Calculadora Ancho de puerta a canal de origen de MOSFET

✖La capacitancia de superposición se refiere a la capacitancia que surge entre dos regiones conductoras muy próximas entre sí, pero no conectadas directamente.ⓘ Capacitancia de superposición [C_oc]			+10% -10%
✖La capacitancia de óxido es un parámetro importante que afecta el rendimiento de los dispositivos MOS, como la velocidad y el consumo de energía de los circuitos integrados.ⓘ Capacitancia de óxido [C_ox]			+10% -10%
✖La longitud de superposición es la distancia promedio que los portadores sobrantes pueden cubrir antes de recombinarse.ⓘ Longitud de superposición [L_ov]			+10% -10%

✖El ancho del canal se refiere al rango de frecuencias utilizadas para transmitir datos a través de un canal de comunicación inalámbrica. También se le conoce como ancho de banda y se mide en hercios (Hz).ⓘ Ancho de puerta a canal de origen de MOSFET [W_c]

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Fórmula

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Ancho de puerta a canal de origen de MOSFET

Fórmula

`"W"_{"c"} = "C"_{"oc"}/("C"_{"ox"}*"L"_{"ov"})`

Ejemplo

`"9.957028μm"="3.8e-7μF"/("940μF"*"40.6μm")`

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Ancho de puerta a canal de origen de MOSFET Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Ancho de banda = Capacitancia de superposición/(Capacitancia de óxido*Longitud de superposición)
W_c = C_oc/(C_ox*L_ov)
Esta fórmula usa 4 Variables

Variables utilizadas

Ancho de banda - (Medido en Metro) - El ancho del canal se refiere al rango de frecuencias utilizadas para transmitir datos a través de un canal de comunicación inalámbrica. También se le conoce como ancho de banda y se mide en hercios (Hz).
Capacitancia de superposición - (Medido en Faradio) - La capacitancia de superposición se refiere a la capacitancia que surge entre dos regiones conductoras muy próximas entre sí, pero no conectadas directamente.
Capacitancia de óxido - (Medido en Faradio) - La capacitancia de óxido es un parámetro importante que afecta el rendimiento de los dispositivos MOS, como la velocidad y el consumo de energía de los circuitos integrados.
Longitud de superposición - (Medido en Metro) - La longitud de superposición es la distancia promedio que los portadores sobrantes pueden cubrir antes de recombinarse.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Capacitancia de superposición: 3.8E-07 Microfaradio --> 3.8E-13 Faradio (Verifique la conversión aquí)
Capacitancia de óxido: 940 Microfaradio --> 0.00094 Faradio (Verifique la conversión aquí)
Longitud de superposición: 40.6 Micrómetro --> 4.06E-05 Metro (Verifique la conversión aquí)

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

W_c = C_oc/(C_ox*L_ov) --> 3.8E-13/(0.00094*4.06E-05)

Evaluar ... ...

W_c = 9.95702756524473E-06

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

9.95702756524473E-06 Metro -->9.95702756524473 Micrómetro (Verifique la conversión aquí)

RESPUESTA FINAL

9.95702756524473 ≈ 9.957028 Micrómetro <-- Ancho de banda

(Cálculo completado en 00.020 segundos)

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Créditos

Creado por Payal Priya

Instituto de Tecnología Birsa (POCO), Sindri

¡Payal Priya ha creado esta calculadora y 600+ más calculadoras!

Verificada por Anshika Arya

Instituto Nacional de Tecnología (LIENDRE), Hamirpur

¡Anshika Arya ha verificado esta calculadora y 2500+ más calculadoras!

< 15 Efectos capacitivos internos y modelo de alta frecuencia Calculadoras

Conductancia del canal de MOSFET

Vamos Conductancia del canal = Movilidad de electrones en la superficie del canal.*Capacitancia de óxido*(Ancho de banda/Longitud del canal)*Voltaje a través de óxido

Frecuencia de transición de MOSFET

Vamos Frecuencia de transición = Transconductancia/(2*pi*(Capacitancia de puerta de fuente+Capacitancia de drenaje de puerta))

Magnitud de carga de electrones en el canal de MOSFET

Vamos Carga de electrones en el canal = Capacitancia de óxido*Ancho de banda*Longitud del canal*Voltaje efectivo

Cambio de fase en el circuito RC de salida

Vamos Cambio de fase = arctan(Reactancia capacitiva/(Resistencia+Resistencia de carga))

Mosfet de capacitancia Miller de salida

Vamos Capacitancia Miller de salida = Capacitancia de drenaje de puerta*((Ganancia de voltaje+1)/Ganancia de voltaje)

Menor frecuencia crítica de Mosfet

Vamos Frecuencia de esquina = 1/(2*pi*(Resistencia+Resistencia de entrada)*Capacidad)

Ancho de puerta a canal de origen de MOSFET

Vamos Ancho de banda = Capacitancia de superposición/(Capacitancia de óxido*Longitud de superposición)

Capacitancia de superposición de MOSFET

Vamos Capacitancia de superposición = Ancho de banda*Capacitancia de óxido*Longitud de superposición

Capacitancia total entre puerta y canal de MOSFET

Vamos Capacitancia del canal de puerta = Capacitancia de óxido*Ancho de banda*Longitud del canal

Frecuencia crítica en el circuito RC de entrada de alta frecuencia

Vamos Frecuencia de esquina = 1/(2*pi*Resistencia de entrada*Capacitancia de Miller)

Cambio de fase en el circuito RC de entrada

Vamos Cambio de fase = arctan(Reactancia capacitiva/Resistencia de entrada)

Reactancia capacitiva de Mosfet

Vamos Reactancia capacitiva = 1/(2*pi*Frecuencia*Capacidad)

Capacitancia Miller de Mosfet

Vamos Capacitancia de Miller = Capacitancia de drenaje de puerta*(Ganancia de voltaje+1)

Frecuencia crítica de Mosfet

Vamos Frecuencia crítica en decibles = 10*log10(Frecuencia crítica)

Atenuación del circuito RC

Vamos Atenuación = Voltaje básico/Voltaje de entrada

< 15 Características del MOSFET Calculadoras

Conductancia del canal de MOSFET usando voltaje de puerta a fuente

Vamos Conductancia del canal = Movilidad de electrones en la superficie del canal.*Capacitancia de óxido*Ancho de banda/Longitud del canal*(Voltaje puerta-fuente-Voltaje de umbral)

Ganancia de voltaje dada la resistencia de carga de MOSFET

Vamos Ganancia de voltaje = Transconductancia*(1/(1/Resistencia de carga+1/Resistencia de salida))/(1+Transconductancia*Resistencia de la fuente)

Frecuencia de transición de MOSFET

Vamos Frecuencia de transición = Transconductancia/(2*pi*(Capacitancia de puerta de fuente+Capacitancia de drenaje de puerta))

Ancho de puerta a canal de origen de MOSFET

Vamos Ancho de banda = Capacitancia de superposición/(Capacitancia de óxido*Longitud de superposición)

Ganancia máxima de voltaje en el punto de polarización

Vamos Ganancia máxima de voltaje = 2*(Voltaje de suministro-Voltaje efectivo)/(Voltaje efectivo)

Ganancia de voltaje usando señal pequeña

Vamos Ganancia de voltaje = Transconductancia*1/(1/Resistencia de carga+1/Resistencia finita)

Ganancia de voltaje dado voltaje de drenaje

Vamos Ganancia de voltaje = (Corriente de drenaje*Resistencia de carga*2)/Voltaje efectivo

Voltaje de saturación de MOSFET

Vamos Voltaje de saturación de fuente y drenaje = Voltaje puerta-fuente-Voltaje de umbral

Efecto del cuerpo sobre la transconductancia

Vamos Transconductancia Corporal = Cambio en el umbral al voltaje base*Transconductancia

Voltaje de polarización de MOSFET

Vamos Voltaje de polarización instantáneo total = Voltaje de polarización CC+Voltaje CC

Ganancia máxima de voltaje dados todos los voltajes

Vamos Ganancia máxima de voltaje = (Voltaje de suministro-0.3)/Voltaje térmico

Transconductancia en MOSFET

Vamos Transconductancia = (2*Corriente de drenaje)/Voltaje de sobremarcha

Factor de amplificación en el modelo MOSFET de pequeña señal

Vamos Factor de amplificación = Transconductancia*Resistencia de salida

Voltaje umbral de MOSFET

Vamos Voltaje de umbral = Voltaje puerta-fuente-Voltaje efectivo

Conductancia en resistencia lineal de MOSFET

Vamos Conductancia del canal = 1/Resistencia lineal

Ancho de puerta a canal de origen de MOSFET Fórmula

Ancho de banda = Capacitancia de superposición/(Capacitancia de óxido*Longitud de superposición)
W_c = C_oc/(C_ox*L_ov)

¿Qué es MOSFET y cómo funciona?

En general, el MOSFET funciona como un interruptor, el MOSFET controla el voltaje y el flujo de corriente entre la fuente y el drenaje. El funcionamiento del MOSFET depende del condensador MOS, que es la superficie semiconductora debajo de las capas de óxido entre la fuente y el terminal de drenaje.

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