Ток, текущий в стабилитроне Калькулятор

✖Входное опорное напряжение — это сигнал напряжения, используемый в качестве опорного в электронных схемах, особенно в аналого-цифровых преобразователях (АЦП), операционных усилителях (ОУ).ⓘ Входное опорное напряжение [U_in]			+10% -10%
✖Стабильное выходное напряжение означает постоянный и неизменный уровень напряжения, создаваемый источником питания или электронным устройством.ⓘ Стабильное выходное напряжение [U_out]			+10% -10%
✖Сопротивление стабилитрона относится к динамическому сопротивлению стабилитрона, когда он работает в области пробоя. Стабилитроны — это полупроводниковые приборы, предназначенные для поддержания постоянного напряжения.ⓘ Сопротивление Зенера [R_z]			+10% -10%

✖Ток диода относится к потоку носителей электрического заряда, обычно электронов или дырок, через диод.ⓘ Ток, текущий в стабилитроне [I_diode]

⎘ копия

👎

Формула

✖

Ток, текущий в стабилитроне

Формула

`"I"_{"diode"} = ("U"_{"in"}-"U"_{"out"})/"R"_{"z"}`

Пример

`"0.054326A"=("7V"-"1.5V")/"101.24Ω"`

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать Электроника формула PDF PDF Image

Ток, текущий в стабилитроне Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Ток диода = (Входное опорное напряжение-Стабильное выходное напряжение)/Сопротивление Зенера
I_diode = (U_in-U_out)/R_z
В этой формуле используются 4 Переменные

Используемые переменные

Ток диода - (Измеряется в Ампер) - Ток диода относится к потоку носителей электрического заряда, обычно электронов или дырок, через диод.
Входное опорное напряжение - (Измеряется в вольт) - Входное опорное напряжение — это сигнал напряжения, используемый в качестве опорного в электронных схемах, особенно в аналого-цифровых преобразователях (АЦП), операционных усилителях (ОУ).
Стабильное выходное напряжение - (Измеряется в вольт) - Стабильное выходное напряжение означает постоянный и неизменный уровень напряжения, создаваемый источником питания или электронным устройством.
Сопротивление Зенера - (Измеряется в ом) - Сопротивление стабилитрона относится к динамическому сопротивлению стабилитрона, когда он работает в области пробоя. Стабилитроны — это полупроводниковые приборы, предназначенные для поддержания постоянного напряжения.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Входное опорное напряжение: 7 вольт --> 7 вольт Конверсия не требуется
Стабильное выходное напряжение: 1.5 вольт --> 1.5 вольт Конверсия не требуется
Сопротивление Зенера: 101.24 ом --> 101.24 ом Конверсия не требуется

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

I_diode = (U_in-U_out)/R_z --> (7-1.5)/101.24

Оценка ... ...

I_diode = 0.0543263532200711

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

0.0543263532200711 Ампер --> Конверсия не требуется

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

0.0543263532200711 ≈ 0.054326 Ампер <-- Ток диода

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » Интегральные схемы (ИС) » Изготовление биполярных ИС » Ток, текущий в стабилитроне

Кредиты

Сделано банупракаш

Инженерный колледж Даянанда Сагар (ДСКЭ), Бангалор

банупракаш создал этот калькулятор и еще 50+!

Проверено Сантош Ядав

Инженерный колледж Даянанды Сагара (ДСКЭ), Банглор

Сантош Ядав проверил этот калькулятор и еще 50+!

< 19 Изготовление биполярных ИС Калькуляторы

Сопротивление прямоугольного параллелепипеда

Идти Сопротивление = ((Удельное сопротивление*Толщина слоя)/(Ширина диффузного слоя*Длина диффузного слоя))*(ln(Ширина нижнего прямоугольника/Длина нижнего прямоугольника)/(Ширина нижнего прямоугольника-Длина нижнего прямоугольника))

Атомы примеси на единицу площади

Идти Общая примесь = Эффективное распространение*(Зона базового соединения эмиттера*((Заряжать*Внутренняя концентрация^2)/Коллекторный ток)*exp(Базовый эмиттер напряжения/Тепловое напряжение))

Проводимость N-типа

Идти Омическая проводимость = Заряжать*(Электронно-легированная подвижность кремния*Равновесная концентрация N-типа+Подвижность кремния, легированного дырками*(Внутренняя концентрация^2/Равновесная концентрация N-типа))

Проводимость P-типа

Идти Омическая проводимость = Заряжать*(Электронно-легированная подвижность кремния*(Внутренняя концентрация^2/Равновесная концентрация P-типа)+Подвижность кремния, легированного дырками*Равновесная концентрация P-типа)

Омическая проводимость примесей

Идти Омическая проводимость = Заряжать*(Электронно-легированная подвижность кремния*Электронная концентрация+Подвижность кремния, легированного дырками*Концентрация дырок)

Коллекторный ток PNP-транзистора

Идти Коллекторный ток = (Заряжать*Зона базового соединения эмиттера*Равновесная концентрация N-типа*Константа диффузии для PNP)/Базовая ширина

Ток насыщения в транзисторе

Идти Ток насыщения = (Заряжать*Зона базового соединения эмиттера*Эффективное распространение*Внутренняя концентрация^2)/Общая примесь

Емкость источника затвора с учетом емкости перекрытия

Идти Емкость источника затвора = (2/3*Ширина транзистора*Длина транзистора*Оксидная емкость)+(Ширина транзистора*Емкость перекрытия)

Потребляемая мощность емкостной нагрузки при заданном напряжении питания

Идти Потребляемая мощность емкостной нагрузки = Емкость нагрузки*Напряжение питания^2*Частота выходного сигнала*Общее количество переключаемых выходов

Листовое сопротивление слоя

Идти Листовое сопротивление = 1/(Заряжать*Электронно-легированная подвижность кремния*Равновесная концентрация N-типа*Толщина слоя)

Плотность тока Отверстие

Идти Плотность тока отверстия = Заряжать*Константа диффузии для PNP*(Равновесная концентрация дырок/Базовая ширина)

Сопротивление диффузного слоя

Идти Сопротивление = (1/Омическая проводимость)*(Длина диффузного слоя/(Ширина диффузного слоя*Толщина слоя))

Примеси с собственной концентрацией

Идти Внутренняя концентрация = sqrt((Электронная концентрация*Концентрация дырок)/Температурная примесь)

Эффективность впрыска эмиттера

Идти Эффективность ввода эмиттера = Ток эмиттера/(Эмиттерный ток, обусловленный электронами+Ток эмиттера из-за отверстий)

Напряжение пробоя коллектора-эмиттера

Идти Напряжение пробоя коллектор-эмиттер = Напряжение пробоя базы коллектора/(Текущий прирост BJT)^(1/Корневой номер)

Эффективность впрыска эмиттера с учетом констант легирования

Идти Эффективность ввода эмиттера = Допинг на N-стороне/(Допинг на N-стороне+Допинг на стороне P)

Ток, текущий в стабилитроне

Идти Ток диода = (Входное опорное напряжение-Стабильное выходное напряжение)/Сопротивление Зенера

Коэффициент преобразования напряжения в частоту в микросхемах

Идти Коэффициент преобразования напряжения в частоту в микросхемах = Частота выходного сигнала/Входное напряжение

Базовый транспортный коэффициент с учетом базовой ширины

Идти Базовый транспортный фактор = 1-(1/2*(Физическая ширина/Диффузионная длина электронов)^2)

Ток, текущий в стабилитроне формула

Ток диода = (Входное опорное напряжение-Стабильное выходное напряжение)/Сопротивление Зенера
I_diode = (U_in-U_out)/R_z

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!