217662E-19

Verwendete Variablen

Leitfähigkeit extrinsischer Halbleiter (n-Typ) - (Gemessen in Siemens / Meter) - Die Leitfähigkeit von extrinsischen Halbleitern (n-Typ) ist das Maß für die Leichtigkeit, mit der eine elektrische Ladung oder Wärme durch ein extrinsisches Halbleitermaterial vom n-Typ fließen kann.
Spenderkonzentration - (Gemessen in 1 pro Kubikmeter) - Die Donorkonzentration ist die Konzentration der Elektronen im Donorzustand.
Mobilität des Elektrons - (Gemessen in Quadratmeter pro Volt pro Sekunde) - Die Mobilität von Elektronen ist definiert als die Größe der durchschnittlichen Driftgeschwindigkeit pro elektrischer Feldeinheit.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Spenderkonzentration: 2E+17 1 pro Kubikmeter --> 2E+17 1 pro Kubikmeter Keine Konvertierung erforderlich
Mobilität des Elektrons: 180 Quadratmeter pro Volt pro Sekunde --> 180 Quadratmeter pro Volt pro Sekunde Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

σ_n = N_d*[Charge-e]*μ_n --> 2E+17*[Charge-e]*180

Auswerten ... ...

σ_n = 5.767835832

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

5.767835832 Siemens / Meter --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

5.767835832 ≈ 5.767836 Siemens / Meter <-- Leitfähigkeit extrinsischer Halbleiter (n-Typ)

(Berechnung in 00.020 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Akshada Kulkarni

Nationales Institut für Informationstechnologie (NIIT), Neemrana

Akshada Kulkarni hat diesen Rechner und 500+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Team Softusvista

Softusvista Office (Pune), Indien

Team Softusvista hat diesen Rechner und 1100+ weitere Rechner verifiziert!

< 13 Halbleitereigenschaften Taschenrechner

Leitfähigkeit in Halbleitern

Gehen Leitfähigkeit = (Elektronendichte*[Charge-e]*Mobilität des Elektrons)+(Lochdichte*[Charge-e]*Mobilität von Löchern)

Fermi-Dirac-Verteilungsfunktion

Gehen Fermi-Dirac-Verteilungsfunktion = 1/(1+e^((Fermi-Niveau-Energie-Fermi-Niveau-Energie)/([BoltZ]*Temperatur)))

Leitfähigkeit extrinsischer Halbleiter für N-Typ

Gehen Leitfähigkeit extrinsischer Halbleiter (n-Typ) = Spenderkonzentration*[Charge-e]*Mobilität des Elektrons

Leitfähigkeit von extrinsischen Halbleitern für P-Typ

Gehen Leitfähigkeit extrinsischer Halbleiter (p-Typ) = Akzeptorkonzentration*[Charge-e]*Mobilität von Löchern

Elektronendiffusionslänge

Gehen Elektronendiffusionslänge = sqrt(Elektronendiffusionskonstante*Minority Carrier Lifetime)

Energiebandlücke

Gehen Energiebandlücke = Energiebandlücke bei 0K-(Temperatur*Materialspezifische Konstante)

Mehrheitliche Ladungsträgerkonzentration in Halbleitern

Gehen Konzentration der Mehrheit der Träger = Intrinsische Trägerkonzentration^2/Konzentration von Minderheitsträgern

Mehrheitsträgerkonzentration im Halbleiter für p-Typ

Gehen Konzentration der Mehrheit der Träger = Intrinsische Trägerkonzentration^2/Konzentration von Minderheitsträgern

Fermi-Niveau intrinsischer Halbleiter

Gehen Intrinsischer Fermi-Level-Halbleiter = (Leitungsbandenergie+Volantband-Energie)/2

Mobilität von Ladungsträgern

Gehen Ladungsträgermobilität = Driftgeschwindigkeit/Elektrische Feldstärke

Driftstromdichte

Gehen Driftstromdichte = Löcher Stromdichte+Elektronenstromdichte

Sättigungsspannung unter Verwendung der Schwellenspannung

Gehen Sättigungsspannung = Gate-Source-Spannung-Grenzspannung

Elektrisches Feld aufgrund der Hall-Spannung

Gehen Hall elektrisches Feld = Hall-Spannung/Leiterbreite

Leitfähigkeit extrinsischer Halbleiter für N-Typ Formel

Leitfähigkeit extrinsischer Halbleiter (n-Typ) = Spenderkonzentration*[Charge-e]*Mobilität des Elektrons
σ_n = N_d*[Charge-e]*μ_n

Was sind extrinsische Halbleiter?

Extrinsische Halbleiter sind nur intrinsische Halbleiter, die mit Verunreinigungsatomen dotiert wurden (in diesem Fall eindimensionale Substitutionsdefekte). Dotierung ist der Prozess, bei dem Halbleiter ihre elektrische Leitfähigkeit erhöhen, indem sie Atome verschiedener Elemente in ihr Gitter einbringen.

Was ist ein extrinsischer Halbleiter vom n-Typ?

Ein n-Halbleiter entsteht, wenn reine Halbleiter wie Si und Ge mit fünfwertigen Elementen dotiert werden. Wenn ein Halbleiter mit einem fünfwertigen Atom dotiert ist, sind Elektronen die Hauptladungsträger. Andererseits sind die Löcher die Minoritätsladungsträger. Daher werden solche extrinsischen Halbleiter als Halbleiter vom n-Typ bezeichnet. In einem n-Halbleiter Anzahl der freien Elektronen >> Anzahl der Löcher

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