Brecha de banda de energía Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Brecha de banda de energía = Brecha de banda de energía en 0K-(Temperatura*Constante específica del material)
Eg = EG0-(T*βk)
Esta fórmula usa 4 Variables
Variables utilizadas
Brecha de banda de energía - (Medido en Joule) - Energy Band Gap describe la influencia de los fotones en la energía de banda prohibida.
Brecha de banda de energía en 0K - (Medido en Joule) - Energy Band Gap at 0K describe la influencia de los fotones en la energía de banda prohibida a una temperatura de 0K.
Temperatura - (Medido en Kelvin) - La temperatura es el grado o la intensidad del calor presente en una sustancia u objeto.
Constante específica del material - (Medido en Joule por Kelvin) - La constante específica del material se define como la constante que se determina experimentalmente y difiere de un material a otro.
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Brecha de banda de energía en 0K: 0.87 Electron-Voltio --> 1.39389427710001E-19 Joule (Verifique la conversión ​aquí)
Temperatura: 290 Kelvin --> 290 Kelvin No se requiere conversión
Constante específica del material: 5.7678E-23 Joule por Kelvin --> 5.7678E-23 Joule por Kelvin No se requiere conversión
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
Eg = EG0-(T*βk) --> 1.39389427710001E-19-(290*5.7678E-23)
Evaluar ... ...
Eg = 1.22662807710001E-19
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
1.22662807710001E-19 Joule -->0.765600694836947 Electron-Voltio (Verifique la conversión ​aquí)
RESPUESTA FINAL
0.765600694836947 0.765601 Electron-Voltio <-- Brecha de banda de energía
(Cálculo completado en 00.004 segundos)

Créditos

Creator Image
Creado por Akshada Kulkarni
Instituto Nacional de Tecnología de la Información (NIIT), Neemrana
¡Akshada Kulkarni ha creado esta calculadora y 500+ más calculadoras!
Verifier Image
Verificada por Equipo Softusvista
Oficina Softusvista (Pune), India
¡Equipo Softusvista ha verificado esta calculadora y 1100+ más calculadoras!

13 Características de los semiconductores Calculadoras

Conductividad en semiconductores
​ Vamos Conductividad = (Densidad de electrones*[Charge-e]*Movilidad de electrones)+(Densidad de agujeros*[Charge-e]*Movilidad de Agujeros)
Función de distribución de Fermi Dirac
​ Vamos Función de distribución de Fermi Dirac = 1/(1+e^((Nivel de energía de Fermi-Nivel de energía de Fermi)/([BoltZ]*Temperatura)))
Conductividad de semiconductores extrínsecos para tipo N
​ Vamos Conductividad de semiconductores extrínsecos (tipo n) = Concentración de donantes*[Charge-e]*Movilidad de electrones
Conductividad del semiconductor extrínseco para tipo P
​ Vamos Conductividad de semiconductores extrínsecos (tipo p) = Concentración del aceptor*[Charge-e]*Movilidad de Agujeros
Longitud de difusión de electrones
​ Vamos Longitud de difusión de electrones = sqrt(Constante de difusión de electrones*Portador minoritario de por vida)
Brecha de banda de energía
​ Vamos Brecha de banda de energía = Brecha de banda de energía en 0K-(Temperatura*Constante específica del material)
Concentración de portadores mayoritarios en semiconductores para tipo p
​ Vamos Concentración de portadores mayoritarios = Concentración de portador intrínseco^2/Concentración de portadores minoritarios
Concentración de portadores mayoritarios en semiconductores
​ Vamos Concentración de portadores mayoritarios = Concentración de portador intrínseco^2/Concentración de portadores minoritarios
Nivel de Fermi de semiconductores intrínsecos
​ Vamos Semiconductor intrínseco de nivel Fermi = (Energía de banda de conducción+Energía de la banda de cenefa)/2
Densidad de corriente de deriva
​ Vamos Densidad de corriente de deriva = Agujeros Densidad de corriente+Densidad de corriente de electrones
Movilidad de los portadores de carga
​ Vamos Movilidad de Portadores de Carga = Velocidad de deriva/Intensidad de campo eléctrico
Voltaje de saturación usando voltaje de umbral
​ Vamos Voltaje de saturación = Voltaje de fuente de puerta-Voltaje de umbral
Campo eléctrico debido al voltaje Hall
​ Vamos Campo eléctrico de pasillo = Voltaje de pasillo/Ancho del conductor

Brecha de banda de energía Fórmula

Brecha de banda de energía = Brecha de banda de energía en 0K-(Temperatura*Constante específica del material)
Eg = EG0-(T*βk)

¿Qué son los semiconductores extrínsecos?

Los semiconductores extrínsecos son simplemente semiconductores intrínsecos que han sido dopados con átomos de impureza (defectos de sustitución unidimensionales en este caso). El dopaje es el proceso en el que los semiconductores aumentan su conductividad eléctrica al introducir átomos de diferentes elementos en su red.

¿Qué es un semiconductor extrínseco tipo p?

Un semiconductor de tipo p se crea cuando se utilizan elementos trivalentes para dopar semiconductores puros, como Si y Ge. Cuando un semiconductor se dopa con un átomo trivalente, los huecos son los portadores de carga mayoritarios. Por otro lado, los electrones libres son los portadores de carga minoritarios. Por lo tanto, estos semiconductores extrínsecos se denominan semiconductores de tipo p. En un semiconductor de tipo p, Número de agujeros >> Número de electrones libres

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