Запрещенная энергетическая зона Калькулятор

✖Energy Band Gap at 0K описывает влияние фотонов на ширину запрещенной зоны при температуре 0K.ⓘ Запрещенная энергетическая полоса при 0K [E_G0]			+10% -10%
✖Температура – это степень или интенсивность тепла, присутствующего в веществе или объекте.ⓘ Температура [T]			+10% -10%
✖Удельная константа материала определяется как константа, которая определяется экспериментально и отличается от материала к материалу.ⓘ Постоянная, специфичная для материала [β_k]			+10% -10%

✖Energy Band Gap описывает влияние фотонов на энергию запрещенной зоны.ⓘ Запрещенная энергетическая зона [E_g]

⎘ копия

👎

Формула

✖

Запрещенная энергетическая зона

Формула

`"E"_{"g"} = "E"_{"G0"}-("T"*"β"_{"k"})`

Пример

`"0.765601eV"="0.87eV"-("290K"*"5.7678e-23J/K")`

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать Полупроводниковые характеристики Формулы PDF PDF Image

Запрещенная энергетическая зона Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Запрещенная энергетическая зона = Запрещенная энергетическая полоса при 0K-(Температура*Постоянная, специфичная для материала)
E_g = E_G0-(T*β_k)
В этой формуле используются 4 Переменные

Используемые переменные

Запрещенная энергетическая зона - (Измеряется в Джоуль) - Energy Band Gap описывает влияние фотонов на энергию запрещенной зоны.
Запрещенная энергетическая полоса при 0K - (Измеряется в Джоуль) - Energy Band Gap at 0K описывает влияние фотонов на ширину запрещенной зоны при температуре 0K.
Температура - (Измеряется в Кельвин) - Температура – это степень или интенсивность тепла, присутствующего в веществе или объекте.
Постоянная, специфичная для материала - (Измеряется в Джоуль на Кельвин) - Удельная константа материала определяется как константа, которая определяется экспериментально и отличается от материала к материалу.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Запрещенная энергетическая полоса при 0K: 0.87 Электрон-вольт --> 1.39389427710001E-19 Джоуль (Проверьте преобразование здесь)
Температура: 290 Кельвин --> 290 Кельвин Конверсия не требуется
Постоянная, специфичная для материала: 5.7678E-23 Джоуль на Кельвин --> 5.7678E-23 Джоуль на Кельвин Конверсия не требуется

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

E_g = E_G0-(T*β_k) --> 1.39389427710001E-19-(290*5.7678E-23)

Оценка ... ...

E_g = 1.22662807710001E-19

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

1.22662807710001E-19 Джоуль -->0.765600694836947 Электрон-вольт (Проверьте преобразование здесь)

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

0.765600694836947 ≈ 0.765601 Электрон-вольт <-- Запрещенная энергетическая зона

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » EDC » Полупроводниковые характеристики » Запрещенная энергетическая зона

Кредиты

Сделано Акшада Кулкарни

Национальный институт информационных технологий (НИИТ), Neemrana

Акшада Кулкарни создал этот калькулятор и еще 500+!

Проверено Команда Софтусвиста

Офис Софтусвиста (Пуна), Индия

Команда Софтусвиста проверил этот калькулятор и еще 1100+!

< 13 Полупроводниковые характеристики Калькуляторы

Проводимость в полупроводниках

Идти проводимость = (Электронная плотность*[Charge-e]*Подвижность электрона)+(Плотность отверстий*[Charge-e]*Подвижность отверстий)

Функция распределения Ферми Дирака

Идти Функция распределения Ферми Дирака = 1/(1+e^((Энергия уровня Ферми-Энергия уровня Ферми)/([BoltZ]*Температура)))

Запрещенная энергетическая зона

Идти Запрещенная энергетическая зона = Запрещенная энергетическая полоса при 0K-(Температура*Постоянная, специфичная для материала)

Проводимость внешнего полупроводника для P-типа

Идти Проводимость внешних полупроводников (p-типа) = Концентрация акцептора*[Charge-e]*Подвижность отверстий

Проводимость внешних полупроводников для N-типа

Идти Проводимость внешних полупроводников (n-типа) = Концентрация доноров*[Charge-e]*Подвижность электрона

Длина диффузии электронов

Идти Электронная диффузионная длина = sqrt(Константа электронной диффузии*Миноритарный перевозчик Lifetime)

Концентрация основных носителей в полупроводнике для p-типа

Идти Концентрация большинства носителей = Концентрация внутреннего носителя^2/Концентрация миноритарных перевозчиков

Концентрация основных носителей в полупроводнике

Уровень Ферми собственных полупроводников

Идти Внутренний полупроводник на уровне Ферми = (Энергия зоны проводимости+Энергия полосы Валанса)/2

Подвижность носителей заряда

Идти Мобильность носителей заряда = Скорость дрейфа/Напряженность электрического поля

Плотность дрейфового тока

Идти Плотность дрейфового тока = Отверстия Плотность тока+Плотность электронного тока

Напряжение насыщения с использованием порогового напряжения

Идти Напряжение насыщения = Напряжение источника затвора-Пороговое напряжение

Электрическое поле из-за напряжения Холла

Идти Электрическое поле Холла = Напряжение Холла/Ширина проводника

Запрещенная энергетическая зона формула

Запрещенная энергетическая зона = Запрещенная энергетическая полоса при 0K-(Температура*Постоянная, специфичная для материала)
E_g = E_G0-(T*β_k)

Что такое внешние полупроводники?

Внешние полупроводники - это просто собственные полупроводники, которые были легированы примесными атомами (в данном случае одномерные дефекты замещения). Легирование - это процесс, при котором полупроводники увеличивают свою электрическую проводимость, вводя в свою решетку атомы различных элементов.

Что такое внешний полупроводник p-типа?

Полупроводник p-типа создается, когда трехвалентные элементы используются для легирования чистых полупроводников, таких как Si и Ge. Когда полупроводник легируется трехвалентным атомом, дырки являются основными носителями заряда. С другой стороны, свободные электроны являются неосновными носителями заряда. Поэтому такие примесные полупроводники называют полупроводниками p-типа. В полупроводнике p-типа Число дырок >> Число свободных электронов.

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!