Prąd płynący w diodzie Zenera Kalkulator

↳

Elektronika

Cywilny

Elektronika i oprzyrządowanie

Elektryczny

Inżynieria chemiczna

Inżynieria materiałowa

Inżynieria produkcji

Mechaniczny

⤿

Produkcja bipolarnych układów scalonych

Produkcja układów scalonych MOS

Wyzwalacz Schmitta

✖Wejściowe napięcie odniesienia odnosi się do sygnału napięcia używanego jako odniesienie w obwodach elektronicznych, szczególnie w przetwornikach analogowo-cyfrowych (ADC) i wzmacniaczach operacyjnych (wzmacniaczach operacyjnych).ⓘ Wejściowe napięcie odniesienia [U_in]			+10% -10%
✖Stabilne napięcie wyjściowe odnosi się do stałego i niezmiennego poziomu napięcia wytwarzanego przez zasilacz lub urządzenie elektroniczne.ⓘ Stabilne napięcie wyjściowe [U_out]			+10% -10%
✖Rezystancja Zenera odnosi się do dynamicznej rezystancji diody Zenera, gdy działa ona w obszarze przebicia. Diody Zenera to urządzenia półprzewodnikowe zaprojektowane w celu utrzymania stałego napięcia.ⓘ Opór Zenera [R_z]			+10% -10%

✖Prąd diody odnosi się do przepływu nośników ładunku elektrycznego, zazwyczaj elektronów lub dziur, przez diodę.ⓘ Prąd płynący w diodzie Zenera [I_diode]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Prąd płynący w diodzie Zenera

Formuła

`"I"_{"diode"} = ("U"_{"in"}-"U"_{"out"})/"R"_{"z"}`

Przykład

`"0.054326A"=("7V"-"1.5V")/"101.24Ω"`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Elektronika Formułę PDF PDF Image

Prąd płynący w diodzie Zenera Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Prąd diody = (Wejściowe napięcie odniesienia-Stabilne napięcie wyjściowe)/Opór Zenera
I_diode = (U_in-U_out)/R_z
Ta formuła używa 4 Zmienne

Używane zmienne

Prąd diody - (Mierzone w Amper) - Prąd diody odnosi się do przepływu nośników ładunku elektrycznego, zazwyczaj elektronów lub dziur, przez diodę.
Wejściowe napięcie odniesienia - (Mierzone w Wolt) - Wejściowe napięcie odniesienia odnosi się do sygnału napięcia używanego jako odniesienie w obwodach elektronicznych, szczególnie w przetwornikach analogowo-cyfrowych (ADC) i wzmacniaczach operacyjnych (wzmacniaczach operacyjnych).
Stabilne napięcie wyjściowe - (Mierzone w Wolt) - Stabilne napięcie wyjściowe odnosi się do stałego i niezmiennego poziomu napięcia wytwarzanego przez zasilacz lub urządzenie elektroniczne.
Opór Zenera - (Mierzone w Om) - Rezystancja Zenera odnosi się do dynamicznej rezystancji diody Zenera, gdy działa ona w obszarze przebicia. Diody Zenera to urządzenia półprzewodnikowe zaprojektowane w celu utrzymania stałego napięcia.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Wejściowe napięcie odniesienia: 7 Wolt --> 7 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Stabilne napięcie wyjściowe: 1.5 Wolt --> 1.5 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Opór Zenera: 101.24 Om --> 101.24 Om Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

I_diode = (U_in-U_out)/R_z --> (7-1.5)/101.24

Ocenianie ... ...

I_diode = 0.0543263532200711

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

0.0543263532200711 Amper --> Nie jest wymagana konwersja

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

0.0543263532200711 ≈ 0.054326 Amper <-- Prąd diody

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » Układy scalone (IC) » Produkcja bipolarnych układów scalonych » Prąd płynący w diodzie Zenera

Kredyty

Stworzone przez banuprakasz

Szkoła Inżynierska Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

banuprakasz utworzył ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Santhosh Yadav

Szkoła Inżynierska Dayananda Sagar (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav zweryfikował ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!

< 19 Produkcja bipolarnych układów scalonych Kalkulatory

Opór równoległościanu prostokątnego

Iść Opór = ((Oporność*Grubość warstwy)/(Szerokość rozproszonej warstwy*Długość warstwy rozproszonej))*(ln(Szerokość dolnego prostokąta/Długość dolnego prostokąta)/(Szerokość dolnego prostokąta-Długość dolnego prostokąta))

Atomy zanieczyszczeń na jednostkę powierzchni

Iść Całkowita nieczystość = Efektywna dyfuzja*(Obszar połączenia podstawy emitera*((Opłata*Wewnętrzna koncentracja^2)/Prąd kolektora)*exp(Emiter podstawy napięcia/Napięcie termiczne))

Przewodność typu N

Iść Przewodność omowa = Opłata*(Mobilność krzemu z domieszką elektronów*Stężenie równowagowe typu N+Hole Doping Mobilność krzemu*(Wewnętrzna koncentracja^2/Stężenie równowagowe typu N))

Przewodność typu P

Iść Przewodność omowa = Opłata*(Mobilność krzemu z domieszką elektronów*(Wewnętrzna koncentracja^2/Stężenie równowagowe typu P)+Hole Doping Mobilność krzemu*Stężenie równowagowe typu P)

Pojemność źródła bramki Biorąc pod uwagę pojemność nakładania się

Iść Pojemność źródła bramki = (2/3*Szerokość tranzystora*Długość tranzystora*Pojemność tlenkowa)+(Szerokość tranzystora*Pojemność nakładania)

Przewodność omowa zanieczyszczeń

Iść Przewodność omowa = Opłata*(Mobilność krzemu z domieszką elektronów*Stężenie elektronów+Hole Doping Mobilność krzemu*Zagęszczenie dziur)

Prąd kolektora tranzystora PNP

Iść Prąd kolektora = (Opłata*Obszar połączenia podstawy emitera*Stężenie równowagowe typu N*Stała dyfuzji dla PNP)/Szerokość podstawy

Prąd nasycenia w tranzystorze

Iść Prąd nasycenia = (Opłata*Obszar połączenia podstawy emitera*Efektywna dyfuzja*Wewnętrzna koncentracja^2)/Całkowita nieczystość

Pobór mocy obciążenia pojemnościowego przy danym napięciu zasilania

Iść Pobór mocy obciążenia pojemnościowego = Pojemność obciążenia*Napięcie zasilania^2*Częstotliwość sygnału wyjściowego*Całkowita liczba przełączanych wyjść

Opór arkusza warstwy

Iść Odporność arkusza = 1/(Opłata*Mobilność krzemu z domieszką elektronów*Stężenie równowagowe typu N*Grubość warstwy)

Opór warstwy rozproszonej

Iść Opór = (1/Przewodność omowa)*(Długość warstwy rozproszonej/(Szerokość rozproszonej warstwy*Grubość warstwy))

Zanieczyszczenie o wewnętrznym stężeniu

Iść Wewnętrzna koncentracja = sqrt((Stężenie elektronów*Zagęszczenie dziur)/Zanieczyszczenie temperaturowe)

Dziura gęstości prądu

Iść Gęstość prądu otworu = Opłata*Stała dyfuzji dla PNP*(Stężenie równowagi w otworze/Szerokość podstawy)

Napięcie przebicia emitera kolektora

Iść Napięcie przebicia emitera kolektora = Napięcie przebicia podstawy kolektora/(Obecny zysk BJT)^(1/Numer główny)

Wydajność wtrysku emitera

Iść Wydajność wtrysku emitera = Prąd emitera/(Prąd emitera powodowany przez elektrony+Prąd emitera z powodu dziur)

Współczynnik konwersji napięcia na częstotliwość w układach scalonych

Iść Współczynnik konwersji napięcia na częstotliwość w układach scalonych = Częstotliwość sygnału wyjściowego/Napięcie wejściowe

Wydajność wtrysku emitera przy danych stałych domieszkowania

Iść Wydajność wtrysku emitera = Doping po stronie N/(Doping po stronie N+Doping po stronie P)

Prąd płynący w diodzie Zenera

Iść Prąd diody = (Wejściowe napięcie odniesienia-Stabilne napięcie wyjściowe)/Opór Zenera

Podstawowy współczynnik transportu przy danej szerokości podstawowej

Iść Podstawowy współczynnik transportu = 1-(1/2*(Szerokość fizyczna/Długość dyfuzji elektronów)^2)

Prąd płynący w diodzie Zenera Formułę

Prąd diody = (Wejściowe napięcie odniesienia-Stabilne napięcie wyjściowe)/Opór Zenera
I_diode = (U_in-U_out)/R_z

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!