Szerokość kanału bramki do źródła MOSFET Kalkulator

✖Pojemność nakładania się odnosi się do pojemności, która powstaje pomiędzy dwoma obszarami przewodzącymi znajdującymi się blisko siebie, ale nie połączonymi bezpośrednio.ⓘ Pojemność nakładania się [C_oc]			+10% -10%
✖Pojemność tlenkowa jest ważnym parametrem wpływającym na wydajność urządzeń MOS, takim jak prędkość i pobór mocy układów scalonych.ⓘ Pojemność tlenkowa [C_ox]			+10% -10%
✖Długość zakładki to średnia odległość, jaką mogą pokonać nadmiarowe nośniki, zanim ponownie się połączą.ⓘ Długość zakładki [L_ov]			+10% -10%

✖Szerokość kanału odnosi się do zakresu częstotliwości używanych do przesyłania danych w kanale komunikacji bezprzewodowej. Jest ona również nazywana szerokością pasma i jest mierzona w hercach (Hz).ⓘ Szerokość kanału bramki do źródła MOSFET [W_c]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Szerokość kanału bramki do źródła MOSFET

Formuła

`"W"_{"c"} = "C"_{"oc"}/("C"_{"ox"}*"L"_{"ov"})`

Przykład

`"9.957028μm"="3.8e-7μF"/("940μF"*"40.6μm")`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać MOSFET Formułę PDF PDF Image

Szerokość kanału bramki do źródła MOSFET Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Szerokość kanału = Pojemność nakładania się/(Pojemność tlenkowa*Długość zakładki)
W_c = C_oc/(C_ox*L_ov)
Ta formuła używa 4 Zmienne

Używane zmienne

Szerokość kanału - (Mierzone w Metr) - Szerokość kanału odnosi się do zakresu częstotliwości używanych do przesyłania danych w kanale komunikacji bezprzewodowej. Jest ona również nazywana szerokością pasma i jest mierzona w hercach (Hz).
Pojemność nakładania się - (Mierzone w Farad) - Pojemność nakładania się odnosi się do pojemności, która powstaje pomiędzy dwoma obszarami przewodzącymi znajdującymi się blisko siebie, ale nie połączonymi bezpośrednio.
Pojemność tlenkowa - (Mierzone w Farad) - Pojemność tlenkowa jest ważnym parametrem wpływającym na wydajność urządzeń MOS, takim jak prędkość i pobór mocy układów scalonych.
Długość zakładki - (Mierzone w Metr) - Długość zakładki to średnia odległość, jaką mogą pokonać nadmiarowe nośniki, zanim ponownie się połączą.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Pojemność nakładania się: 3.8E-07 Mikrofarad --> 3.8E-13 Farad (Sprawdź konwersję tutaj)
Pojemność tlenkowa: 940 Mikrofarad --> 0.00094 Farad (Sprawdź konwersję tutaj)
Długość zakładki: 40.6 Mikrometr --> 4.06E-05 Metr (Sprawdź konwersję tutaj)

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

W_c = C_oc/(C_ox*L_ov) --> 3.8E-13/(0.00094*4.06E-05)

Ocenianie ... ...

W_c = 9.95702756524473E-06

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

9.95702756524473E-06 Metr -->9.95702756524473 Mikrometr (Sprawdź konwersję tutaj)

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

9.95702756524473 ≈ 9.957028 Mikrometr <-- Szerokość kanału

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » MOSFET » Elektronika analogowa » Wewnętrzne efekty pojemnościowe i model wysokiej częstotliwości » Szerokość kanału bramki do źródła MOSFET

Kredyty

Stworzone przez Payal Priya

Birsa Institute of Technology (KAWAŁEK), Sindri

Payal Priya utworzył ten kalkulator i 600+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Anshika Arya

Narodowy Instytut Technologii (GNIDA), Hamirpur

Anshika Arya zweryfikował ten kalkulator i 2500+ więcej kalkulatorów!

< 15 Wewnętrzne efekty pojemnościowe i model wysokiej częstotliwości Kalkulatory

Przewodnictwo kanału tranzystorów MOSFET

Iść Przewodnictwo kanału = Ruchliwość elektronów na powierzchni kanału*Pojemność tlenkowa*(Szerokość kanału/Długość kanału)*Napięcie na tlenku

Częstotliwość przejścia MOSFET

Iść Częstotliwość przejścia = Transkonduktancja/(2*pi*(Pojemność bramki źródłowej+Pojemność bramowo-drenowa))

Wielkość ładunku elektronowego w kanale MOSFET

Iść Ładunek elektronowy w kanale = Pojemność tlenkowa*Szerokość kanału*Długość kanału*Efektywne napięcie

Przesunięcie fazowe w wyjściowym obwodzie RC

Iść Przesunięcie fazowe = arctan(Reaktancja pojemnościowa/(Opór+Odporność na obciążenie))

Niższa częstotliwość krytyczna Mosfeta

Iść Częstotliwość narożna = 1/(2*pi*(Opór+Rezystancja wejściowa)*Pojemność)

Wyjściowa pojemność Millera Mosfet

Iść Wyjściowa pojemność Millera = Pojemność bramowo-drenowa*((Wzmocnienie napięcia+1)/Wzmocnienie napięcia)

Szerokość kanału bramki do źródła MOSFET

Iść Szerokość kanału = Pojemność nakładania się/(Pojemność tlenkowa*Długość zakładki)

Całkowita pojemność między bramką a kanałem tranzystorów MOSFET

Iść Pojemność kanału bramkowego = Pojemność tlenkowa*Szerokość kanału*Długość kanału

Pokrywająca się pojemność MOSFET-u

Iść Pojemność nakładania się = Szerokość kanału*Pojemność tlenkowa*Długość zakładki

Przesunięcie fazowe w obwodzie wejściowym RC

Iść Przesunięcie fazowe = arctan(Reaktancja pojemnościowa/Rezystancja wejściowa)

Częstotliwość krytyczna w obwodzie wejściowym RC wysokiej częstotliwości

Iść Częstotliwość narożna = 1/(2*pi*Rezystancja wejściowa*Pojemność Millera)

Reaktancja pojemnościowa Mosfeta

Iść Reaktancja pojemnościowa = 1/(2*pi*Częstotliwość*Pojemność)

Częstotliwość krytyczna Mosfeta

Iść Częstotliwość krytyczna w decyblach = 10*log10(Częstotliwość krytyczna)

Pojemność Millera Mosfeta

Iść Pojemność Millera = Pojemność bramowo-drenowa*(Wzmocnienie napięcia+1)

Tłumienie obwodu RC

Iść Osłabienie = Napięcie podstawowe/Napięcie wejściowe

< 15 Charakterystyka MOSFET-u Kalkulatory

Przewodnictwo kanału MOSFET przy użyciu napięcia bramki-źródła

Iść Przewodnictwo kanału = Ruchliwość elektronów na powierzchni kanału*Pojemność tlenkowa*Szerokość kanału/Długość kanału*(Napięcie bramka-źródło-Próg napięcia)

Wzmocnienie napięcia przy danej rezystancji obciążenia MOSFET

Iść Wzmocnienie napięcia = Transkonduktancja*(1/(1/Odporność na obciążenie+1/Rezystancja wyjściowa))/(1+Transkonduktancja*Opór źródła)

Częstotliwość przejścia MOSFET

Iść Częstotliwość przejścia = Transkonduktancja/(2*pi*(Pojemność bramki źródłowej+Pojemność bramowo-drenowa))

Maksymalne wzmocnienie napięcia w punkcie polaryzacji

Iść Maksymalne wzmocnienie napięcia = 2*(Napięcie zasilania-Efektywne napięcie)/(Efektywne napięcie)

Wzmocnienie napięcia za pomocą małego sygnału

Iść Wzmocnienie napięcia = Transkonduktancja*1/(1/Odporność na obciążenie+1/Skończony opór)

Wzmocnienie napięcia przy danym napięciu drenu

Iść Wzmocnienie napięcia = (Prąd spustowy*Odporność na obciążenie*2)/Efektywne napięcie

Szerokość kanału bramki do źródła MOSFET

Iść Szerokość kanału = Pojemność nakładania się/(Pojemność tlenkowa*Długość zakładki)

Wpływ ciała na transkonduktancję

Iść Transkonduktancja ciała = Zmiana wartości progowej na napięcie podstawowe*Transkonduktancja

Napięcie polaryzacji MOSFET-u

Iść Całkowite chwilowe napięcie polaryzacji = Napięcie polaryzacji DC+Napięcie prądu stałego

Maksymalne wzmocnienie napięcia przy wszystkich napięciach

Iść Maksymalne wzmocnienie napięcia = (Napięcie zasilania-0.3)/Napięcie termiczne

Napięcie nasycenia tranzystora MOSFET

Iść Napięcie nasycenia drenu i źródła = Napięcie bramka-źródło-Próg napięcia

Współczynnik wzmocnienia w modelu małego sygnału MOSFET

Iść Współczynnik wzmocnienia = Transkonduktancja*Rezystancja wyjściowa

Transprzewodnictwo w MOSFET-ie

Iść Transkonduktancja = (2*Prąd spustowy)/Napięcie przesterowania

Napięcie progowe MOSFET-u

Iść Próg napięcia = Napięcie bramka-źródło-Efektywne napięcie

Przewodnictwo w rezystancji liniowej MOSFET-u

Iść Przewodnictwo kanału = 1/Opór liniowy

Szerokość kanału bramki do źródła MOSFET Formułę

Szerokość kanału = Pojemność nakładania się/(Pojemność tlenkowa*Długość zakładki)
W_c = C_oc/(C_ox*L_ov)

Co to jest MOSFET i jak to działa?

Ogólnie rzecz biorąc, MOSFET działa jako przełącznik, MOSFET kontroluje napięcie i przepływ prądu między źródłem a drenem. Działanie MOSFET-u zależy od kondensatora MOS, który jest powierzchnią półprzewodnika pod warstwami tlenku między źródłem a zaciskiem drenu.

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!