Largura do portão para o canal de origem do MOSFET Calculadora

✖A capacitância de sobreposição refere-se à capacitância que surge entre duas regiões condutoras próximas uma da outra, mas não conectadas diretamente.ⓘ Capacitância de sobreposição [C_oc]			+10% -10%
✖A capacitância de óxido é um parâmetro importante que afeta o desempenho dos dispositivos MOS, como a velocidade e o consumo de energia dos circuitos integrados.ⓘ Capacitância de Óxido [C_ox]			+10% -10%
✖O comprimento de sobreposição é a distância média que as portadoras em excesso podem percorrer antes de se recombinarem.ⓘ Comprimento da sobreposição [L_ov]			+10% -10%

✖A largura do canal refere-se à faixa de frequências usada para transmitir dados através de um canal de comunicação sem fio. Também é conhecido como largura de banda e é medido em hertz (Hz).ⓘ Largura do portão para o canal de origem do MOSFET [W_c]

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Fórmula

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Largura do portão para o canal de origem do MOSFET

Fórmula

`"W"_{"c"} = "C"_{"oc"}/("C"_{"ox"}*"L"_{"ov"})`

Exemplo

`"9.957028μm"="3.8e-7μF"/("940μF"*"40.6μm")`

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Largura do portão para o canal de origem do MOSFET Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Largura de banda = Capacitância de sobreposição/(Capacitância de Óxido*Comprimento da sobreposição)
W_c = C_oc/(C_ox*L_ov)
Esta fórmula usa 4 Variáveis

Variáveis Usadas

Largura de banda - (Medido em Metro) - A largura do canal refere-se à faixa de frequências usada para transmitir dados através de um canal de comunicação sem fio. Também é conhecido como largura de banda e é medido em hertz (Hz).
Capacitância de sobreposição - (Medido em Farad) - A capacitância de sobreposição refere-se à capacitância que surge entre duas regiões condutoras próximas uma da outra, mas não conectadas diretamente.
Capacitância de Óxido - (Medido em Farad) - A capacitância de óxido é um parâmetro importante que afeta o desempenho dos dispositivos MOS, como a velocidade e o consumo de energia dos circuitos integrados.
Comprimento da sobreposição - (Medido em Metro) - O comprimento de sobreposição é a distância média que as portadoras em excesso podem percorrer antes de se recombinarem.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Capacitância de sobreposição: 3.8E-07 Microfarad --> 3.8E-13 Farad (Verifique a conversão aqui)
Capacitância de Óxido: 940 Microfarad --> 0.00094 Farad (Verifique a conversão aqui)
Comprimento da sobreposição: 40.6 Micrômetro --> 4.06E-05 Metro (Verifique a conversão aqui)

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

W_c = C_oc/(C_ox*L_ov) --> 3.8E-13/(0.00094*4.06E-05)

Avaliando ... ...

W_c = 9.95702756524473E-06

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

9.95702756524473E-06 Metro -->9.95702756524473 Micrômetro (Verifique a conversão aqui)

RESPOSTA FINAL

9.95702756524473 ≈ 9.957028 Micrômetro <-- Largura de banda

(Cálculo concluído em 00.020 segundos)

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Créditos

Criado por Payal Priya

Birsa Institute of Technology (MORDEU), Sindri

Payal Priya criou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!

Verificado por Anshika Arya

Instituto Nacional de Tecnologia (NIT), Hamirpur

Anshika Arya verificou esta calculadora e mais 2500+ calculadoras!

< 15 Efeitos capacitivos internos e modelo de alta frequência Calculadoras

Condutância do Canal de MOSFETs

Vai Condutância do Canal = Mobilidade de elétrons na superfície do canal*Capacitância de Óxido*(Largura de banda/Comprimento do canal)*Tensão através do Óxido

Frequência de Transição do MOSFET

Vai Frequência de transição = Transcondutância/(2*pi*(Capacitância da porta de origem+Capacitância Gate-Dreno))

Magnitude da carga eletrônica no canal do MOSFET

Vai Carga do Elétron no Canal = Capacitância de Óxido*Largura de banda*Comprimento do canal*Tensão Efetiva

Frequência crítica mais baixa do Mosfet

Vai Frequência de canto = 1/(2*pi*(Resistência+Resistência de entrada)*Capacitância)

Mudança de fase no circuito RC de saída

Vai Mudança de fase = arctan(Reatância capacitiva/(Resistência+Resistência de carga))

Largura do portão para o canal de origem do MOSFET

Vai Largura de banda = Capacitância de sobreposição/(Capacitância de Óxido*Comprimento da sobreposição)

Capacitância de sobreposição do MOSFET

Vai Capacitância de sobreposição = Largura de banda*Capacitância de Óxido*Comprimento da sobreposição

Capacitância Total entre Gate e Canal de MOSFETs

Vai Capacitância do canal de porta = Capacitância de Óxido*Largura de banda*Comprimento do canal

Saída Miller Capacitância Mosfet

Vai Capacitância Miller de saída = Capacitância Gate-Dreno*((Ganho de tensão+1)/Ganho de tensão)

Frequência crítica em circuito RC de entrada de alta frequência

Vai Frequência de canto = 1/(2*pi*Resistência de entrada*Capacitância de Miller)

Mudança de fase no circuito RC de entrada

Vai Mudança de fase = arctan(Reatância capacitiva/Resistência de entrada)

Reatância capacitiva do Mosfet

Vai Reatância capacitiva = 1/(2*pi*Frequência*Capacitância)

Capacitância de Miller do Mosfet

Vai Capacitância de Miller = Capacitância Gate-Dreno*(Ganho de tensão+1)

Frequência Crítica do Mosfet

Vai Frequência Crítica em decibéis = 10*log10(Frequência Crítica)

Atenuação do Circuito RC

Vai Atenuação = Tensão Base/Tensão de entrada

< 15 Características MOSFET Calculadoras

Condutância do canal do MOSFET usando tensão Gate to Source

Vai Condutância do Canal = Mobilidade de elétrons na superfície do canal*Capacitância de Óxido*Largura de banda/Comprimento do canal*(Tensão Gate-Fonte-Tensão de limiar)

Ganho de tensão dado a resistência de carga do MOSFET

Vai Ganho de tensão = Transcondutância*(1/(1/Resistência de carga+1/Resistência de saída))/(1+Transcondutância*Resistência da fonte)

Frequência de Transição do MOSFET

Vai Frequência de transição = Transcondutância/(2*pi*(Capacitância da porta de origem+Capacitância Gate-Dreno))

Largura do portão para o canal de origem do MOSFET

Vai Largura de banda = Capacitância de sobreposição/(Capacitância de Óxido*Comprimento da sobreposição)

Ganho de tensão máximo no ponto de polarização

Vai Ganho Máximo de Tensão = 2*(Tensão de alimentação-Tensão Efetiva)/(Tensão Efetiva)

Ganho de tensão usando sinal pequeno

Vai Ganho de tensão = Transcondutância*1/(1/Resistência de carga+1/Resistência Finita)

Ganho de tensão dada tensão de dreno

Vai Ganho de tensão = (Corrente de drenagem*Resistência de carga*2)/Tensão Efetiva

Tensão de polarização do MOSFET

Vai Tensão de polarização instantânea total = Tensão de polarização CC+Voltagem de corrente contínua

Efeito Corporal na Transcondutância

Vai Transcondutância Corporal = Alteração no limite para a tensão de base*Transcondutância

Tensão de saturação do MOSFET

Vai Tensão de saturação de dreno e fonte = Tensão Gate-Fonte-Tensão de limiar

Ganho máximo de tensão considerando todas as tensões

Vai Ganho Máximo de Tensão = (Tensão de alimentação-0.3)/Tensão Térmica

Transcondutância em MOSFET

Vai Transcondutância = (2*Corrente de drenagem)/Tensão de ultrapassagem

Fator de amplificação no modelo MOSFET de sinal pequeno

Vai Fator de Amplificação = Transcondutância*Resistência de saída

Tensão limite do MOSFET

Vai Tensão de limiar = Tensão Gate-Fonte-Tensão Efetiva

Condutância na Resistência Linear do MOSFET

Vai Condutância do Canal = 1/Resistência Linear

Largura do portão para o canal de origem do MOSFET Fórmula

Largura de banda = Capacitância de sobreposição/(Capacitância de Óxido*Comprimento da sobreposição)
W_c = C_oc/(C_ox*L_ov)

O que é MOSFET e como funciona?

Em geral, o MOSFET funciona como uma chave, o MOSFET controla a tensão e o fluxo de corrente entre a fonte e o dreno. O funcionamento do MOSFET depende do capacitor MOS, que é a superfície do semicondutor abaixo das camadas de óxido entre a fonte e o terminal de drenagem.

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