Transconductance MOSFET étant donné la capacité d'oxyde Calculatrice

✖La mobilité électronique décrit la rapidité avec laquelle les électrons peuvent se déplacer à travers le matériau en réponse à un champ électrique.ⓘ Mobilité électronique [μ_n]			+10% -10%
✖La capacité d'oxyde fait référence à la capacité associée à la couche d'oxyde isolante dans une structure métal-oxyde-semi-conducteur (MOS), comme dans les MOSFET.ⓘ Capacité d'oxyde [C_ox]			+10% -10%
✖La largeur du transistor fait référence à la largeur de la région du canal dans un MOSFET. Cette dimension joue un rôle crucial dans la détermination des caractéristiques électriques et des performances du transistor.ⓘ Largeur du transistor [W_t]			+10% -10%
✖La longueur du transistor fait référence à la longueur de la région du canal dans un MOSFET. Cette dimension joue un rôle crucial dans la détermination des caractéristiques électriques et des performances du transistor.ⓘ Longueur du transistor [L_t]			+10% -10%
✖Le courant de drain fait référence au courant circulant entre les bornes de drain et de source du transistor lorsqu'il est en fonctionnement.ⓘ Courant de vidange [I_d]			+10% -10%

✖La transconductance dans le MOSFET est un paramètre clé qui décrit la relation entre la tension d'entrée et le courant de sortie.ⓘ Transconductance MOSFET étant donné la capacité d'oxyde [g_m]

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Formule

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Transconductance MOSFET étant donné la capacité d'oxyde

Formule

`"g"_{"m"} = sqrt(2*"μ"_{"n"}*"C"_{"ox"}*("W"_{"t"}/"L"_{"t"})*"I"_{"d"})`

Exemple

`"2.286578S"=sqrt(2*"30m²/V*s"*"3.9F"*("5.5μm"/"3.2μm")*"0.013A")`

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Transconductance MOSFET étant donné la capacité d'oxyde Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Transconductance dans MOSFET = sqrt(2*Mobilité électronique*Capacité d'oxyde*(Largeur du transistor/Longueur du transistor)*Courant de vidange)
g_m = sqrt(2*μ_n*C_ox*(W_t/L_t)*I_d)
Cette formule utilise 1 Les fonctions, 6 Variables

Fonctions utilisées

sqrt - Une fonction racine carrée est une fonction qui prend un nombre non négatif comme entrée et renvoie la racine carrée du nombre d'entrée donné., sqrt(Number)

Variables utilisées

Transconductance dans MOSFET - (Mesuré en Siemens) - La transconductance dans le MOSFET est un paramètre clé qui décrit la relation entre la tension d'entrée et le courant de sortie.
Mobilité électronique - (Mesuré en Mètre carré par volt par seconde) - La mobilité électronique décrit la rapidité avec laquelle les électrons peuvent se déplacer à travers le matériau en réponse à un champ électrique.
Capacité d'oxyde - (Mesuré en Farad) - La capacité d'oxyde fait référence à la capacité associée à la couche d'oxyde isolante dans une structure métal-oxyde-semi-conducteur (MOS), comme dans les MOSFET.
Largeur du transistor - (Mesuré en Mètre) - La largeur du transistor fait référence à la largeur de la région du canal dans un MOSFET. Cette dimension joue un rôle crucial dans la détermination des caractéristiques électriques et des performances du transistor.
Longueur du transistor - (Mesuré en Mètre) - La longueur du transistor fait référence à la longueur de la région du canal dans un MOSFET. Cette dimension joue un rôle crucial dans la détermination des caractéristiques électriques et des performances du transistor.
Courant de vidange - (Mesuré en Ampère) - Le courant de drain fait référence au courant circulant entre les bornes de drain et de source du transistor lorsqu'il est en fonctionnement.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Mobilité électronique: 30 Mètre carré par volt par seconde --> 30 Mètre carré par volt par seconde Aucune conversion requise
Capacité d'oxyde: 3.9 Farad --> 3.9 Farad Aucune conversion requise
Largeur du transistor: 5.5 Micromètre --> 5.5E-06 Mètre (Vérifiez la conversion ici)
Longueur du transistor: 3.2 Micromètre --> 3.2E-06 Mètre (Vérifiez la conversion ici)
Courant de vidange: 0.013 Ampère --> 0.013 Ampère Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

g_m = sqrt(2*μ_n*C_ox*(W_t/L_t)*I_d) --> sqrt(2*30*3.9*(5.5E-06/3.2E-06)*0.013)

Évaluer ... ...

g_m = 2.28657768291392

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

2.28657768291392 Siemens --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

2.28657768291392 ≈ 2.286578 Siemens <-- Transconductance dans MOSFET

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par banuprakash

Collège d'ingénierie Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

banuprakash a créé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!

Vérifié par Santhosh Yadav

Collège d'ingénierie Dayananda Sagar (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav a validé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!

< 16 Caractéristiques du MOSFET Calculatrices

Conductance du canal du MOSFET utilisant la tension grille à source

Aller Conductance du canal = Mobilité des électrons à la surface du canal*Capacité d'oxyde*Largeur de canal/Longueur du canal*(Tension grille-source-Tension de seuil)

Transconductance MOSFET étant donné la capacité d'oxyde

Aller Transconductance dans MOSFET = sqrt(2*Mobilité électronique*Capacité d'oxyde*(Largeur du transistor/Longueur du transistor)*Courant de vidange)

Gain de tension donné Résistance de charge du MOSFET

Aller Gain de tension = Transconductance*(1/(1/Résistance à la charge+1/Résistance de sortie))/(1+Transconductance*Résistance à la source)

Fréquence de transition du MOSFET

Aller Fréquence de transition = Transconductance/(2*pi*(Capacité de la porte source+Capacité de vidange de porte))

Largeur du canal porte à source du MOSFET

Aller Largeur de canal = Capacité de chevauchement/(Capacité d'oxyde*Longueur de chevauchement)

Gain de tension maximal au point de polarisation

Aller Gain de tension maximal = 2*(Tension d'alimentation-Tension efficace)/(Tension efficace)

Gain de tension en utilisant un petit signal

Aller Gain de tension = Transconductance*1/(1/Résistance à la charge+1/Résistance finie)

Gain de tension donné Tension de drain

Aller Gain de tension = (Courant de vidange*Résistance à la charge*2)/Tension efficace

Effet corporel sur la transconductance

Aller Transconductance corporelle = Modification du seuil à la tension de base*Transconductance

Tension de polarisation du MOSFET

Aller Tension de polarisation instantanée totale = Tension de polarisation CC+Tension continue

Tension de saturation du MOSFET

Aller Tension de saturation du drain et de la source = Tension grille-source-Tension de seuil

Gain de tension maximum compte tenu de toutes les tensions

Aller Gain de tension maximal = (Tension d'alimentation-0.3)/Tension thermique

Transconductance dans MOSFET

Aller Transconductance = (2*Courant de vidange)/Tension de surmultiplication

Facteur d'amplification dans le modèle MOSFET à petit signal

Aller Facteur d'amplification = Transconductance*Résistance de sortie

Tension de seuil du MOSFET

Aller Tension de seuil = Tension grille-source-Tension efficace

Conductance dans la résistance linéaire du MOSFET

Aller Conductance du canal = 1/Résistance linéaire

Transconductance MOSFET étant donné la capacité d'oxyde Formule

Transconductance dans MOSFET = sqrt(2*Mobilité électronique*Capacité d'oxyde*(Largeur du transistor/Longueur du transistor)*Courant de vidange)
g_m = sqrt(2*μ_n*C_ox*(W_t/L_t)*I_d)

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