Calcolatrice da A a Z
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✖
La tensione di riferimento in ingresso si riferisce a un segnale di tensione utilizzato come riferimento nei circuiti elettronici, in particolare nei convertitori analogico-digitali (ADC) e negli amplificatori operazionali (amplificatori operazionali).
ⓘ
Tensione di riferimento in ingresso [U
in
]
Abvolt
Attovolt
Centivolt
Decivolo
Decavolt
EMU di potenziale elettrico
ESU di potenziale elettrico
Femtovolt
Gigavolt
Ettovolt
kilovolt
Megavolt
Microvolt
Millvolt
Nanovolt
Petavolt
Picovolt
Planck di tensione
statvolt
Teravot
Volt
Watt/Ampere
Yoctovolt
Zeptovolt
+10%
-10%
✖
La tensione di uscita stabile si riferisce a un livello di tensione costante e immutabile prodotto da un alimentatore o un dispositivo elettronico.
ⓘ
Tensione di uscita stabile [U
out
]
Abvolt
Attovolt
Centivolt
Decivolo
Decavolt
EMU di potenziale elettrico
ESU di potenziale elettrico
Femtovolt
Gigavolt
Ettovolt
kilovolt
Megavolt
Microvolt
Millvolt
Nanovolt
Petavolt
Picovolt
Planck di tensione
statvolt
Teravot
Volt
Watt/Ampere
Yoctovolt
Zeptovolt
+10%
-10%
✖
La resistenza Zener si riferisce alla resistenza dinamica di un diodo Zener quando opera nella sua regione di guasto. I diodi Zener sono dispositivi a semiconduttore progettati per mantenere una tensione costante.
ⓘ
Resistenza Zener [R
z
]
Abohm
EMU della Resistenza
ESU della Resistenza
Exaohm
Gigaohm
Kilohm
Megahm
Microhm
Milliohm
Nanohm
Ohm
Petaohm
Planck impedenza
Quantizzato resistenza di Hall
Siemens reciproca
Statohm
Volt per Ampere
Yottaohm
Zettaohm
+10%
-10%
✖
La corrente del diodo si riferisce al flusso di portatori di carica elettrica, tipicamente elettroni o lacune, attraverso il diodo.
ⓘ
Corrente che scorre nel diodo Zener [I
diode
]
Abampere
Ampere
Attoampere
Biot
Centiampere
CGS EM
Unità CGS ES
Deciampere
Dekaampère
EMU di Current
ESU di Current
Exaampere
Femtoampere
Gigaampere
Gilbert
Ettoampere
Kiloampere
Megaampere
microampere
Millampere
Nanoampere
Petaampere
Picoampere
Statampere
Teraampere
Yoctoampere
Yottaampere
Zeptoampere
Zettaampere
⎘ Copia
Passi
👎
Formula
✖
Corrente che scorre nel diodo Zener
Formula
`"I"_{"diode"} = ("U"_{"in"}-"U"_{"out"})/"R"_{"z"}`
Esempio
`"0.054326A"=("7V"-"1.5V")/"101.24Ω"`
Calcolatrice
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Scaricamento Elettronica Formula PDF
Corrente che scorre nel diodo Zener Soluzione
FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Corrente del diodo
= (
Tensione di riferimento in ingresso
-
Tensione di uscita stabile
)/
Resistenza Zener
I
diode
= (
U
in
-
U
out
)/
R
z
Questa formula utilizza
4
Variabili
Variabili utilizzate
Corrente del diodo
-
(Misurato in Ampere)
- La corrente del diodo si riferisce al flusso di portatori di carica elettrica, tipicamente elettroni o lacune, attraverso il diodo.
Tensione di riferimento in ingresso
-
(Misurato in Volt)
- La tensione di riferimento in ingresso si riferisce a un segnale di tensione utilizzato come riferimento nei circuiti elettronici, in particolare nei convertitori analogico-digitali (ADC) e negli amplificatori operazionali (amplificatori operazionali).
Tensione di uscita stabile
-
(Misurato in Volt)
- La tensione di uscita stabile si riferisce a un livello di tensione costante e immutabile prodotto da un alimentatore o un dispositivo elettronico.
Resistenza Zener
-
(Misurato in Ohm)
- La resistenza Zener si riferisce alla resistenza dinamica di un diodo Zener quando opera nella sua regione di guasto. I diodi Zener sono dispositivi a semiconduttore progettati per mantenere una tensione costante.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Tensione di riferimento in ingresso:
7 Volt --> 7 Volt Nessuna conversione richiesta
Tensione di uscita stabile:
1.5 Volt --> 1.5 Volt Nessuna conversione richiesta
Resistenza Zener:
101.24 Ohm --> 101.24 Ohm Nessuna conversione richiesta
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
I
diode
= (U
in
-U
out
)/R
z
-->
(7-1.5)/101.24
Valutare ... ...
I
diode
= 0.0543263532200711
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
0.0543263532200711 Ampere --> Nessuna conversione richiesta
RISPOSTA FINALE
0.0543263532200711
≈
0.054326 Ampere
<--
Corrente del diodo
(Calcolo completato in 00.004 secondi)
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Corrente che scorre nel diodo Zener
Titoli di coda
Creato da
banuprakash
Dayananda Sagar College di Ingegneria
(DSCE)
,
Bangalore
banuprakash ha creato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!
Verificato da
Santhosh Yadav
Dayananda Sagar College of Engineering
(DSCE)
,
Banglore
Santhosh Yadav ha verificato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!
<
19 Fabbricazione di circuiti integrati bipolari Calcolatrici
Resistenza del parallelepipedo rettangolare
Partire
Resistenza
= ((
Resistività
*
Spessore dello strato
)/(
Larghezza dello strato diffuso
*
Lunghezza dello strato diffuso
))*(
ln
(
Larghezza del rettangolo inferiore
/
Lunghezza del rettangolo inferiore
)/(
Larghezza del rettangolo inferiore
-
Lunghezza del rettangolo inferiore
))
Atomi di impurità per unità di area
Partire
Impurità totale
=
Diffusione efficace
*(
Area di giunzione della base dell'emettitore
*((
Carica
*
Concentrazione intrinseca
^2)/
Corrente del collettore
)*
exp
(
Emettitore di base di tensione
/
Tensione termica
))
Conduttività di tipo P
Partire
Conduttività ohmica
=
Carica
*(
Mobilità del silicio con drogaggio elettronico
*(
Concentrazione intrinseca
^2/
Concentrazione di equilibrio del tipo P
)+
Mobilità del silicio drogato con fori
*
Concentrazione di equilibrio del tipo P
)
Conduttività di tipo N
Partire
Conduttività ohmica
=
Carica
*(
Mobilità del silicio con drogaggio elettronico
*
Concentrazione di equilibrio di tipo N
+
Mobilità del silicio drogato con fori
*(
Concentrazione intrinseca
^2/
Concentrazione di equilibrio di tipo N
))
Corrente di collettore del transistor PNP
Partire
Corrente del collettore
= (
Carica
*
Area di giunzione della base dell'emettitore
*
Concentrazione di equilibrio di tipo N
*
Costante di diffusione per PNP
)/
Larghezza della base
Conduttività ohmica delle impurità
Partire
Conduttività ohmica
=
Carica
*(
Mobilità del silicio con drogaggio elettronico
*
Concentrazione di elettroni
+
Mobilità del silicio drogato con fori
*
Concentrazione dei fori
)
Capacità della sorgente di gate data la capacità di sovrapposizione
Partire
Capacità della sorgente di gate
= (2/3*
Larghezza del transistor
*
Lunghezza del transistor
*
Capacità dell'ossido
)+(
Larghezza del transistor
*
Capacità di sovrapposizione
)
Corrente di saturazione nel transistor
Partire
Corrente di saturazione
= (
Carica
*
Area di giunzione della base dell'emettitore
*
Diffusione efficace
*
Concentrazione intrinseca
^2)/
Impurità totale
Consumo energetico del carico capacitivo in base alla tensione di alimentazione
Partire
Consumo energetico del carico capacitivo
=
Capacità di carico
*
Tensione di alimentazione
^2*
Frequenza del segnale di uscita
*
Numero totale di uscite commutate
Resistenza del foglio dello strato
Partire
Resistenza del foglio
= 1/(
Carica
*
Mobilità del silicio con drogaggio elettronico
*
Concentrazione di equilibrio di tipo N
*
Spessore dello strato
)
Buco di densità di corrente
Partire
Densità di corrente del foro
=
Carica
*
Costante di diffusione per PNP
*(
Concentrazione di equilibrio dei fori
/
Larghezza della base
)
Efficienza di iniezione dell'emettitore
Partire
Efficienza dell'iniezione dell'emettitore
=
Corrente dell'emettitore
/(
Corrente di emettitore dovuta agli elettroni
+
Corrente dell'emettitore dovuta ai fori
)
Resistenza dello strato diffuso
Partire
Resistenza
= (1/
Conduttività ohmica
)*(
Lunghezza dello strato diffuso
/(
Larghezza dello strato diffuso
*
Spessore dello strato
))
Tensione di breakout dell'emettitore del collettore
Partire
Tensione di breakout dell'emettitore del collettore
=
Tensione di interruzione della base del collettore
/(
Guadagno attuale di BJT
)^(1/
Numero di radice
)
Impurezza con concentrazione intrinseca
Partire
Concentrazione intrinseca
=
sqrt
((
Concentrazione di elettroni
*
Concentrazione dei fori
)/
Impurità della temperatura
)
Corrente che scorre nel diodo Zener
Partire
Corrente del diodo
= (
Tensione di riferimento in ingresso
-
Tensione di uscita stabile
)/
Resistenza Zener
Efficienza di iniezione dell'emettitore date le costanti di drogaggio
Partire
Efficienza dell'iniezione dell'emettitore
=
Doping sul lato N
/(
Doping sul lato N
+
Doping sul lato P
)
Fattore di conversione da tensione a frequenza nei circuiti integrati
Partire
Fattore di conversione da tensione a frequenza nei circuiti integrati
=
Frequenza del segnale di uscita
/
Tensione di ingresso
Fattore di trasporto della base data la larghezza della base
Partire
Fattore di trasporto di base
= 1-(1/2*(
Larghezza fisica
/
Lunghezza di diffusione degli elettroni
)^2)
Corrente che scorre nel diodo Zener Formula
Corrente del diodo
= (
Tensione di riferimento in ingresso
-
Tensione di uscita stabile
)/
Resistenza Zener
I
diode
= (
U
in
-
U
out
)/
R
z
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