Voltaje de umbral cuando MOSFET actúa como amplificador Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Voltaje de umbral = Voltaje puerta-fuente-Voltaje efectivo
Vth = Vgs-Veff
Esta fórmula usa 3 Variables
Variables utilizadas
Voltaje de umbral - (Medido en Voltio) - El voltaje de umbral, también conocido como voltaje de umbral de puerta o simplemente Vth, es un parámetro crítico en el funcionamiento de los transistores de efecto de campo, que son componentes fundamentales en la electrónica moderna.
Voltaje puerta-fuente - (Medido en Voltio) - El voltaje de la fuente de puerta es un parámetro crítico que afecta el funcionamiento de un FET y, a menudo, se usa para controlar el comportamiento del dispositivo.
Voltaje efectivo - (Medido en Voltio) - El voltaje efectivo en un MOSFET (transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico) es el voltaje que determina el comportamiento del dispositivo. También se conoce como voltaje puerta-fuente.
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Voltaje puerta-fuente: 4 Voltio --> 4 Voltio No se requiere conversión
Voltaje efectivo: 1.7 Voltio --> 1.7 Voltio No se requiere conversión
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
Vth = Vgs-Veff --> 4-1.7
Evaluar ... ...
Vth = 2.3
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
2.3 Voltio --> No se requiere conversión
RESPUESTA FINAL
2.3 Voltio <-- Voltaje de umbral
(Cálculo completado en 00.004 segundos)

Créditos

Creator Image
Creado por Payal Priya
Instituto de Tecnología Birsa (POCO), Sindri
¡Payal Priya ha creado esta calculadora y 600+ más calculadoras!
Verifier Image
Verificada por Prahalad Singh
Escuela de Ingeniería y Centro de Investigación de Jaipur (JECRC), Jaipur
¡Prahalad Singh ha verificado esta calculadora y 10+ más calculadoras!

20 Voltaje Calculadoras

Conductancia del canal de MOSFET usando voltaje de puerta a fuente
​ Vamos Conductancia del canal = Movilidad de electrones en la superficie del canal.*Capacitancia de óxido*Ancho de banda/Longitud del canal*(Voltaje puerta-fuente-Voltaje de umbral)
Voltaje de salida de puerta común
​ Vamos Tensión de salida = -(Transconductancia*Voltaje crítico)*((Resistencia de carga*Resistencia de la puerta)/(Resistencia de la puerta+Resistencia de carga))
Voltaje a través de la puerta y la fuente del MOSFET en funcionamiento con voltaje de entrada diferencial
​ Vamos Voltaje puerta-fuente = Voltaje de umbral+sqrt((2*Corriente de polarización de CC)/(Parámetro de transconductancia del proceso*Relación de aspecto))
Voltaje de salida en el drenaje Q1 de MOSFET dada la señal de modo común
​ Vamos Voltaje de drenaje Q1 = -Resistencia de salida*(Transconductancia*Señal de entrada de modo común)/(1+(2*Transconductancia*Resistencia de salida))
Voltaje de entrada de fuente
​ Vamos Voltaje de entrada de fuente = Voltaje de entrada*(Resistencia del amplificador de entrada/(Resistencia del amplificador de entrada+Resistencia de fuente equivalente))
Voltaje de entrada de puerta a fuente
​ Vamos Voltaje crítico = (Resistencia del amplificador de entrada/(Resistencia del amplificador de entrada+Resistencia de fuente equivalente))*Voltaje de entrada
Voltaje a través de la puerta y la fuente del MOSFET dada la corriente de entrada
​ Vamos Voltaje puerta-fuente = Corriente de entrada/(Frecuencia angular*(Capacitancia de puerta de fuente+Capacitancia de drenaje de puerta))
Voltaje positivo dado parámetro de dispositivo en MOSFET
​ Vamos Corriente de entrada = Voltaje puerta-fuente*(Frecuencia angular*(Capacitancia de puerta de fuente+Capacitancia de drenaje de puerta))
Voltaje de salida en el drenaje Q2 de MOSFET dada la señal de modo común
​ Vamos Voltaje de drenaje Q2 = -(Resistencia de salida/((1/Transconductancia)+2*Resistencia de salida))*Señal de entrada de modo común
Voltaje de sobremarcha cuando MOSFET actúa como amplificador con resistencia de carga
​ Vamos Transconductancia = Corriente Total/(Señal de entrada de modo común-(2*Corriente Total*Resistencia de salida))
Señal de voltaje incremental del amplificador diferencial
​ Vamos Señal de entrada de modo común = (Corriente Total/Transconductancia)+(2*Corriente Total*Resistencia de salida)
Voltaje en el drenaje Q1 de MOSFET
​ Vamos Tensión de salida = -(Resistencia de carga total de MOSFET/(2*Resistencia de salida))*Señal de entrada de modo común
Voltaje en el drenaje Q2 en MOSFET
​ Vamos Tensión de salida = -(Resistencia de carga total de MOSFET/(2*Resistencia de salida))*Señal de entrada de modo común
Voltaje de saturación de MOSFET
​ Vamos Voltaje de saturación de fuente y drenaje = Voltaje puerta-fuente-Voltaje de umbral
Voltaje de sobremarcha
​ Vamos Voltaje de sobremarcha = (2*Corriente de drenaje)/Transconductancia
Voltaje de salida en el drenaje Q1 de MOSFET
​ Vamos Voltaje de drenaje Q1 = -(Resistencia de salida*Corriente Total)
Voltaje de salida en el drenaje Q2 de MOSFET
​ Vamos Voltaje de drenaje Q2 = -(Resistencia de salida*Corriente Total)
Voltaje a través de la puerta a la fuente del MOSFET en el voltaje de entrada diferencial dado el voltaje de sobremarcha
​ Vamos Voltaje puerta-fuente = Voltaje de umbral+1.4*Voltaje efectivo
Voltaje de umbral cuando MOSFET actúa como amplificador
​ Vamos Voltaje de umbral = Voltaje puerta-fuente-Voltaje efectivo
Voltaje umbral de MOSFET
​ Vamos Voltaje de umbral = Voltaje puerta-fuente-Voltaje efectivo

Voltaje de umbral cuando MOSFET actúa como amplificador Fórmula

Voltaje de umbral = Voltaje puerta-fuente-Voltaje efectivo
Vth = Vgs-Veff

¿Cómo actúa MOSFET como amplificador?

Un pequeño cambio en el voltaje de la puerta produce un gran cambio en la corriente de drenaje como en JFET. Este hecho hace que MOSFET sea capaz de aumentar la fuerza de una señal débil; actuando así como un amplificador. Durante el semiciclo positivo de la señal, el voltaje positivo en la puerta aumenta y produce el modo de mejora.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!