Calculadora Transconductancia MOSFET dada la capacitancia de óxido

✖La movilidad electrónica describe la rapidez con la que los electrones pueden moverse a través del material en respuesta a un campo eléctrico.ⓘ Movilidad electrónica [μ_n]			+10% -10%
✖La capacitancia de óxido se refiere a la capacitancia asociada con la capa de óxido aislante en una estructura semiconductora de óxido metálico (MOS), como en los MOSFET.ⓘ Capacitancia de óxido [C_ox]			+10% -10%
✖El ancho del transistor se refiere al ancho de la región del canal en un MOSFET. Esta dimensión juega un papel crucial en la determinación de las características eléctricas y el rendimiento del transistor.ⓘ Ancho del transistor [W_t]			+10% -10%
✖La longitud del transistor se refiere a la longitud de la región del canal en un MOSFET. Esta dimensión juega un papel crucial en la determinación de las características eléctricas y el rendimiento del transistor.ⓘ Longitud del transistor [L_t]			+10% -10%
✖La corriente de drenaje se refiere a la corriente que fluye entre los terminales de fuente y drenaje del transistor cuando está en funcionamiento.ⓘ Corriente de drenaje [I_d]			+10% -10%

✖La transconductancia en MOSFET es un parámetro clave que describe la relación entre el voltaje de entrada y la corriente de salida.ⓘ Transconductancia MOSFET dada la capacitancia de óxido [g_m]

⎘ Copiar

👎

Fórmula

✖

Transconductancia MOSFET dada la capacitancia de óxido

Fórmula

`"g"_{"m"} = sqrt(2*"μ"_{"n"}*"C"_{"ox"}*("W"_{"t"}/"L"_{"t"})*"I"_{"d"})`

Ejemplo

`"2.286578S"=sqrt(2*"30m²/V*s"*"3.9F"*("5.5μm"/"3.2μm")*"0.013A")`

Calculadora

LaTeX

Reiniciar

👍

Descargar Características del MOSFET Fórmulas PDF PDF Image

Transconductancia MOSFET dada la capacitancia de óxido Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Transconductancia en MOSFET = sqrt(2*Movilidad electrónica*Capacitancia de óxido*(Ancho del transistor/Longitud del transistor)*Corriente de drenaje)
g_m = sqrt(2*μ_n*C_ox*(W_t/L_t)*I_d)
Esta fórmula usa 1 Funciones, 6 Variables

Funciones utilizadas

sqrt - Una función de raíz cuadrada es una función que toma un número no negativo como entrada y devuelve la raíz cuadrada del número de entrada dado., sqrt(Number)

Variables utilizadas

Transconductancia en MOSFET - (Medido en Siemens) - La transconductancia en MOSFET es un parámetro clave que describe la relación entre el voltaje de entrada y la corriente de salida.
Movilidad electrónica - (Medido en Metro cuadrado por voltio por segundo) - La movilidad electrónica describe la rapidez con la que los electrones pueden moverse a través del material en respuesta a un campo eléctrico.
Capacitancia de óxido - (Medido en Faradio) - La capacitancia de óxido se refiere a la capacitancia asociada con la capa de óxido aislante en una estructura semiconductora de óxido metálico (MOS), como en los MOSFET.
Ancho del transistor - (Medido en Metro) - El ancho del transistor se refiere al ancho de la región del canal en un MOSFET. Esta dimensión juega un papel crucial en la determinación de las características eléctricas y el rendimiento del transistor.
Longitud del transistor - (Medido en Metro) - La longitud del transistor se refiere a la longitud de la región del canal en un MOSFET. Esta dimensión juega un papel crucial en la determinación de las características eléctricas y el rendimiento del transistor.
Corriente de drenaje - (Medido en Amperio) - La corriente de drenaje se refiere a la corriente que fluye entre los terminales de fuente y drenaje del transistor cuando está en funcionamiento.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Movilidad electrónica: 30 Metro cuadrado por voltio por segundo --> 30 Metro cuadrado por voltio por segundo No se requiere conversión
Capacitancia de óxido: 3.9 Faradio --> 3.9 Faradio No se requiere conversión
Ancho del transistor: 5.5 Micrómetro --> 5.5E-06 Metro (Verifique la conversión aquí)
Longitud del transistor: 3.2 Micrómetro --> 3.2E-06 Metro (Verifique la conversión aquí)
Corriente de drenaje: 0.013 Amperio --> 0.013 Amperio No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

g_m = sqrt(2*μ_n*C_ox*(W_t/L_t)*I_d) --> sqrt(2*30*3.9*(5.5E-06/3.2E-06)*0.013)

Evaluar ... ...

g_m = 2.28657768291392

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

2.28657768291392 Siemens --> No se requiere conversión

RESPUESTA FINAL

2.28657768291392 ≈ 2.286578 Siemens <-- Transconductancia en MOSFET

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

Aquí estás -

Inicio » Ingenieria » Electrónica » MOSFET » Electrónica analógica » Características del MOSFET » Transconductancia MOSFET dada la capacitancia de óxido

Créditos

Creado por banuprakash

Facultad de Ingeniería Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

¡banuprakash ha creado esta calculadora y 50+ más calculadoras!

Verificada por Santhosh Yadav

Facultad de Ingeniería Dayananda Sagar (DSCE), banglore

¡Santhosh Yadav ha verificado esta calculadora y 50+ más calculadoras!

< 16 Características del MOSFET Calculadoras

Conductancia del canal de MOSFET usando voltaje de puerta a fuente

Vamos Conductancia del canal = Movilidad de electrones en la superficie del canal.*Capacitancia de óxido*Ancho de banda/Longitud del canal*(Voltaje puerta-fuente-Voltaje de umbral)

Transconductancia MOSFET dada la capacitancia de óxido

Vamos Transconductancia en MOSFET = sqrt(2*Movilidad electrónica*Capacitancia de óxido*(Ancho del transistor/Longitud del transistor)*Corriente de drenaje)

Ganancia de voltaje dada la resistencia de carga de MOSFET

Vamos Ganancia de voltaje = Transconductancia*(1/(1/Resistencia de carga+1/Resistencia de salida))/(1+Transconductancia*Resistencia de la fuente)

Frecuencia de transición de MOSFET

Vamos Frecuencia de transición = Transconductancia/(2*pi*(Capacitancia de puerta de fuente+Capacitancia de drenaje de puerta))

Ancho de puerta a canal de origen de MOSFET

Vamos Ancho de banda = Capacitancia de superposición/(Capacitancia de óxido*Longitud de superposición)

Ganancia máxima de voltaje en el punto de polarización

Vamos Ganancia máxima de voltaje = 2*(Voltaje de suministro-Voltaje efectivo)/(Voltaje efectivo)

Ganancia de voltaje usando señal pequeña

Vamos Ganancia de voltaje = Transconductancia*1/(1/Resistencia de carga+1/Resistencia finita)

Ganancia de voltaje dado voltaje de drenaje

Vamos Ganancia de voltaje = (Corriente de drenaje*Resistencia de carga*2)/Voltaje efectivo

Voltaje de saturación de MOSFET

Vamos Voltaje de saturación de fuente y drenaje = Voltaje puerta-fuente-Voltaje de umbral

Efecto del cuerpo sobre la transconductancia

Vamos Transconductancia Corporal = Cambio en el umbral al voltaje base*Transconductancia

Voltaje de polarización de MOSFET

Vamos Voltaje de polarización instantáneo total = Voltaje de polarización CC+Voltaje CC

Ganancia máxima de voltaje dados todos los voltajes

Vamos Ganancia máxima de voltaje = (Voltaje de suministro-0.3)/Voltaje térmico

Transconductancia en MOSFET

Vamos Transconductancia = (2*Corriente de drenaje)/Voltaje de sobremarcha

Factor de amplificación en el modelo MOSFET de pequeña señal

Vamos Factor de amplificación = Transconductancia*Resistencia de salida

Voltaje umbral de MOSFET

Vamos Voltaje de umbral = Voltaje puerta-fuente-Voltaje efectivo

Conductancia en resistencia lineal de MOSFET

Vamos Conductancia del canal = 1/Resistencia lineal

Transconductancia MOSFET dada la capacitancia de óxido Fórmula

Transconductancia en MOSFET = sqrt(2*Movilidad electrónica*Capacitancia de óxido*(Ancho del transistor/Longitud del transistor)*Corriente de drenaje)
g_m = sqrt(2*μ_n*C_ox*(W_t/L_t)*I_d)

Inicio

GRATIS PDF

🔍 Búsqueda

Categorías

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!