Gate-Source-Kanalbreite des MOSFET Taschenrechner

✖Unter Überlappungskapazität versteht man die Kapazität, die zwischen zwei leitenden Bereichen entsteht, die nahe beieinander liegen, aber nicht direkt verbunden sind.ⓘ Überlappungskapazität [C_oc]			+10% -10%
✖Die Oxidkapazität ist ein wichtiger Parameter, der die Leistung von MOS-Geräten beeinflusst, beispielsweise die Geschwindigkeit und den Stromverbrauch integrierter Schaltkreise.ⓘ Oxidkapazität [C_ox]			+10% -10%
✖Die Überlappungslänge ist die durchschnittliche Entfernung, die die überschüssigen Träger zurücklegen können, bevor sie sich wieder verbinden.ⓘ Überlappungslänge [L_ov]			+10% -10%

✖Die Kanalbreite bezieht sich auf den Frequenzbereich, der zur Übertragung von Daten über einen drahtlosen Kommunikationskanal verwendet wird. Sie wird auch als Bandbreite bezeichnet und in Hertz (Hz) gemessen.ⓘ Gate-Source-Kanalbreite des MOSFET [W_c]

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Formel

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Gate-Source-Kanalbreite des MOSFET

Formel

`"W"_{"c"} = "C"_{"oc"}/("C"_{"ox"}*"L"_{"ov"})`

Beispiel

`"9.957028μm"="3.8e-7μF"/("940μF"*"40.6μm")`

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Gate-Source-Kanalbreite des MOSFET Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Kanalbreite = Überlappungskapazität/(Oxidkapazität*Überlappungslänge)
W_c = C_oc/(C_ox*L_ov)
Diese formel verwendet 4 Variablen

Verwendete Variablen

Kanalbreite - (Gemessen in Meter) - Die Kanalbreite bezieht sich auf den Frequenzbereich, der zur Übertragung von Daten über einen drahtlosen Kommunikationskanal verwendet wird. Sie wird auch als Bandbreite bezeichnet und in Hertz (Hz) gemessen.
Überlappungskapazität - (Gemessen in Farad) - Unter Überlappungskapazität versteht man die Kapazität, die zwischen zwei leitenden Bereichen entsteht, die nahe beieinander liegen, aber nicht direkt verbunden sind.
Oxidkapazität - (Gemessen in Farad) - Die Oxidkapazität ist ein wichtiger Parameter, der die Leistung von MOS-Geräten beeinflusst, beispielsweise die Geschwindigkeit und den Stromverbrauch integrierter Schaltkreise.
Überlappungslänge - (Gemessen in Meter) - Die Überlappungslänge ist die durchschnittliche Entfernung, die die überschüssigen Träger zurücklegen können, bevor sie sich wieder verbinden.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Überlappungskapazität: 3.8E-07 Mikrofarad --> 3.8E-13 Farad (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Oxidkapazität: 940 Mikrofarad --> 0.00094 Farad (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Überlappungslänge: 40.6 Mikrometer --> 4.06E-05 Meter (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

W_c = C_oc/(C_ox*L_ov) --> 3.8E-13/(0.00094*4.06E-05)

Auswerten ... ...

W_c = 9.95702756524473E-06

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

9.95702756524473E-06 Meter -->9.95702756524473 Mikrometer (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

9.95702756524473 ≈ 9.957028 Mikrometer <-- Kanalbreite

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Anshika Arya

Nationales Institut für Technologie (NIT), Hamirpur

Anshika Arya hat diesen Rechner und 2500+ weitere Rechner verifiziert!

< 15 Interne kapazitive Effekte und Hochfrequenzmodell Taschenrechner

Leitwert des Kanals von MOSFETs

Gehen Leitfähigkeit des Kanals = Mobilität von Elektronen an der Oberfläche des Kanals*Oxidkapazität*(Kanalbreite/Kanallänge)*Spannung über Oxid

Größe der Elektronenladung im Kanal des MOSFET

Gehen Elektronenladung im Kanal = Oxidkapazität*Kanalbreite*Kanallänge*Effektive Spannung

Übergangsfrequenz des MOSFET

Gehen Übergangsfrequenz = Steilheit/(2*pi*(Source-Gate-Kapazität+Gate-Drain-Kapazität))

Phasenverschiebung im Ausgangs-RC-Schaltkreis

Gehen Phasenverschiebung = arctan(Kapazitive Reaktanz/(Widerstand+Lastwiderstand))

Untere kritische Frequenz des Mosfet

Gehen Eckfrequenz = 1/(2*pi*(Widerstand+Eingangswiderstand)*Kapazität)

Ausgangs-Miller-Kapazitäts-MOSFET

Gehen Ausgangs-Miller-Kapazität = Gate-Drain-Kapazität*((Spannungsverstärkung+1)/Spannungsverstärkung)

Gate-Source-Kanalbreite des MOSFET

Gehen Kanalbreite = Überlappungskapazität/(Oxidkapazität*Überlappungslänge)

Phasenverschiebung im Eingangs-RC-Schaltkreis

Gehen Phasenverschiebung = arctan(Kapazitive Reaktanz/Eingangswiderstand)

Überlappungskapazität des MOSFET

Gehen Überlappungskapazität = Kanalbreite*Oxidkapazität*Überlappungslänge

Kritische Frequenz im RC-Schaltkreis mit Hochfrequenzeingang

Gehen Eckfrequenz = 1/(2*pi*Eingangswiderstand*Miller-Kapazität)

Gesamtkapazität zwischen Gate und Kanal von MOSFETs

Gehen Gate-Kanalkapazität = Oxidkapazität*Kanalbreite*Kanallänge

Kapazitive Reaktanz von Mosfet

Gehen Kapazitive Reaktanz = 1/(2*pi*Frequenz*Kapazität)

Miller-Kapazität von Mosfet

Gehen Miller-Kapazität = Gate-Drain-Kapazität*(Spannungsverstärkung+1)

Kritische Frequenz von Mosfet

Gehen Kritische Frequenz in Dezibel = 10*log10(Kritische Frequenz)

Dämpfung des RC-Schaltkreises

Gehen Dämpfung = Basisspannung/Eingangsspannung

< 15 MOSFET-Eigenschaften Taschenrechner

Leitfähigkeit des Kanals des MOSFET unter Verwendung der Gate-Source-Spannung

Gehen Leitfähigkeit des Kanals = Mobilität von Elektronen an der Oberfläche des Kanals*Oxidkapazität*Kanalbreite/Kanallänge*(Gate-Source-Spannung-Grenzspannung)

Spannungsverstärkung bei gegebenem Lastwiderstand des MOSFET

Gehen Spannungsverstärkung = Steilheit*(1/(1/Lastwiderstand+1/Ausgangswiderstand))/(1+Steilheit*Quellenwiderstand)

Übergangsfrequenz des MOSFET

Gehen Übergangsfrequenz = Steilheit/(2*pi*(Source-Gate-Kapazität+Gate-Drain-Kapazität))

Maximale Spannungsverstärkung am Vorspannungspunkt

Gehen Maximale Spannungsverstärkung = 2*(Versorgungsspannung-Effektive Spannung)/(Effektive Spannung)

Spannungsverstärkung mit Kleinsignal

Gehen Spannungsverstärkung = Steilheit*1/(1/Lastwiderstand+1/Endlicher Widerstand)

Spannungsverstärkung bei gegebener Drain-Spannung

Gehen Spannungsverstärkung = (Stromverbrauch*Lastwiderstand*2)/Effektive Spannung

Gate-Source-Kanalbreite des MOSFET

Gehen Kanalbreite = Überlappungskapazität/(Oxidkapazität*Überlappungslänge)

Body-Effekt auf die Transkonduktanz

Gehen Körpertranskonduktanz = Änderung des Schwellenwerts zur Basisspannung*Steilheit

Maximale Spannungsverstärkung bei allen Spannungen

Gehen Maximale Spannungsverstärkung = (Versorgungsspannung-0.3)/Thermische Spannung

Sättigungsspannung des MOSFET

Gehen Drain- und Source-Sättigungsspannung = Gate-Source-Spannung-Grenzspannung

Vorspannung des MOSFET

Gehen Gesamte momentane Vorspannung = DC-Vorspannung+Gleichspannung

Schwellenspannung des MOSFET

Gehen Grenzspannung = Gate-Source-Spannung-Effektive Spannung

Verstärkungsfaktor im Kleinsignal-MOSFET-Modell

Gehen Verstärkungsfaktor = Steilheit*Ausgangswiderstand

Transkonduktanz im MOSFET

Gehen Steilheit = (2*Stromverbrauch)/Overdrive-Spannung

Leitfähigkeit im linearen Widerstand des MOSFET

Gehen Leitfähigkeit des Kanals = 1/Linearer Widerstand

Gate-Source-Kanalbreite des MOSFET Formel

Kanalbreite = Überlappungskapazität/(Oxidkapazität*Überlappungslänge)
W_c = C_oc/(C_ox*L_ov)

Was ist MOSFET und wie funktioniert es?

Im Allgemeinen arbeitet der MOSFET als Schalter, der MOSFET steuert den Spannungs- und Stromfluss zwischen Source und Drain. Die Arbeitsweise des MOSFET hängt vom MOS-Kondensator ab, der die Halbleiteroberfläche unterhalb der Oxidschichten zwischen Source- und Drain-Anschluss ist.

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