Calculadora Corriente que fluye en el diodo Zener

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Fabricación de circuitos integrados bipolares

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Schmitt Trigger

✖El voltaje de referencia de entrada se refiere a una señal de voltaje utilizada como referencia en circuitos electrónicos, especialmente en convertidores analógicos a digitales (ADC), amplificadores operacionales (op-amps).ⓘ Voltaje de referencia de entrada [U_in]			+10% -10%
✖El voltaje de salida estable se refiere a un nivel de voltaje constante e invariable producido por una fuente de alimentación o un dispositivo electrónico.ⓘ Voltaje de salida estable [U_out]			+10% -10%
✖La resistencia Zener se refiere a la resistencia dinámica de un diodo Zener cuando opera en su región de ruptura. Los diodos Zener son dispositivos semiconductores diseñados para mantener un voltaje constante.ⓘ Resistencia Zener [R_z]			+10% -10%

✖La corriente de diodo se refiere al flujo de portadores de carga eléctrica, generalmente electrones o huecos, a través del diodo.ⓘ Corriente que fluye en el diodo Zener [I_diode]

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Fórmula

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Corriente que fluye en el diodo Zener

Fórmula

`"I"_{"diode"} = ("U"_{"in"}-"U"_{"out"})/"R"_{"z"}`

Ejemplo

`"0.054326A"=("7V"-"1.5V")/"101.24Ω"`

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Corriente que fluye en el diodo Zener Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Corriente de diodo = (Voltaje de referencia de entrada-Voltaje de salida estable)/Resistencia Zener
I_diode = (U_in-U_out)/R_z
Esta fórmula usa 4 Variables

Variables utilizadas

Corriente de diodo - (Medido en Amperio) - La corriente de diodo se refiere al flujo de portadores de carga eléctrica, generalmente electrones o huecos, a través del diodo.
Voltaje de referencia de entrada - (Medido en Voltio) - El voltaje de referencia de entrada se refiere a una señal de voltaje utilizada como referencia en circuitos electrónicos, especialmente en convertidores analógicos a digitales (ADC), amplificadores operacionales (op-amps).
Voltaje de salida estable - (Medido en Voltio) - El voltaje de salida estable se refiere a un nivel de voltaje constante e invariable producido por una fuente de alimentación o un dispositivo electrónico.
Resistencia Zener - (Medido en Ohm) - La resistencia Zener se refiere a la resistencia dinámica de un diodo Zener cuando opera en su región de ruptura. Los diodos Zener son dispositivos semiconductores diseñados para mantener un voltaje constante.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Voltaje de referencia de entrada: 7 Voltio --> 7 Voltio No se requiere conversión
Voltaje de salida estable: 1.5 Voltio --> 1.5 Voltio No se requiere conversión
Resistencia Zener: 101.24 Ohm --> 101.24 Ohm No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

I_diode = (U_in-U_out)/R_z --> (7-1.5)/101.24

Evaluar ... ...

I_diode = 0.0543263532200711

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

0.0543263532200711 Amperio --> No se requiere conversión

RESPUESTA FINAL

0.0543263532200711 ≈ 0.054326 Amperio <-- Corriente de diodo

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por banuprakash

Facultad de Ingeniería Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

¡banuprakash ha creado esta calculadora y 50+ más calculadoras!

Verificada por Santhosh Yadav

Facultad de Ingeniería Dayananda Sagar (DSCE), banglore

¡Santhosh Yadav ha verificado esta calculadora y 50+ más calculadoras!

< 19 Fabricación de circuitos integrados bipolares Calculadoras

Resistencia del paralelepípedo rectangular

Vamos Resistencia = ((Resistividad*Grosor de la capa)/(Ancho de la capa difundida*Longitud de la capa difundida))*(ln(Ancho del rectángulo inferior/Longitud del rectángulo inferior)/(Ancho del rectángulo inferior-Longitud del rectángulo inferior))

Átomos de impureza por unidad de área

Vamos Impureza total = Difusión efectiva*(Área de unión de la base del emisor*((Cargar*Concentración intrínseca^2)/Colector actual)*exp(Emisor de base de voltaje/Voltaje térmico))

Conductividad del tipo P

Vamos Conductividad óhmica = Cargar*(Movilidad del silicio con dopaje electrónico*(Concentración intrínseca^2/Concentración de equilibrio del tipo P)+Movilidad de silicio con dopaje de orificios*Concentración de equilibrio del tipo P)

Conductividad de tipo N

Vamos Conductividad óhmica = Cargar*(Movilidad del silicio con dopaje electrónico*Concentración de equilibrio de tipo N+Movilidad de silicio con dopaje de orificios*(Concentración intrínseca^2/Concentración de equilibrio de tipo N))

Conductividad óhmica de la impureza

Vamos Conductividad óhmica = Cargar*(Movilidad del silicio con dopaje electrónico*Concentración de electrones+Movilidad de silicio con dopaje de orificios*Concentración de agujeros)

Capacitancia de la fuente de puerta dada la capacitancia de superposición

Vamos Capacitancia de la fuente de puerta = (2/3*Ancho del transistor*Longitud del transistor*Capacitancia de óxido)+(Ancho del transistor*Capacitancia de superposición)

Corriente de colector del transistor PNP

Vamos Colector actual = (Cargar*Área de unión de la base del emisor*Concentración de equilibrio de tipo N*Constante de difusión para PNP)/Ancho de la base

Corriente de saturación en transistor

Vamos Corriente de saturación = (Cargar*Área de unión de la base del emisor*Difusión efectiva*Concentración intrínseca^2)/Impureza total

Consumo de energía de carga capacitiva dado el voltaje de suministro

Vamos Consumo de energía de carga capacitiva = Capacitancia de carga*Tensión de alimentación^2*Frecuencia de señal de salida*Número total de salidas conmutadas

Resistencia laminar de la capa

Vamos Resistencia de la hoja = 1/(Cargar*Movilidad del silicio con dopaje electrónico*Concentración de equilibrio de tipo N*Grosor de la capa)

Agujero de densidad actual

Vamos Densidad de corriente del agujero = Cargar*Constante de difusión para PNP*(Concentración de equilibrio del agujero/Ancho de la base)

Eficiencia de inyección del emisor

Vamos Eficiencia de inyección del emisor = Corriente del emisor/(Corriente del emisor debida a los electrones.+Corriente del emisor debido a los agujeros)

Resistencia de la capa difusa

Vamos Resistencia = (1/Conductividad óhmica)*(Longitud de la capa difundida/(Ancho de la capa difundida*Grosor de la capa))

Impureza con concentración intrínseca

Vamos Concentración intrínseca = sqrt((Concentración de electrones*Concentración de agujeros)/Impureza de temperatura)

Voltaje de ruptura del emisor colector

Vamos Voltaje de ruptura del emisor del colector = Voltaje de ruptura de la base del colector/(Ganancia actual de BJT)^(1/Número raíz)

Corriente que fluye en el diodo Zener

Vamos Corriente de diodo = (Voltaje de referencia de entrada-Voltaje de salida estable)/Resistencia Zener

Eficiencia de inyección del emisor dadas las constantes de dopaje

Vamos Eficiencia de inyección del emisor = Dopaje en el lado N/(Dopaje en el lado N+Dopaje en el lado P)

Factor de conversión de voltaje a frecuencia en circuitos integrados

Vamos Factor de conversión de voltaje a frecuencia en circuitos integrados = Frecuencia de señal de salida/Voltaje de entrada

Factor de transporte base dado el ancho de la base

Vamos Factor de transporte básico = 1-(1/2*(Ancho físico/Longitud de difusión de electrones)^2)

Corriente que fluye en el diodo Zener Fórmula

Corriente de diodo = (Voltaje de referencia de entrada-Voltaje de salida estable)/Resistencia Zener
I_diode = (U_in-U_out)/R_z

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