MOSFET-transconductantie gegeven oxidecapaciteit Rekenmachine

✖Elektronenmobiliteit beschrijft hoe snel elektronen door het materiaal kunnen bewegen als reactie op een elektrisch veld.ⓘ Elektronenmobiliteit [μ_n]			+10% -10%
✖Oxidecapaciteit verwijst naar de capaciteit die is geassocieerd met de isolerende oxidelaag in een metaaloxide-halfgeleiderstructuur (MOS), zoals in MOSFET's.ⓘ Oxidecapaciteit [C_ox]			+10% -10%
✖Transistorbreedte verwijst naar de breedte van het kanaalgebied in een MOSFET. Deze dimensie speelt een cruciale rol bij het bepalen van de elektrische kenmerken en prestaties van de transistor.ⓘ Transistorbreedte [W_t]			+10% -10%
✖Transistorlengte verwijst naar de lengte van het kanaalgebied in een MOSFET. Deze dimensie speelt een cruciale rol bij het bepalen van de elektrische kenmerken en prestaties van de transistor.ⓘ Lengte van de transistor [L_t]			+10% -10%
✖Afvoerstroom verwijst naar de stroom die vloeit tussen de afvoer- en bronaansluitingen van de transistor wanneer deze in bedrijf is.ⓘ Afvoerstroom [I_d]			+10% -10%

✖Transconductantie in MOSFET is een belangrijke parameter die de relatie tussen de ingangsspanning en de uitgangsstroom beschrijft.ⓘ MOSFET-transconductantie gegeven oxidecapaciteit [g_m]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

MOSFET-transconductantie gegeven oxidecapaciteit

Formule

`"g"_{"m"} = sqrt(2*"μ"_{"n"}*"C"_{"ox"}*("W"_{"t"}/"L"_{"t"})*"I"_{"d"})`

Voorbeeld

`"2.286578S"=sqrt(2*"30m²/V*s"*"3.9F"*("5.5μm"/"3.2μm")*"0.013A")`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden MOSFET-karakteristieken Formules Pdf PDF Image

MOSFET-transconductantie gegeven oxidecapaciteit Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Transconductantie in MOSFET = sqrt(2*Elektronenmobiliteit*Oxidecapaciteit*(Transistorbreedte/Lengte van de transistor)*Afvoerstroom)
g_m = sqrt(2*μ_n*C_ox*(W_t/L_t)*I_d)
Deze formule gebruikt 1 Functies, 6 Variabelen

Functies die worden gebruikt

sqrt - Een vierkantswortelfunctie is een functie die een niet-negatief getal als invoer neemt en de vierkantswortel van het gegeven invoergetal retourneert., sqrt(Number)

Variabelen gebruikt

Transconductantie in MOSFET - (Gemeten in Siemens) - Transconductantie in MOSFET is een belangrijke parameter die de relatie tussen de ingangsspanning en de uitgangsstroom beschrijft.
Elektronenmobiliteit - (Gemeten in Vierkante meter per volt per seconde) - Elektronenmobiliteit beschrijft hoe snel elektronen door het materiaal kunnen bewegen als reactie op een elektrisch veld.
Oxidecapaciteit - (Gemeten in Farad) - Oxidecapaciteit verwijst naar de capaciteit die is geassocieerd met de isolerende oxidelaag in een metaaloxide-halfgeleiderstructuur (MOS), zoals in MOSFET's.
Transistorbreedte - (Gemeten in Meter) - Transistorbreedte verwijst naar de breedte van het kanaalgebied in een MOSFET. Deze dimensie speelt een cruciale rol bij het bepalen van de elektrische kenmerken en prestaties van de transistor.
Lengte van de transistor - (Gemeten in Meter) - Transistorlengte verwijst naar de lengte van het kanaalgebied in een MOSFET. Deze dimensie speelt een cruciale rol bij het bepalen van de elektrische kenmerken en prestaties van de transistor.
Afvoerstroom - (Gemeten in Ampère) - Afvoerstroom verwijst naar de stroom die vloeit tussen de afvoer- en bronaansluitingen van de transistor wanneer deze in bedrijf is.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Elektronenmobiliteit: 30 Vierkante meter per volt per seconde --> 30 Vierkante meter per volt per seconde Geen conversie vereist
Oxidecapaciteit: 3.9 Farad --> 3.9 Farad Geen conversie vereist
Transistorbreedte: 5.5 Micrometer --> 5.5E-06 Meter (Bekijk de conversie hier)
Lengte van de transistor: 3.2 Micrometer --> 3.2E-06 Meter (Bekijk de conversie hier)
Afvoerstroom: 0.013 Ampère --> 0.013 Ampère Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

g_m = sqrt(2*μ_n*C_ox*(W_t/L_t)*I_d) --> sqrt(2*30*3.9*(5.5E-06/3.2E-06)*0.013)

Evalueren ... ...

g_m = 2.28657768291392

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

2.28657768291392 Siemens --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

2.28657768291392 ≈ 2.286578 Siemens <-- Transconductantie in MOSFET

(Berekening voltooid in 00.020 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » MOSFET » Analoge elektronica » MOSFET-karakteristieken » MOSFET-transconductantie gegeven oxidecapaciteit

Credits

Gemaakt door banuprakash

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Bangalore

banuprakash heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 50+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Santhosh Yadav

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 50+ rekenmachines!

< 16 MOSFET-karakteristieken Rekenmachines

Geleiding van kanaal van MOSFET met behulp van poort-naar-bronspanning

Gaan Geleiding van kanaal = Mobiliteit van elektronen aan het oppervlak van het kanaal*Oxidecapaciteit*Kanaalbreedte/Kanaallengte*(Gate-bronspanning-Drempelspanning)

MOSFET-transconductantie gegeven oxidecapaciteit

Gaan Transconductantie in MOSFET = sqrt(2*Elektronenmobiliteit*Oxidecapaciteit*(Transistorbreedte/Lengte van de transistor)*Afvoerstroom)

Spanningsversterking gegeven Belastingsweerstand van MOSFET

Gaan Spanningsversterking = Transconductantie*(1/(1/Belastingsweerstand+1/Uitgangsweerstand))/(1+Transconductantie*Bron weerstand)

Overgangsfrequentie van MOSFET

Gaan Overgangsfrequentie = Transconductantie/(2*pi*(Bronpoortcapaciteit+Gate-drain-capaciteit))

Maximale spanningsversterking op biaspunt

Gaan Maximale spanningsversterking = 2*(Voedingsspanning-Effectieve spanning)/(Effectieve spanning)

Spanningsversterking met klein signaal

Gaan Spanningsversterking = Transconductantie*1/(1/Belastingsweerstand+1/Eindige weerstand)

Spanningsversterking gegeven afvoerspanning

Gaan Spanningsversterking = (Afvoerstroom*Belastingsweerstand*2)/Effectieve spanning

Poort naar bronkanaalbreedte van MOSFET

Gaan Kanaalbreedte = Overlapcapaciteit/(Oxidecapaciteit*Overlappingslengte)

Lichaamseffect op transconductantie

Gaan Transconductantie van het lichaam = Verandering in drempel naar basisspanning*Transconductantie

Maximale spanningsversterking bij alle spanningen

Gaan Maximale spanningsversterking = (Voedingsspanning-0.3)/Thermische spanning

Verzadigingsspanning van MOSFET

Gaan Afvoer- en bronverzadigingsspanning = Gate-bronspanning-Drempelspanning

Voorspanning van MOSFET

Gaan Totale momentane biasspanning = DC-voorspanning+Gelijkstroomspanning

Versterkingsfactor in MOSFET-model met klein signaal

Gaan Versterkingsfactor = Transconductantie*Uitgangsweerstand

Transconductantie in MOSFET

Gaan Transconductantie = (2*Afvoerstroom)/Overdrive-spanning

Drempelspanning van MOSFET

Gaan Drempelspanning = Gate-bronspanning-Effectieve spanning

Geleiding in lineaire weerstand van MOSFET

Gaan Geleiding van kanaal = 1/Lineaire weerstand

MOSFET-transconductantie gegeven oxidecapaciteit Formule

Transconductantie in MOSFET = sqrt(2*Elektronenmobiliteit*Oxidecapaciteit*(Transistorbreedte/Lengte van de transistor)*Afvoerstroom)
g_m = sqrt(2*μ_n*C_ox*(W_t/L_t)*I_d)

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!