Strom fließt in der Zenerdiode Taschenrechner

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✖Die Eingangsreferenzspannung bezieht sich auf ein Spannungssignal, das als Referenz in elektronischen Schaltkreisen verwendet wird, insbesondere in Analog-Digital-Umsetzern (ADCs) und Operationsverstärkern (Op-Amps).ⓘ Eingangsreferenzspannung [U_in]			+10% -10%
✖Unter stabiler Ausgangsspannung versteht man einen gleichbleibenden und unveränderlichen Spannungspegel, der von einer Stromversorgung oder einem elektronischen Gerät erzeugt wird.ⓘ Stabile Ausgangsspannung [U_out]			+10% -10%
✖Der Zenerwiderstand bezieht sich auf den dynamischen Widerstand einer Zenerdiode, wenn sie in ihrem Durchbruchbereich arbeitet. Zenerdioden sind Halbleiterbauelemente, die für die Aufrechterhaltung einer konstanten Spannung ausgelegt sind.ⓘ Zener-Widerstand [R_z]			+10% -10%

✖Diodenstrom bezieht sich auf den Fluss elektrischer Ladungsträger, normalerweise Elektronen oder Löcher, durch die Diode.ⓘ Strom fließt in der Zenerdiode [I_diode]

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Formel

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Strom fließt in der Zenerdiode

Formel

`"I"_{"diode"} = ("U"_{"in"}-"U"_{"out"})/"R"_{"z"}`

Beispiel

`"0.054326A"=("7V"-"1.5V")/"101.24Ω"`

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Strom fließt in der Zenerdiode Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Diodenstrom = (Eingangsreferenzspannung-Stabile Ausgangsspannung)/Zener-Widerstand
I_diode = (U_in-U_out)/R_z
Diese formel verwendet 4 Variablen

Verwendete Variablen

Diodenstrom - (Gemessen in Ampere) - Diodenstrom bezieht sich auf den Fluss elektrischer Ladungsträger, normalerweise Elektronen oder Löcher, durch die Diode.
Eingangsreferenzspannung - (Gemessen in Volt) - Die Eingangsreferenzspannung bezieht sich auf ein Spannungssignal, das als Referenz in elektronischen Schaltkreisen verwendet wird, insbesondere in Analog-Digital-Umsetzern (ADCs) und Operationsverstärkern (Op-Amps).
Stabile Ausgangsspannung - (Gemessen in Volt) - Unter stabiler Ausgangsspannung versteht man einen gleichbleibenden und unveränderlichen Spannungspegel, der von einer Stromversorgung oder einem elektronischen Gerät erzeugt wird.
Zener-Widerstand - (Gemessen in Ohm) - Der Zenerwiderstand bezieht sich auf den dynamischen Widerstand einer Zenerdiode, wenn sie in ihrem Durchbruchbereich arbeitet. Zenerdioden sind Halbleiterbauelemente, die für die Aufrechterhaltung einer konstanten Spannung ausgelegt sind.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Eingangsreferenzspannung: 7 Volt --> 7 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Stabile Ausgangsspannung: 1.5 Volt --> 1.5 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Zener-Widerstand: 101.24 Ohm --> 101.24 Ohm Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

I_diode = (U_in-U_out)/R_z --> (7-1.5)/101.24

Auswerten ... ...

I_diode = 0.0543263532200711

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.0543263532200711 Ampere --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

0.0543263532200711 ≈ 0.054326 Ampere <-- Diodenstrom

(Berechnung in 00.020 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Banuprakash

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Bangalore

Banuprakash hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Santhosh Yadav

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner verifiziert!

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Widerstand eines rechteckigen Parallelepipeds

Gehen Widerstand = ((Widerstand*Dicke der Schicht)/(Breite der diffusen Schicht*Länge der diffusen Schicht))*(ln(Breite des unteren Rechtecks/Länge des unteren Rechtecks)/(Breite des unteren Rechtecks-Länge des unteren Rechtecks))

Verunreinigungsatome pro Flächeneinheit

Gehen Totale Unreinheit = Effektive Verbreitung*(Emitterbasis-Verbindungsbereich*((Aufladung*Intrinsische Konzentration^2)/Kollektorstrom)*exp(Spannungsbasisemitter/Thermische Spannung))

Leitfähigkeit vom N-Typ

Gehen Ohmsche Leitfähigkeit = Aufladung*(Elektronendotierte Siliziummobilität*Gleichgewichtskonzentration des N-Typs+Lochdotierung der Siliziummobilität*(Intrinsische Konzentration^2/Gleichgewichtskonzentration des N-Typs))

Leitfähigkeit vom P-Typ

Gehen Ohmsche Leitfähigkeit = Aufladung*(Elektronendotierte Siliziummobilität*(Intrinsische Konzentration^2/Gleichgewichtskonzentration des P-Typs)+Lochdotierung der Siliziummobilität*Gleichgewichtskonzentration des P-Typs)

Ohmsche Leitfähigkeit von Verunreinigungen

Gehen Ohmsche Leitfähigkeit = Aufladung*(Elektronendotierte Siliziummobilität*Elektronenkonzentration+Lochdotierung der Siliziummobilität*Lochkonzentration)

Kollektorstrom des PNP-Transistors

Gehen Kollektorstrom = (Aufladung*Emitterbasis-Verbindungsbereich*Gleichgewichtskonzentration des N-Typs*Diffusionskonstante für PNP)/Basisbreite

Sättigungsstrom im Transistor

Gehen Sättigungsstrom = (Aufladung*Emitterbasis-Verbindungsbereich*Effektive Verbreitung*Intrinsische Konzentration^2)/Totale Unreinheit

Gate-Source-Kapazität bei gegebener Überlappungskapazität

Gehen Gate-Source-Kapazität = (2/3*Breite des Transistors*Transistorlänge*Oxidkapazität)+(Breite des Transistors*Überlappungskapazität)

Stromverbrauch der kapazitiven Last bei gegebener Versorgungsspannung

Gehen Stromverbrauch kapazitiver Last = Lastkapazität*Versorgungsspannung^2*Ausgangssignalfrequenz*Gesamtzahl der schaltbaren Ausgänge

Schichtwiderstand der Schicht

Gehen Schichtwiderstand = 1/(Aufladung*Elektronendotierte Siliziummobilität*Gleichgewichtskonzentration des N-Typs*Dicke der Schicht)

Widerstand der diffundierten Schicht

Gehen Widerstand = (1/Ohmsche Leitfähigkeit)*(Länge der diffusen Schicht/(Breite der diffusen Schicht*Dicke der Schicht))

Verunreinigung mit intrinsischer Konzentration

Gehen Intrinsische Konzentration = sqrt((Elektronenkonzentration*Lochkonzentration)/Temperaturverunreinigung)

Aktuelle Dichteloch

Gehen Lochstromdichte = Aufladung*Diffusionskonstante für PNP*(Lochgleichgewichtskonzentration/Basisbreite)

Durchbruchspannung des Kollektor-Emitters

Gehen Kollektor-Emitter-Breakout-Spannung = Kollektor-Basis-Break-Spannung/(Aktueller Gewinn von BJT)^(1/Stammnummer)

Emitter-Injektionseffizienz bei gegebenen Dotierungskonstanten

Gehen Emitter-Einspritzeffizienz = Dotierung auf der N-Seite/(Dotierung auf der N-Seite+Dotierung auf der P-Seite)

Emitter-Injektionseffizienz

Gehen Emitter-Einspritzeffizienz = Emitterstrom/(Emitterstrom durch Elektronen+Emitterstrom durch Löcher)

Strom fließt in der Zenerdiode

Gehen Diodenstrom = (Eingangsreferenzspannung-Stabile Ausgangsspannung)/Zener-Widerstand

Spannungs-Frequenz-Umwandlungsfaktor in ICs

Gehen Umrechnungsfaktor von Spannung zu Frequenz in ICs = Ausgangssignalfrequenz/Eingangsspannung

Basistransportfaktor bei gegebener Basisbreite

Gehen Basis-Transportfaktor = 1-(1/2*(Physische Breite/Elektronendiffusionslänge)^2)

Strom fließt in der Zenerdiode Formel

Diodenstrom = (Eingangsreferenzspannung-Stabile Ausgangsspannung)/Zener-Widerstand
I_diode = (U_in-U_out)/R_z

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