Largeur du canal porte à source du MOSFET Calculatrice

✖La capacité de chevauchement fait référence à la capacité qui apparaît entre deux régions conductrices très proches l'une de l'autre, mais non directement connectées.ⓘ Capacité de chevauchement [C_oc]			+10% -10%
✖La capacité d'oxyde est un paramètre important qui affecte les performances des dispositifs MOS, telles que la vitesse et la consommation électrique des circuits intégrés.ⓘ Capacité d'oxyde [C_ox]			+10% -10%
✖La longueur de chevauchement est la distance moyenne que les porteurs excédentaires peuvent parcourir avant de se recombiner.ⓘ Longueur de chevauchement [L_ov]			+10% -10%

✖La largeur du canal fait référence à la plage de fréquences utilisée pour transmettre des données sur un canal de communication sans fil. Elle est également connue sous le nom de bande passante et se mesure en hertz (Hz).ⓘ Largeur du canal porte à source du MOSFET [W_c]

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Formule

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Largeur du canal porte à source du MOSFET

Formule

`"W"_{"c"} = "C"_{"oc"}/("C"_{"ox"}*"L"_{"ov"})`

Exemple

`"9.957028μm"="3.8e-7μF"/("940μF"*"40.6μm")`

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Largeur du canal porte à source du MOSFET Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Largeur de canal = Capacité de chevauchement/(Capacité d'oxyde*Longueur de chevauchement)
W_c = C_oc/(C_ox*L_ov)
Cette formule utilise 4 Variables

Variables utilisées

Largeur de canal - (Mesuré en Mètre) - La largeur du canal fait référence à la plage de fréquences utilisée pour transmettre des données sur un canal de communication sans fil. Elle est également connue sous le nom de bande passante et se mesure en hertz (Hz).
Capacité de chevauchement - (Mesuré en Farad) - La capacité de chevauchement fait référence à la capacité qui apparaît entre deux régions conductrices très proches l'une de l'autre, mais non directement connectées.
Capacité d'oxyde - (Mesuré en Farad) - La capacité d'oxyde est un paramètre important qui affecte les performances des dispositifs MOS, telles que la vitesse et la consommation électrique des circuits intégrés.
Longueur de chevauchement - (Mesuré en Mètre) - La longueur de chevauchement est la distance moyenne que les porteurs excédentaires peuvent parcourir avant de se recombiner.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Capacité de chevauchement: 3.8E-07 microfarades --> 3.8E-13 Farad (Vérifiez la conversion ici)
Capacité d'oxyde: 940 microfarades --> 0.00094 Farad (Vérifiez la conversion ici)
Longueur de chevauchement: 40.6 Micromètre --> 4.06E-05 Mètre (Vérifiez la conversion ici)

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

W_c = C_oc/(C_ox*L_ov) --> 3.8E-13/(0.00094*4.06E-05)

Évaluer ... ...

W_c = 9.95702756524473E-06

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

9.95702756524473E-06 Mètre -->9.95702756524473 Micromètre (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

9.95702756524473 ≈ 9.957028 Micromètre <-- Largeur de canal

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Payal Priya

Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri

Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

Vérifié par Anshika Arya

Institut national de technologie (LENTE), Hamirpur

Anshika Arya a validé cette calculatrice et 2500+ autres calculatrices!

< 15 Effets capacitifs internes et modèle haute fréquence Calculatrices

Conductance du canal des MOSFET

Aller Conductance du canal = Mobilité des électrons à la surface du canal*Capacité d'oxyde*(Largeur de canal/Longueur du canal)*Tension aux bornes de l'oxyde

Fréquence de transition du MOSFET

Aller Fréquence de transition = Transconductance/(2*pi*(Capacité de la porte source+Capacité de vidange de porte))

Amplitude de la charge électronique dans le canal du MOSFET

Aller Charge d'électrons dans le canal = Capacité d'oxyde*Largeur de canal*Longueur du canal*Tension efficace

Déphasage dans le circuit RC de sortie

Aller Déphasage = arctan(Réactance capacitive/(Résistance+Résistance à la charge))

Fréquence critique inférieure du Mosfet

Aller Fréquence de coin = 1/(2*pi*(Résistance+Résistance d'entrée)*Capacitance)

Sortie Miller Capacité Mosfet

Aller Capacité de sortie Miller = Capacité de vidange de porte*((Gain de tension+1)/Gain de tension)

Largeur du canal porte à source du MOSFET

Aller Largeur de canal = Capacité de chevauchement/(Capacité d'oxyde*Longueur de chevauchement)

Capacité de chevauchement du MOSFET

Aller Capacité de chevauchement = Largeur de canal*Capacité d'oxyde*Longueur de chevauchement

Capacité totale entre la porte et le canal des MOSFET

Aller Capacité du canal de porte = Capacité d'oxyde*Largeur de canal*Longueur du canal

Fréquence critique dans le circuit RC d'entrée haute fréquence

Aller Fréquence de coin = 1/(2*pi*Résistance d'entrée*Capacité de Miller)

Déphasage dans le circuit RC d'entrée

Aller Déphasage = arctan(Réactance capacitive/Résistance d'entrée)

Réactance capacitive du Mosfet

Aller Réactance capacitive = 1/(2*pi*Fréquence*Capacitance)

Capacité Miller du Mosfet

Aller Capacité de Miller = Capacité de vidange de porte*(Gain de tension+1)

Fréquence critique du Mosfet

Aller Fréquence critique en décibels = 10*log10(Fréquence critique)

Atténuation du circuit RC

Aller Atténuation = Tension de base/Tension d'entrée

< 15 Caractéristiques du MOSFET Calculatrices

Conductance du canal du MOSFET utilisant la tension grille à source

Aller Conductance du canal = Mobilité des électrons à la surface du canal*Capacité d'oxyde*Largeur de canal/Longueur du canal*(Tension grille-source-Tension de seuil)

Gain de tension donné Résistance de charge du MOSFET

Aller Gain de tension = Transconductance*(1/(1/Résistance à la charge+1/Résistance de sortie))/(1+Transconductance*Résistance à la source)

Fréquence de transition du MOSFET

Aller Fréquence de transition = Transconductance/(2*pi*(Capacité de la porte source+Capacité de vidange de porte))

Largeur du canal porte à source du MOSFET

Aller Largeur de canal = Capacité de chevauchement/(Capacité d'oxyde*Longueur de chevauchement)

Gain de tension maximal au point de polarisation

Aller Gain de tension maximal = 2*(Tension d'alimentation-Tension efficace)/(Tension efficace)

Gain de tension en utilisant un petit signal

Aller Gain de tension = Transconductance*1/(1/Résistance à la charge+1/Résistance finie)

Gain de tension donné Tension de drain

Aller Gain de tension = (Courant de vidange*Résistance à la charge*2)/Tension efficace

Effet corporel sur la transconductance

Aller Transconductance corporelle = Modification du seuil à la tension de base*Transconductance

Tension de polarisation du MOSFET

Aller Tension de polarisation instantanée totale = Tension de polarisation CC+Tension continue

Tension de saturation du MOSFET

Aller Tension de saturation du drain et de la source = Tension grille-source-Tension de seuil

Gain de tension maximum compte tenu de toutes les tensions

Aller Gain de tension maximal = (Tension d'alimentation-0.3)/Tension thermique

Transconductance dans MOSFET

Aller Transconductance = (2*Courant de vidange)/Tension de surmultiplication

Facteur d'amplification dans le modèle MOSFET à petit signal

Aller Facteur d'amplification = Transconductance*Résistance de sortie

Tension de seuil du MOSFET

Aller Tension de seuil = Tension grille-source-Tension efficace

Conductance dans la résistance linéaire du MOSFET

Aller Conductance du canal = 1/Résistance linéaire

Largeur du canal porte à source du MOSFET Formule

Largeur de canal = Capacité de chevauchement/(Capacité d'oxyde*Longueur de chevauchement)
W_c = C_oc/(C_ox*L_ov)

Qu'est-ce que MOSFET et comment fonctionne-t-il?

En général, le MOSFET fonctionne comme un interrupteur, le MOSFET contrôle la tension et le flux de courant entre la source et le drain. Le fonctionnement du MOSFET dépend du condensateur MOS, qui est la surface semi-conductrice sous les couches d'oxyde entre la borne de source et de drain.

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