Stroom vloeit in zenerdiode Rekenmachine

↳

Elektronica

Chemische technologie

Civiel

Elektrisch

Elektronica en instrumentatie

Materiaal kunde

Mechanisch

Productie Engineering

⤿

Bipolaire IC-fabricage

MOS IC-fabricage

Schmitt trigger

✖Ingangsreferentiespanning verwijst naar een spanningssignaal dat wordt gebruikt als referentie in elektronische circuits, vooral in analoog-digitaalomzetters (ADC's), operationele versterkers (op-amps).ⓘ Ingangsreferentiespanning [U_in]			+10% -10%
✖Stabiele uitgangsspanning verwijst naar een consistent en onveranderlijk spanningsniveau dat wordt geproduceerd door een voeding of elektronisch apparaat.ⓘ Stabiele uitgangsspanning [U_out]			+10% -10%
✖Zenerweerstand verwijst naar de dynamische weerstand van een zenerdiode wanneer deze in zijn doorslaggebied werkt. Zenerdiodes zijn halfgeleiderapparaten die zijn ontworpen om een constante spanning te handhaven.ⓘ Zener-weerstand [R_z]			+10% -10%

✖Diodestroom verwijst naar de stroom van elektrische ladingsdragers, meestal elektronen of gaten, door de diode.ⓘ Stroom vloeit in zenerdiode [I_diode]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Stroom vloeit in zenerdiode

Formule

`"I"_{"diode"} = ("U"_{"in"}-"U"_{"out"})/"R"_{"z"}`

Voorbeeld

`"0.054326A"=("7V"-"1.5V")/"101.24Ω"`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Elektronica Formule Pdf PDF Image

Stroom vloeit in zenerdiode Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Diodestroom = (Ingangsreferentiespanning-Stabiele uitgangsspanning)/Zener-weerstand
I_diode = (U_in-U_out)/R_z
Deze formule gebruikt 4 Variabelen

Variabelen gebruikt

Diodestroom - (Gemeten in Ampère) - Diodestroom verwijst naar de stroom van elektrische ladingsdragers, meestal elektronen of gaten, door de diode.
Ingangsreferentiespanning - (Gemeten in Volt) - Ingangsreferentiespanning verwijst naar een spanningssignaal dat wordt gebruikt als referentie in elektronische circuits, vooral in analoog-digitaalomzetters (ADC's), operationele versterkers (op-amps).
Stabiele uitgangsspanning - (Gemeten in Volt) - Stabiele uitgangsspanning verwijst naar een consistent en onveranderlijk spanningsniveau dat wordt geproduceerd door een voeding of elektronisch apparaat.
Zener-weerstand - (Gemeten in Ohm) - Zenerweerstand verwijst naar de dynamische weerstand van een zenerdiode wanneer deze in zijn doorslaggebied werkt. Zenerdiodes zijn halfgeleiderapparaten die zijn ontworpen om een constante spanning te handhaven.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Ingangsreferentiespanning: 7 Volt --> 7 Volt Geen conversie vereist
Stabiele uitgangsspanning: 1.5 Volt --> 1.5 Volt Geen conversie vereist
Zener-weerstand: 101.24 Ohm --> 101.24 Ohm Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

I_diode = (U_in-U_out)/R_z --> (7-1.5)/101.24

Evalueren ... ...

I_diode = 0.0543263532200711

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

0.0543263532200711 Ampère --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

0.0543263532200711 ≈ 0.054326 Ampère <-- Diodestroom

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » Geïntegreerde schakelingen (IC) » Bipolaire IC-fabricage » Stroom vloeit in zenerdiode

Credits

Gemaakt door banuprakash

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Bangalore

banuprakash heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 50+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Santhosh Yadav

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 50+ rekenmachines!

< 19 Bipolaire IC-fabricage Rekenmachines

Weerstand van rechthoekig parallellepipedum

Gaan Weerstand = ((Weerstand*Dikte van de laag)/(Breedte van verspreide laag*Lengte van de verspreide laag))*(ln(Breedte van de onderste rechthoek/Lengte van de onderste rechthoek)/(Breedte van de onderste rechthoek-Lengte van de onderste rechthoek))

Onzuiverheidsatomen per oppervlakte-eenheid

Gaan Totale onzuiverheid = Effectieve verspreiding*(Zenderbasisverbindingsgebied*((Aanval*Intrinsieke concentratie^2)/Collectorstroom)*exp(Spanningsbasis-emitter/Thermische spanning))

Geleidbaarheid van P-type

Gaan Ohmse geleidbaarheid = Aanval*(Elektronendoping Siliciummobiliteit*(Intrinsieke concentratie^2/Evenwichtsconcentratie van het P-type)+Hole Doping Siliciummobiliteit*Evenwichtsconcentratie van het P-type)

Geleidbaarheid van N-type

Gaan Ohmse geleidbaarheid = Aanval*(Elektronendoping Siliciummobiliteit*Evenwichtsconcentratie van N-type+Hole Doping Siliciummobiliteit*(Intrinsieke concentratie^2/Evenwichtsconcentratie van N-type))

Ohmse geleidbaarheid van onzuiverheid

Gaan Ohmse geleidbaarheid = Aanval*(Elektronendoping Siliciummobiliteit*Elektronenconcentratie+Hole Doping Siliciummobiliteit*Gatenconcentratie)

Collectorstroom van PNP-transistor

Gaan Collectorstroom = (Aanval*Zenderbasisverbindingsgebied*Evenwichtsconcentratie van N-type*Diffusieconstante voor PNP)/Basisbreedte

Verzadigingsstroom in transistor

Gaan Verzadigingsstroom = (Aanval*Zenderbasisverbindingsgebied*Effectieve verspreiding*Intrinsieke concentratie^2)/Totale onzuiverheid

Poortbroncapaciteit Gegeven overlapcapaciteit

Gaan Gate-broncapaciteit = (2/3*Transistorbreedte*Lengte van de transistor*Oxidecapaciteit)+(Transistorbreedte*Overlapcapaciteit)

Stroomverbruik capacitieve belasting gegeven voedingsspanning

Gaan Stroomverbruik capacitieve belasting = Belastingscapaciteit*Voedingsspanning^2*Uitgangssignaalfrequentie*Totaal aantal uitgangen schakelen

Weerstand van verspreide laag

Gaan Weerstand = (1/Ohmse geleidbaarheid)*(Lengte van de verspreide laag/(Breedte van verspreide laag*Dikte van de laag))

Velweerstand van laag

Gaan Bladweerstand = 1/(Aanval*Elektronendoping Siliciummobiliteit*Evenwichtsconcentratie van N-type*Dikte van de laag)

Onzuiverheid met intrinsieke concentratie

Gaan Intrinsieke concentratie = sqrt((Elektronenconcentratie*Gatenconcentratie)/Temperatuuronzuiverheid)

Gat met huidige dichtheid

Gaan Gatenstroomdichtheid = Aanval*Diffusieconstante voor PNP*(Gatenevenwichtsconcentratie/Basisbreedte)

Doorbraakspanning van collector-emitter

Gaan Collector-emitter doorbraakspanning = Collectorbasis doorbraakspanning/(Huidige winst van BJT)^(1/Wortelnummer)

Efficiëntie van de emitterinjectie

Gaan Efficiëntie van de emitterinjectie = Zenderstroom/(Emitterstroom door elektronen+Emitterstroom door gaten)

Efficiëntie van de emitterinjectie gegeven dopingconstanten

Gaan Efficiëntie van de emitterinjectie = Doping aan de N-kant/(Doping aan de N-kant+Doping aan de P-kant)

Stroom vloeit in zenerdiode

Gaan Diodestroom = (Ingangsreferentiespanning-Stabiele uitgangsspanning)/Zener-weerstand

Conversiefactor spanning naar frequentie in IC's

Gaan Conversiefactor spanning naar frequentie in IC's = Uitgangssignaalfrequentie/Ingangsspanning

Basistransportfactor gegeven basisbreedte

Gaan Basistransportfactor = 1-(1/2*(Fysieke breedte/Lengte van elektronendiffusie)^2)

Stroom vloeit in zenerdiode Formule

Diodestroom = (Ingangsreferentiespanning-Stabiele uitgangsspanning)/Zener-weerstand
I_diode = (U_in-U_out)/R_z

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!