Крутизна МОП-транзистора с учетом оксидной емкости Калькулятор

✖Подвижность электронов описывает, насколько быстро электроны могут перемещаться через материал в ответ на электрическое поле.ⓘ Электронная подвижность [μ_n]			+10% -10%
✖Оксидная емкость относится к емкости, связанной с изолирующим оксидным слоем в структуре металл-оксид-полупроводник (МОП), например, в МОП-транзисторах.ⓘ Оксидная емкость [C_ox]			+10% -10%
✖Ширина транзистора относится к ширине области канала в MOSFET. Этот размер играет решающую роль в определении электрических характеристик и производительности транзистора.ⓘ Ширина транзистора [W_t]			+10% -10%
✖Длина транзистора относится к длине области канала в MOSFET. Этот размер играет решающую роль в определении электрических характеристик и производительности транзистора.ⓘ Длина транзистора [L_t]			+10% -10%
✖Ток стока относится к току, протекающему между клеммами стока и истока транзистора, когда он работает.ⓘ Ток стока [I_d]			+10% -10%

✖Крутизна МОП-транзистора является ключевым параметром, который описывает взаимосвязь между входным напряжением и выходным током.ⓘ Крутизна МОП-транзистора с учетом оксидной емкости [g_m]

⎘ копия

👎

Формула

✖

Крутизна МОП-транзистора с учетом оксидной емкости

Формула

`"g"_{"m"} = sqrt(2*"μ"_{"n"}*"C"_{"ox"}*("W"_{"t"}/"L"_{"t"})*"I"_{"d"})`

Пример

`"2.286578S"=sqrt(2*"30m²/V*s"*"3.9F"*("5.5μm"/"3.2μm")*"0.013A")`

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать Характеристики МОП-транзистора Формулы PDF PDF Image

Крутизна МОП-транзистора с учетом оксидной емкости Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Крутизна МОП-транзистора = sqrt(2*Электронная подвижность*Оксидная емкость*(Ширина транзистора/Длина транзистора)*Ток стока)
g_m = sqrt(2*μ_n*C_ox*(W_t/L_t)*I_d)
В этой формуле используются 1 Функции, 6 Переменные

Используемые функции

sqrt - Функция извлечения квадратного корня — это функция, которая принимает на вход неотрицательное число и возвращает квадратный корень из заданного входного числа., sqrt(Number)

Используемые переменные

Крутизна МОП-транзистора - (Измеряется в Сименс) - Крутизна МОП-транзистора является ключевым параметром, который описывает взаимосвязь между входным напряжением и выходным током.
Электронная подвижность - (Измеряется в Квадратный метр на вольт в секунду) - Подвижность электронов описывает, насколько быстро электроны могут перемещаться через материал в ответ на электрическое поле.
Оксидная емкость - (Измеряется в фарада) - Оксидная емкость относится к емкости, связанной с изолирующим оксидным слоем в структуре металл-оксид-полупроводник (МОП), например, в МОП-транзисторах.
Ширина транзистора - (Измеряется в метр) - Ширина транзистора относится к ширине области канала в MOSFET. Этот размер играет решающую роль в определении электрических характеристик и производительности транзистора.
Длина транзистора - (Измеряется в метр) - Длина транзистора относится к длине области канала в MOSFET. Этот размер играет решающую роль в определении электрических характеристик и производительности транзистора.
Ток стока - (Измеряется в Ампер) - Ток стока относится к току, протекающему между клеммами стока и истока транзистора, когда он работает.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Электронная подвижность: 30 Квадратный метр на вольт в секунду --> 30 Квадратный метр на вольт в секунду Конверсия не требуется
Оксидная емкость: 3.9 фарада --> 3.9 фарада Конверсия не требуется
Ширина транзистора: 5.5 микрометр --> 5.5E-06 метр (Проверьте преобразование здесь)
Длина транзистора: 3.2 микрометр --> 3.2E-06 метр (Проверьте преобразование здесь)
Ток стока: 0.013 Ампер --> 0.013 Ампер Конверсия не требуется

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

g_m = sqrt(2*μ_n*C_ox*(W_t/L_t)*I_d) --> sqrt(2*30*3.9*(5.5E-06/3.2E-06)*0.013)

Оценка ... ...

g_m = 2.28657768291392

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

2.28657768291392 Сименс --> Конверсия не требуется

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

2.28657768291392 ≈ 2.286578 Сименс <-- Крутизна МОП-транзистора

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » МОП-транзистор » Аналоговая электроника » Характеристики МОП-транзистора » Крутизна МОП-транзистора с учетом оксидной емкости

Кредиты

Сделано банупракаш

Инженерный колледж Даянанда Сагар (ДСКЭ), Бангалор

банупракаш создал этот калькулятор и еще 50+!

Проверено Сантош Ядав

Инженерный колледж Даянанды Сагара (ДСКЭ), Банглор

Сантош Ядав проверил этот калькулятор и еще 50+!

< 16 Характеристики МОП-транзистора Калькуляторы

Проводимость канала МОП-транзистора с использованием напряжения «затвор-источник»

Идти Проводимость канала = Мобильность электронов на поверхности канала*Оксидная емкость*ширина канала/Длина канала*(Напряжение затвор-исток-Пороговое напряжение)

Крутизна МОП-транзистора с учетом оксидной емкости

Идти Крутизна МОП-транзистора = sqrt(2*Электронная подвижность*Оксидная емкость*(Ширина транзистора/Длина транзистора)*Ток стока)

Коэффициент усиления по напряжению при заданном сопротивлении нагрузки MOSFET

Идти Усиление напряжения = крутизна*(1/(1/Сопротивление нагрузки+1/Выходное сопротивление))/(1+крутизна*Сопротивление источника)

Частота перехода MOSFET

Идти Частота перехода = крутизна/(2*pi*(Емкость затвора источника+Емкость затвор-сток))

Максимальное усиление напряжения в точке смещения

Идти Максимальное усиление напряжения = 2*(Напряжение питания-Эффективное напряжение)/(Эффективное напряжение)

Усиление напряжения с использованием слабого сигнала

Идти Усиление напряжения = крутизна*1/(1/Сопротивление нагрузки+1/Конечное сопротивление)

Усиление напряжения при заданном напряжении стока

Идти Усиление напряжения = (Ток стока*Сопротивление нагрузки*2)/Эффективное напряжение

Ширина канала от шлюза к источнику MOSFET

Идти ширина канала = Емкость перекрытия/(Оксидная емкость*Длина перекрытия)

Напряжение смещения MOSFET

Идти Общее мгновенное напряжение смещения = Напряжение смещения постоянного тока+Постоянное напряжение

Влияние тела на транспроводимость

Идти Транспроводимость тела = Изменение порогового значения базового напряжения*крутизна

Напряжение насыщения MOSFET

Идти Напряжение насыщения стока и истока = Напряжение затвор-исток-Пороговое напряжение

Максимальное усиление напряжения при всех напряжениях

Идти Максимальное усиление напряжения = (Напряжение питания-0.3)/Тепловое напряжение

Пороговое напряжение MOSFET

Идти Пороговое напряжение = Напряжение затвор-исток-Эффективное напряжение

Коэффициент усиления в модели MOSFET с малым сигналом

Идти Коэффициент усиления = крутизна*Выходное сопротивление

Крутизна МОП-транзистора

Идти крутизна = (2*Ток стока)/Повышенное напряжение

Проводимость в линейном сопротивлении MOSFET

Идти Проводимость канала = 1/Линейное сопротивление

Крутизна МОП-транзистора с учетом оксидной емкости формула

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!