Corrente fluindo no diodo Zener Calculadora

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Fabricação de CI bipolar

Fabricação de IC MOS

Gatilho Schmitt

✖Tensão de referência de entrada refere-se a um sinal de tensão usado como referência em circuitos eletrônicos, especialmente em conversores analógico-digitais (ADCs), amplificadores operacionais (amplificadores operacionais).ⓘ Tensão de referência de entrada [U_in]			+10% -10%
✖Tensão de saída estável refere-se a um nível de tensão consistente e imutável produzido por uma fonte de alimentação ou dispositivo eletrônico.ⓘ Tensão de saída estável [U_out]			+10% -10%
✖Resistência Zener refere-se à resistência dinâmica de um diodo Zener quando opera em sua região de ruptura. Os diodos Zener são dispositivos semicondutores projetados para manter uma tensão constante.ⓘ Resistência Zener [R_z]			+10% -10%

✖Corrente de diodo refere-se ao fluxo de portadores de carga elétrica, normalmente elétrons ou lacunas, através do diodo.ⓘ Corrente fluindo no diodo Zener [I_diode]

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Fórmula

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Corrente fluindo no diodo Zener

Fórmula

`"I"_{"diode"} = ("U"_{"in"}-"U"_{"out"})/"R"_{"z"}`

Exemplo

`"0.054326A"=("7V"-"1.5V")/"101.24Ω"`

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Corrente fluindo no diodo Zener Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Corrente de Diodo = (Tensão de referência de entrada-Tensão de saída estável)/Resistência Zener
I_diode = (U_in-U_out)/R_z
Esta fórmula usa 4 Variáveis

Variáveis Usadas

Corrente de Diodo - (Medido em Ampere) - Corrente de diodo refere-se ao fluxo de portadores de carga elétrica, normalmente elétrons ou lacunas, através do diodo.
Tensão de referência de entrada - (Medido em Volt) - Tensão de referência de entrada refere-se a um sinal de tensão usado como referência em circuitos eletrônicos, especialmente em conversores analógico-digitais (ADCs), amplificadores operacionais (amplificadores operacionais).
Tensão de saída estável - (Medido em Volt) - Tensão de saída estável refere-se a um nível de tensão consistente e imutável produzido por uma fonte de alimentação ou dispositivo eletrônico.
Resistência Zener - (Medido em Ohm) - Resistência Zener refere-se à resistência dinâmica de um diodo Zener quando opera em sua região de ruptura. Os diodos Zener são dispositivos semicondutores projetados para manter uma tensão constante.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Tensão de referência de entrada: 7 Volt --> 7 Volt Nenhuma conversão necessária
Tensão de saída estável: 1.5 Volt --> 1.5 Volt Nenhuma conversão necessária
Resistência Zener: 101.24 Ohm --> 101.24 Ohm Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

I_diode = (U_in-U_out)/R_z --> (7-1.5)/101.24

Avaliando ... ...

I_diode = 0.0543263532200711

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

0.0543263532200711 Ampere --> Nenhuma conversão necessária

RESPOSTA FINAL

0.0543263532200711 ≈ 0.054326 Ampere <-- Corrente de Diodo

(Cálculo concluído em 00.020 segundos)

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Créditos

Criado por banuprakash

Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

banuprakash criou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!

Verificado por Santosh Yadav

Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar (DSCE), Banglore

Santosh Yadav verificou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!

< 19 Fabricação de CI bipolar Calculadoras

Resistência do Paralelepípedo Retangular

Vai Resistência = ((Resistividade*Espessura da Camada)/(Largura da camada difusa*Comprimento da camada difusa))*(ln(Largura do retângulo inferior/Comprimento do retângulo inferior)/(Largura do retângulo inferior-Comprimento do retângulo inferior))

Átomos de Impureza por Unidade de Área

Vai Impureza total = Difusão Eficaz*(Área de junção da base do emissor*((Cobrar*Concentração Intrínseca^2)/Corrente do coletor)*exp(Emissor de base de tensão/Tensão Térmica))

Condutividade do Tipo N

Vai Condutividade Ohmica = Cobrar*(Mobilidade de Silício com Dopagem Eletrônica*Concentração de equilíbrio do tipo N+Dopagem de furos Mobilidade de silício*(Concentração Intrínseca^2/Concentração de equilíbrio do tipo N))

Condutividade do tipo P

Vai Condutividade Ohmica = Cobrar*(Mobilidade de Silício com Dopagem Eletrônica*(Concentração Intrínseca^2/Concentração de equilíbrio do tipo P)+Dopagem de furos Mobilidade de silício*Concentração de equilíbrio do tipo P)

Condutividade ôhmica da impureza

Vai Condutividade Ohmica = Cobrar*(Mobilidade de Silício com Dopagem Eletrônica*Concentração de Elétrons+Dopagem de furos Mobilidade de silício*Concentração de Buraco)

Capacitância da fonte da porta dada a capacitância de sobreposição

Vai Capacitância da Fonte da Porta = (2/3*Largura do transistor*Comprimento do transistor*Capacitância de Óxido)+(Largura do transistor*Capacitância de sobreposição)

Corrente de Coletor do Transistor PNP

Vai Corrente do coletor = (Cobrar*Área de junção da base do emissor*Concentração de equilíbrio do tipo N*Constante de difusão para PNP)/Largura básica

Corrente de saturação no transistor

Vai Corrente de saturação = (Cobrar*Área de junção da base do emissor*Difusão Eficaz*Concentração Intrínseca^2)/Impureza total

Consumo de energia de carga capacitiva dada a tensão de alimentação

Vai Consumo de energia de carga capacitiva = Capacitância de Carga*Tensão de alimentação^2*Frequência do sinal de saída*Número total de comutação de saídas

Resistência da Folha da Camada

Vai Resistência da folha = 1/(Cobrar*Mobilidade de Silício com Dopagem Eletrônica*Concentração de equilíbrio do tipo N*Espessura da Camada)

Resistência da Camada Difusa

Vai Resistência = (1/Condutividade Ohmica)*(Comprimento da camada difusa/(Largura da camada difusa*Espessura da Camada))

Buraco de densidade atual

Vai Densidade atual do furo = Cobrar*Constante de difusão para PNP*(Concentração de Equilíbrio do Buraco/Largura básica)

Impureza com Concentração Intrínseca

Vai Concentração Intrínseca = sqrt((Concentração de Elétrons*Concentração de Buraco)/Impureza de temperatura)

Eficiência de injeção de emissor

Vai Eficiência de injeção de emissor = Corrente do Emissor/(Corrente do emissor devido aos elétrons+Corrente do Emissor devido a Buracos)

Tensão de ruptura do emissor coletor

Vai Tensão de ruptura do emissor do coletor = Tensão de ruptura da base do coletor/(Ganho atual do BJT)^(1/Número raiz)

Corrente fluindo no diodo Zener

Vai Corrente de Diodo = (Tensão de referência de entrada-Tensão de saída estável)/Resistência Zener

Eficiência de injeção de emissor dadas constantes de dopagem

Vai Eficiência de injeção de emissor = Doping no lado N/(Doping no lado N+Doping no lado P)

Fator de conversão de tensão em frequência em CIs

Vai Fator de conversão de tensão em frequência em CIs = Frequência do sinal de saída/Tensão de entrada

Fator de transporte base dada a largura base

Vai Fator de Transporte Básico = 1-(1/2*(Largura Física/Comprimento de difusão eletrônica)^2)

Corrente fluindo no diodo Zener Fórmula

Corrente de Diodo = (Tensão de referência de entrada-Tensão de saída estável)/Resistência Zener
I_diode = (U_in-U_out)/R_z

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