Tension de seuil lorsque MOSFET agit comme amplificateur Calculatrice

✖La tension grille-source est un paramètre critique qui affecte le fonctionnement d'un FET et est souvent utilisée pour contrôler le comportement du dispositif.ⓘ Tension grille-source [V_gs]			+10% -10%
✖La tension effective dans un MOSFET (Transistor à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur) est la tension qui détermine le comportement de l'appareil. Elle est également connue sous le nom de tension grille-source.ⓘ Tension efficace [V_eff]			+10% -10%

✖La tension de seuil, également connue sous le nom de tension de seuil de grille ou simplement Vth, est un paramètre critique dans le fonctionnement des transistors à effet de champ, qui sont des composants fondamentaux de l'électronique moderne.ⓘ Tension de seuil lorsque MOSFET agit comme amplificateur [V_th]

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Formule

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Tension de seuil lorsque MOSFET agit comme amplificateur

Formule

`"V"_{"th"} = "V"_{"gs"}-"V"_{"eff"}`

Exemple

`"2.3V"="4V"-"1.7V"`

Calculatrice

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Tension de seuil lorsque MOSFET agit comme amplificateur Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Tension de seuil = Tension grille-source-Tension efficace
V_th = V_gs-V_eff
Cette formule utilise 3 Variables

Variables utilisées

Tension de seuil - (Mesuré en Volt) - La tension de seuil, également connue sous le nom de tension de seuil de grille ou simplement Vth, est un paramètre critique dans le fonctionnement des transistors à effet de champ, qui sont des composants fondamentaux de l'électronique moderne.
Tension grille-source - (Mesuré en Volt) - La tension grille-source est un paramètre critique qui affecte le fonctionnement d'un FET et est souvent utilisée pour contrôler le comportement du dispositif.
Tension efficace - (Mesuré en Volt) - La tension effective dans un MOSFET (Transistor à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur) est la tension qui détermine le comportement de l'appareil. Elle est également connue sous le nom de tension grille-source.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Tension grille-source: 4 Volt --> 4 Volt Aucune conversion requise
Tension efficace: 1.7 Volt --> 1.7 Volt Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

V_th = V_gs-V_eff --> 4-1.7

Évaluer ... ...

V_th = 2.3

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

2.3 Volt --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

2.3 Volt <-- Tension de seuil

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Payal Priya

Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri

Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

Vérifié par Prahalad Singh

Collège d'ingénierie et centre de recherche de Jaipur (JECRC), Jaipur

Prahalad Singh a validé cette calculatrice et 10+ autres calculatrices!

< 20 Tension Calculatrices

Conductance du canal du MOSFET utilisant la tension grille à source

Aller Conductance du canal = Mobilité des électrons à la surface du canal*Capacité d'oxyde*Largeur de canal/Longueur du canal*(Tension grille-source-Tension de seuil)

Tension de sortie de porte commune

Aller Tension de sortie = -(Transconductance*Tension critique)*((Résistance à la charge*Résistance de porte)/(Résistance de porte+Résistance à la charge))

Tension de sortie au drain Q1 du MOSFET donné Signal de mode commun

Aller Tension de vidange Q1 = -Résistance de sortie*(Transconductance*Signal d'entrée en mode commun)/(1+(2*Transconductance*Résistance de sortie))

Tension aux bornes de la grille et de la source du MOSFET en fonctionnement avec une tension d'entrée différentielle

Aller Tension grille-source = Tension de seuil+sqrt((2*Courant de polarisation CC)/(Paramètre de transconductance de processus*Ratio d'aspect))

Tension d'entrée source

Aller Tension d'entrée source = Tension d'entrée*(Résistance de l'amplificateur d'entrée/(Résistance de l'amplificateur d'entrée+Résistance de source équivalente))

Tension porte-source d'entrée

Aller Tension critique = (Résistance de l'amplificateur d'entrée/(Résistance de l'amplificateur d'entrée+Résistance de source équivalente))*Tension d'entrée

Tension de sortie au drain Q2 du MOSFET donné Signal de mode commun

Aller Tension de vidange Q2 = -(Résistance de sortie/((1/Transconductance)+2*Résistance de sortie))*Signal d'entrée en mode commun

Tension aux bornes de la porte et de la source du MOSFET compte tenu du courant d'entrée

Aller Tension grille-source = Courant d'entrée/(Fréquence angulaire*(Capacité de la porte source+Capacité de vidange de porte))

Tension positive donnée Paramètre de l'appareil dans le MOSFET

Aller Courant d'entrée = Tension grille-source*(Fréquence angulaire*(Capacité de la porte source+Capacité de vidange de porte))

Tension de surmultiplication lorsque MOSFET agit comme amplificateur avec résistance de charge

Aller Transconductance = Courant total/(Signal d'entrée en mode commun-(2*Courant total*Résistance de sortie))

Signal de tension incrémental de l'amplificateur différentiel

Aller Signal d'entrée en mode commun = (Courant total/Transconductance)+(2*Courant total*Résistance de sortie)

Tension au drain Q2 dans MOSFET

Aller Tension de sortie = -(Résistance de charge totale du MOSFET/(2*Résistance de sortie))*Signal d'entrée en mode commun

Tension au drain Q1 du MOSFET

Aller Tension de sortie = -(Résistance de charge totale du MOSFET/(2*Résistance de sortie))*Signal d'entrée en mode commun

Tension de saturation du MOSFET

Aller Tension de saturation du drain et de la source = Tension grille-source-Tension de seuil

Tension de surmultiplication

Aller Tension de surmultiplication = (2*Courant de vidange)/Transconductance

Tension aux bornes de la porte à la source du MOSFET sur la tension d'entrée différentielle donnée à la tension de surcharge

Aller Tension grille-source = Tension de seuil+1.4*Tension efficace

Tension de sortie au drain Q1 du MOSFET

Aller Tension de vidange Q1 = -(Résistance de sortie*Courant total)

Tension de sortie au drain Q2 du MOSFET

Aller Tension de vidange Q2 = -(Résistance de sortie*Courant total)

Tension de seuil lorsque MOSFET agit comme amplificateur

Aller Tension de seuil = Tension grille-source-Tension efficace

Tension de seuil du MOSFET

Aller Tension de seuil = Tension grille-source-Tension efficace

Tension de seuil lorsque MOSFET agit comme amplificateur Formule

Tension de seuil = Tension grille-source-Tension efficace
V_th = V_gs-V_eff

Comment le MOSFET agit-il comme un amplificateur?

Un petit changement de tension de grille produit un grand changement de courant de drain comme dans JFET. Ce fait rend le MOSFET capable d'augmenter la force d'un signal faible; agissant ainsi comme un amplificateur. Pendant le demi-cycle positif du signal, la tension positive sur la grille augmente et produit le mode d'amélioration.

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