Écart de bande d'énergie Calculatrice

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Caractéristiques des semi-conducteurs

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Paramètres électrostatiques

✖Energy Band Gap à 0K décrit l'influence des photons sur l'énergie de la bande interdite à une température de 0K.ⓘ Écart de bande d'énergie à 0K [E_G0]			+10% -10%
✖La température est le degré ou l'intensité de la chaleur présente dans une substance ou un objet.ⓘ Température [T]			+10% -10%
✖La constante spécifique au matériau est définie comme la constante déterminée expérimentalement et qui diffère d'un matériau à l'autre.ⓘ Constante spécifique au matériau [β_k]			+10% -10%

✖Energy Band Gap décrit l'influence des photons sur l'énergie de la bande interdite.ⓘ Écart de bande d'énergie [E_g]

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Formule

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Écart de bande d'énergie

Formule

`"E"_{"g"} = "E"_{"G0"}-("T"*"β"_{"k"})`

Exemple

`"0.765601eV"="0.87eV"-("290K"*"5.7678e-23J/K")`

Calculatrice

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Écart de bande d'énergie Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Écart de bande d'énergie = Écart de bande d'énergie à 0K-(Température*Constante spécifique au matériau)
E_g = E_G0-(T*β_k)
Cette formule utilise 4 Variables

Variables utilisées

Écart de bande d'énergie - (Mesuré en Joule) - Energy Band Gap décrit l'influence des photons sur l'énergie de la bande interdite.
Écart de bande d'énergie à 0K - (Mesuré en Joule) - Energy Band Gap à 0K décrit l'influence des photons sur l'énergie de la bande interdite à une température de 0K.
Température - (Mesuré en Kelvin) - La température est le degré ou l'intensité de la chaleur présente dans une substance ou un objet.
Constante spécifique au matériau - (Mesuré en Joule par Kelvin) - La constante spécifique au matériau est définie comme la constante déterminée expérimentalement et qui diffère d'un matériau à l'autre.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Écart de bande d'énergie à 0K: 0.87 Électron-volt --> 1.39389427710001E-19 Joule (Vérifiez la conversion ici)
Température: 290 Kelvin --> 290 Kelvin Aucune conversion requise
Constante spécifique au matériau: 5.7678E-23 Joule par Kelvin --> 5.7678E-23 Joule par Kelvin Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

E_g = E_G0-(T*β_k) --> 1.39389427710001E-19-(290*5.7678E-23)

Évaluer ... ...

E_g = 1.22662807710001E-19

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

1.22662807710001E-19 Joule -->0.765600694836947 Électron-volt (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

0.765600694836947 ≈ 0.765601 Électron-volt <-- Écart de bande d'énergie

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Akshada Kulkarni

Institut national des technologies de l'information (NIIT), Neemrana

Akshada Kulkarni a créé cette calculatrice et 500+ autres calculatrices!

Vérifié par Équipe Softusvista

Bureau de Softusvista (Pune), Inde

Équipe Softusvista a validé cette calculatrice et 1100+ autres calculatrices!

< 13 Caractéristiques des semi-conducteurs Calculatrices

Conductivité dans les semi-conducteurs

Aller Conductivité = (Densité d'électron*[Charge-e]*Mobilité de l'électron)+(Densité des trous*[Charge-e]*Mobilité des trous)

Fonction de répartition de Fermi Dirac

Aller Fonction de répartition de Fermi Dirac = 1/(1+e^((Niveau d'énergie de Fermi-Niveau d'énergie de Fermi)/([BoltZ]*Température)))

Conductivité des semi-conducteurs extrinsèques pour le type N

Aller Conductivité des semi-conducteurs extrinsèques (type n) = Concentration des donateurs*[Charge-e]*Mobilité de l'électron

Conductivité du semi-conducteur extrinsèque pour le type P

Aller Conductivité des semi-conducteurs extrinsèques (type p) = Concentration d'accepteur*[Charge-e]*Mobilité des trous

Longueur de diffusion d'électrons

Aller Longueur de diffusion d'électrons = sqrt(Constante de diffusion électronique*Porteur minoritaire à vie)

Écart de bande d'énergie

Aller Écart de bande d'énergie = Écart de bande d'énergie à 0K-(Température*Constante spécifique au matériau)

Concentration de porteurs majoritaires dans les semi-conducteurs pour le type p

Aller Concentration des porteurs majoritaires = Concentration de transporteur intrinsèque^2/Concentration des porteurs minoritaires

Concentration de porteurs majoritaires dans les semi-conducteurs

Aller Concentration des porteurs majoritaires = Concentration de transporteur intrinsèque^2/Concentration des porteurs minoritaires

Niveau de Fermi des semi-conducteurs intrinsèques

Aller Semi-conducteur intrinsèque de niveau de Fermi = (Énergie de bande de conduction+Énergie de la bande de cantonnière)/2

Densité de courant de dérive

Aller Densité de courant de dérive = Densité de courant des trous+Densité de courant électronique

Mobilité des Porteurs de Charge

Aller Porteurs de charge Mobilité = Vitesse de dérive/Intensité du champ électrique

Tension de saturation utilisant la tension de seuil

Aller Tension de saturation = Tension de source de grille-Tension de seuil

Champ électrique dû à la tension Hall

Aller Hall Champ électrique = Tension Hall/Largeur du conducteur

Écart de bande d'énergie Formule

Écart de bande d'énergie = Écart de bande d'énergie à 0K-(Température*Constante spécifique au matériau)
E_g = E_G0-(T*β_k)

Que sont les semi-conducteurs extrinsèques?

Les semi-conducteurs extrinsèques ne sont que des semi-conducteurs intrinsèques qui ont été dopés avec des atomes d'impuretés (défauts de substitution unidimensionnels dans ce cas). Le dopage est le processus par lequel les semi-conducteurs augmentent leur conductivité électrique en introduisant des atomes de différents éléments dans leur réseau.

Qu'est-ce qu'un semi-conducteur extrinsèque de type P?

Un semi-conducteur de type p est créé lorsque des éléments trivalents sont utilisés pour doper des semi-conducteurs purs, comme Si et Ge. Lorsqu'un semi-conducteur est dopé avec un atome trivalent, les trous sont les porteurs de charge majoritaires. Par contre, les électrons libres sont les porteurs de charge minoritaires. Par conséquent, ces semi-conducteurs extrinsèques sont appelés semi-conducteurs de type p. Dans un semi-conducteur de type p, Nombre de trous >> Nombre d'électrons libres

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