Transcondutância MOSFET dada capacitância de óxido Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Transcondutância em MOSFET = sqrt(2*Mobilidade Eletrônica*Capacitância de Óxido*(Largura do transistor/Comprimento do transistor)*Corrente de drenagem)
gm = sqrt(2*μn*Cox*(Wt/Lt)*Id)
Esta fórmula usa 1 Funções, 6 Variáveis
Funções usadas
sqrt - Uma função de raiz quadrada é uma função que recebe um número não negativo como entrada e retorna a raiz quadrada do número de entrada fornecido., sqrt(Number)
Variáveis Usadas
Transcondutância em MOSFET - (Medido em Siemens) - A transcondutância no MOSFET é um parâmetro chave que descreve a relação entre a tensão de entrada e a corrente de saída.
Mobilidade Eletrônica - (Medido em Metro quadrado por volt por segundo) - A mobilidade eletrônica descreve a rapidez com que os elétrons podem se mover através do material em resposta a um campo elétrico.
Capacitância de Óxido - (Medido em Farad) - Capacitância de óxido refere-se à capacitância associada à camada isolante de óxido em uma estrutura de metal-óxido-semicondutor (MOS), como em MOSFETs.
Largura do transistor - (Medido em Metro) - A largura do transistor refere-se à largura da região do canal em um MOSFET. Esta dimensão desempenha um papel crucial na determinação das características elétricas e do desempenho do transistor.
Comprimento do transistor - (Medido em Metro) - O comprimento do transistor refere-se ao comprimento da região do canal em um MOSFET. Esta dimensão desempenha um papel crucial na determinação das características elétricas e do desempenho do transistor.
Corrente de drenagem - (Medido em Ampere) - Corrente de drenagem refere-se à corrente que flui entre os terminais de drenagem e fonte do transistor quando ele está em operação.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Mobilidade Eletrônica: 30 Metro quadrado por volt por segundo --> 30 Metro quadrado por volt por segundo Nenhuma conversão necessária
Capacitância de Óxido: 3.9 Farad --> 3.9 Farad Nenhuma conversão necessária
Largura do transistor: 5.5 Micrômetro --> 5.5E-06 Metro (Verifique a conversão ​aqui)
Comprimento do transistor: 3.2 Micrômetro --> 3.2E-06 Metro (Verifique a conversão ​aqui)
Corrente de drenagem: 0.013 Ampere --> 0.013 Ampere Nenhuma conversão necessária
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
gm = sqrt(2*μn*Cox*(Wt/Lt)*Id) --> sqrt(2*30*3.9*(5.5E-06/3.2E-06)*0.013)
Avaliando ... ...
gm = 2.28657768291392
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
2.28657768291392 Siemens --> Nenhuma conversão necessária
RESPOSTA FINAL
2.28657768291392 2.286578 Siemens <-- Transcondutância em MOSFET
(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

Créditos

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Criado por banuprakash
Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore
banuprakash criou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!
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Verificado por Santosh Yadav
Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar (DSCE), Banglore
Santosh Yadav verificou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!

16 Características MOSFET Calculadoras

Condutância do canal do MOSFET usando tensão Gate to Source
​ Vai Condutância do Canal = Mobilidade de elétrons na superfície do canal*Capacitância de Óxido*Largura de banda/Comprimento do canal*(Tensão Gate-Fonte-Tensão de limiar)
Transcondutância MOSFET dada capacitância de óxido
​ Vai Transcondutância em MOSFET = sqrt(2*Mobilidade Eletrônica*Capacitância de Óxido*(Largura do transistor/Comprimento do transistor)*Corrente de drenagem)
Ganho de tensão dado a resistência de carga do MOSFET
​ Vai Ganho de tensão = Transcondutância*(1/(1/Resistência de carga+1/Resistência de saída))/(1+Transcondutância*Resistência da fonte)
Frequência de Transição do MOSFET
​ Vai Frequência de transição = Transcondutância/(2*pi*(Capacitância da porta de origem+Capacitância Gate-Dreno))
Largura do portão para o canal de origem do MOSFET
​ Vai Largura de banda = Capacitância de sobreposição/(Capacitância de Óxido*Comprimento da sobreposição)
Ganho de tensão máximo no ponto de polarização
​ Vai Ganho Máximo de Tensão = 2*(Tensão de alimentação-Tensão Efetiva)/(Tensão Efetiva)
Ganho de tensão usando sinal pequeno
​ Vai Ganho de tensão = Transcondutância*1/(1/Resistência de carga+1/Resistência Finita)
Ganho de tensão dada tensão de dreno
​ Vai Ganho de tensão = (Corrente de drenagem*Resistência de carga*2)/Tensão Efetiva
Tensão de polarização do MOSFET
​ Vai Tensão de polarização instantânea total = Tensão de polarização CC+Voltagem de corrente contínua
Efeito Corporal na Transcondutância
​ Vai Transcondutância Corporal = Alteração no limite para a tensão de base*Transcondutância
Tensão de saturação do MOSFET
​ Vai Tensão de saturação de dreno e fonte = Tensão Gate-Fonte-Tensão de limiar
Ganho máximo de tensão considerando todas as tensões
​ Vai Ganho Máximo de Tensão = (Tensão de alimentação-0.3)/Tensão Térmica
Transcondutância em MOSFET
​ Vai Transcondutância = (2*Corrente de drenagem)/Tensão de ultrapassagem
Fator de amplificação no modelo MOSFET de sinal pequeno
​ Vai Fator de Amplificação = Transcondutância*Resistência de saída
Tensão limite do MOSFET
​ Vai Tensão de limiar = Tensão Gate-Fonte-Tensão Efetiva
Condutância na Resistência Linear do MOSFET
​ Vai Condutância do Canal = 1/Resistência Linear

Transcondutância MOSFET dada capacitância de óxido Fórmula

Transcondutância em MOSFET = sqrt(2*Mobilidade Eletrônica*Capacitância de Óxido*(Largura do transistor/Comprimento do transistor)*Corrente de drenagem)
gm = sqrt(2*μn*Cox*(Wt/Lt)*Id)
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