Transkonduktancja MOSFET przy danej pojemności tlenkowej Kalkulator

✖Mobilność elektronów opisuje, jak szybko elektrony mogą przemieszczać się przez materiał w odpowiedzi na pole elektryczne.ⓘ Mobilność elektronów [μ_n]			+10% -10%
✖Pojemność tlenkowa odnosi się do pojemności związanej z izolującą warstwą tlenku w strukturze metal-tlenek-półprzewodnik (MOS), takiej jak tranzystory MOSFET.ⓘ Pojemność tlenkowa [C_ox]			+10% -10%
✖Szerokość tranzystora odnosi się do szerokości obszaru kanału w MOSFET-ie. Wymiar ten odgrywa kluczową rolę w określaniu właściwości elektrycznych i wydajności tranzystora.ⓘ Szerokość tranzystora [W_t]			+10% -10%
✖Długość tranzystora odnosi się do długości obszaru kanału w MOSFET-ie. Wymiar ten odgrywa kluczową rolę w określaniu właściwości elektrycznych i wydajności tranzystora.ⓘ Długość tranzystora [L_t]			+10% -10%
✖Prąd drenu odnosi się do prądu przepływającego pomiędzy zaciskami drenu i źródła tranzystora podczas jego pracy.ⓘ Prąd spustowy [I_d]			+10% -10%

✖Transkonduktancja w MOSFET-ie jest kluczowym parametrem opisującym zależność pomiędzy napięciem wejściowym i prądem wyjściowym.ⓘ Transkonduktancja MOSFET przy danej pojemności tlenkowej [g_m]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Transkonduktancja MOSFET przy danej pojemności tlenkowej

Formuła

`"g"_{"m"} = sqrt(2*"μ"_{"n"}*"C"_{"ox"}*("W"_{"t"}/"L"_{"t"})*"I"_{"d"})`

Przykład

`"2.286578S"=sqrt(2*"30m²/V*s"*"3.9F"*("5.5μm"/"3.2μm")*"0.013A")`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Charakterystyka MOSFET-u Formuły PDF PDF Image

Transkonduktancja MOSFET przy danej pojemności tlenkowej Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Transkonduktancja w MOSFET-ie = sqrt(2*Mobilność elektronów*Pojemność tlenkowa*(Szerokość tranzystora/Długość tranzystora)*Prąd spustowy)
g_m = sqrt(2*μ_n*C_ox*(W_t/L_t)*I_d)
Ta formuła używa 1 Funkcje, 6 Zmienne

Używane funkcje

sqrt - Funkcja pierwiastka kwadratowego to funkcja, która jako dane wejściowe przyjmuje liczbę nieujemną i zwraca pierwiastek kwadratowy z podanej liczby wejściowej., sqrt(Number)

Używane zmienne

Transkonduktancja w MOSFET-ie - (Mierzone w Siemens) - Transkonduktancja w MOSFET-ie jest kluczowym parametrem opisującym zależność pomiędzy napięciem wejściowym i prądem wyjściowym.
Mobilność elektronów - (Mierzone w Metr kwadratowy na wolt na sekundę) - Mobilność elektronów opisuje, jak szybko elektrony mogą przemieszczać się przez materiał w odpowiedzi na pole elektryczne.
Pojemność tlenkowa - (Mierzone w Farad) - Pojemność tlenkowa odnosi się do pojemności związanej z izolującą warstwą tlenku w strukturze metal-tlenek-półprzewodnik (MOS), takiej jak tranzystory MOSFET.
Szerokość tranzystora - (Mierzone w Metr) - Szerokość tranzystora odnosi się do szerokości obszaru kanału w MOSFET-ie. Wymiar ten odgrywa kluczową rolę w określaniu właściwości elektrycznych i wydajności tranzystora.
Długość tranzystora - (Mierzone w Metr) - Długość tranzystora odnosi się do długości obszaru kanału w MOSFET-ie. Wymiar ten odgrywa kluczową rolę w określaniu właściwości elektrycznych i wydajności tranzystora.
Prąd spustowy - (Mierzone w Amper) - Prąd drenu odnosi się do prądu przepływającego pomiędzy zaciskami drenu i źródła tranzystora podczas jego pracy.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Mobilność elektronów: 30 Metr kwadratowy na wolt na sekundę --> 30 Metr kwadratowy na wolt na sekundę Nie jest wymagana konwersja
Pojemność tlenkowa: 3.9 Farad --> 3.9 Farad Nie jest wymagana konwersja
Szerokość tranzystora: 5.5 Mikrometr --> 5.5E-06 Metr (Sprawdź konwersję tutaj)
Długość tranzystora: 3.2 Mikrometr --> 3.2E-06 Metr (Sprawdź konwersję tutaj)
Prąd spustowy: 0.013 Amper --> 0.013 Amper Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

g_m = sqrt(2*μ_n*C_ox*(W_t/L_t)*I_d) --> sqrt(2*30*3.9*(5.5E-06/3.2E-06)*0.013)

Ocenianie ... ...

g_m = 2.28657768291392

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

2.28657768291392 Siemens --> Nie jest wymagana konwersja

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

2.28657768291392 ≈ 2.286578 Siemens <-- Transkonduktancja w MOSFET-ie

(Obliczenie zakończone za 00.020 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » MOSFET » Elektronika analogowa » Charakterystyka MOSFET-u » Transkonduktancja MOSFET przy danej pojemności tlenkowej

Kredyty

Stworzone przez banuprakasz

Szkoła Inżynierska Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

banuprakasz utworzył ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Santhosh Yadav

Szkoła Inżynierska Dayananda Sagar (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav zweryfikował ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!

< 16 Charakterystyka MOSFET-u Kalkulatory

Przewodnictwo kanału MOSFET przy użyciu napięcia bramki-źródła

Iść Przewodnictwo kanału = Ruchliwość elektronów na powierzchni kanału*Pojemność tlenkowa*Szerokość kanału/Długość kanału*(Napięcie bramka-źródło-Próg napięcia)

Transkonduktancja MOSFET przy danej pojemności tlenkowej

Iść Transkonduktancja w MOSFET-ie = sqrt(2*Mobilność elektronów*Pojemność tlenkowa*(Szerokość tranzystora/Długość tranzystora)*Prąd spustowy)

Wzmocnienie napięcia przy danej rezystancji obciążenia MOSFET

Iść Wzmocnienie napięcia = Transkonduktancja*(1/(1/Odporność na obciążenie+1/Rezystancja wyjściowa))/(1+Transkonduktancja*Opór źródła)

Częstotliwość przejścia MOSFET

Iść Częstotliwość przejścia = Transkonduktancja/(2*pi*(Pojemność bramki źródłowej+Pojemność bramowo-drenowa))

Maksymalne wzmocnienie napięcia w punkcie polaryzacji

Iść Maksymalne wzmocnienie napięcia = 2*(Napięcie zasilania-Efektywne napięcie)/(Efektywne napięcie)

Wzmocnienie napięcia za pomocą małego sygnału

Iść Wzmocnienie napięcia = Transkonduktancja*1/(1/Odporność na obciążenie+1/Skończony opór)

Wzmocnienie napięcia przy danym napięciu drenu

Iść Wzmocnienie napięcia = (Prąd spustowy*Odporność na obciążenie*2)/Efektywne napięcie

Szerokość kanału bramki do źródła MOSFET

Iść Szerokość kanału = Pojemność nakładania się/(Pojemność tlenkowa*Długość zakładki)

Wpływ ciała na transkonduktancję

Iść Transkonduktancja ciała = Zmiana wartości progowej na napięcie podstawowe*Transkonduktancja

Napięcie polaryzacji MOSFET-u

Iść Całkowite chwilowe napięcie polaryzacji = Napięcie polaryzacji DC+Napięcie prądu stałego

Maksymalne wzmocnienie napięcia przy wszystkich napięciach

Iść Maksymalne wzmocnienie napięcia = (Napięcie zasilania-0.3)/Napięcie termiczne

Napięcie nasycenia tranzystora MOSFET

Iść Napięcie nasycenia drenu i źródła = Napięcie bramka-źródło-Próg napięcia

Współczynnik wzmocnienia w modelu małego sygnału MOSFET

Iść Współczynnik wzmocnienia = Transkonduktancja*Rezystancja wyjściowa

Transprzewodnictwo w MOSFET-ie

Iść Transkonduktancja = (2*Prąd spustowy)/Napięcie przesterowania

Napięcie progowe MOSFET-u

Iść Próg napięcia = Napięcie bramka-źródło-Efektywne napięcie

Przewodnictwo w rezystancji liniowej MOSFET-u

Iść Przewodnictwo kanału = 1/Opór liniowy

Transkonduktancja MOSFET przy danej pojemności tlenkowej Formułę

Transkonduktancja w MOSFET-ie = sqrt(2*Mobilność elektronów*Pojemność tlenkowa*(Szerokość tranzystora/Długość tranzystora)*Prąd spustowy)
g_m = sqrt(2*μ_n*C_ox*(W_t/L_t)*I_d)

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!