Energiebandkloof Rekenmachine

↳

Elektronica

Chemische technologie

Civiel

Elektrisch

Elektronica en instrumentatie

Materiaal kunde

Mechanisch

Productie Engineering

⤿

Halfgeleiderkenmerken

Diode-eigenschappen

Elektrostatische parameters

Kenmerken van ladingdragers

Transistor-bedrijfsparameters

✖Energy Band Gap bij 0K beschrijft de invloed van fotonen op bandgap-energie bij 0K-temperatuur.ⓘ Energiebandafstand bij 0K [E_G0]			+10% -10%
✖Temperatuur is de mate of intensiteit van warmte die aanwezig is in een stof of object.ⓘ Temperatuur [T]			+10% -10%
✖Materiaalspecifieke constante wordt gedefinieerd als de constante die experimenteel wordt bepaald en verschilt van materiaal tot materiaal.ⓘ Materiaalspecifieke constante [β_k]			+10% -10%

✖Energy Band Gap beschrijft de invloed van fotonen op bandgap-energie.ⓘ Energiebandkloof [E_g]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Energiebandkloof

Formule

`"E"_{"g"} = "E"_{"G0"}-("T"*"β"_{"k"})`

Voorbeeld

`"0.765601eV"="0.87eV"-("290K"*"5.7678e-23J/K")`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Halfgeleiderkenmerken Formules Pdf PDF Image

Energiebandkloof Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Energiebandkloof = Energiebandafstand bij 0K-(Temperatuur*Materiaalspecifieke constante)
E_g = E_G0-(T*β_k)
Deze formule gebruikt 4 Variabelen

Variabelen gebruikt

Energiebandkloof - (Gemeten in Joule) - Energy Band Gap beschrijft de invloed van fotonen op bandgap-energie.
Energiebandafstand bij 0K - (Gemeten in Joule) - Energy Band Gap bij 0K beschrijft de invloed van fotonen op bandgap-energie bij 0K-temperatuur.
Temperatuur - (Gemeten in Kelvin) - Temperatuur is de mate of intensiteit van warmte die aanwezig is in een stof of object.
Materiaalspecifieke constante - (Gemeten in Joule per Kelvin) - Materiaalspecifieke constante wordt gedefinieerd als de constante die experimenteel wordt bepaald en verschilt van materiaal tot materiaal.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Energiebandafstand bij 0K: 0.87 Electron-volt --> 1.39389427710001E-19 Joule (Bekijk de conversie hier)
Temperatuur: 290 Kelvin --> 290 Kelvin Geen conversie vereist
Materiaalspecifieke constante: 5.7678E-23 Joule per Kelvin --> 5.7678E-23 Joule per Kelvin Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

E_g = E_G0-(T*β_k) --> 1.39389427710001E-19-(290*5.7678E-23)

Evalueren ... ...

E_g = 1.22662807710001E-19

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

1.22662807710001E-19 Joule -->0.765600694836947 Electron-volt (Bekijk de conversie hier)

DEFINITIEVE ANTWOORD

0.765600694836947 ≈ 0.765601 Electron-volt <-- Energiebandkloof

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » EDC » Halfgeleiderkenmerken » Energiebandkloof

Credits

Gemaakt door Akshada Kulkarni

Nationaal instituut voor informatietechnologie (NIT), Neemrana

Akshada Kulkarni heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 500+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Team Softusvista

Softusvista Office (Pune), India

Team Softusvista heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1100+ rekenmachines!

< 13 Halfgeleiderkenmerken Rekenmachines

Geleidbaarheid in halfgeleiders

Gaan Geleidbaarheid = (Elektronendichtheid*[Charge-e]*Mobiliteit van Electron)+(Gaten Dichtheid*[Charge-e]*Mobiliteit van gaten)

Fermi Dirac-distributiefunctie

Gaan Fermi Dirac-distributiefunctie = 1/(1+e^((Fermi-niveau energie-Fermi-niveau energie)/([BoltZ]*Temperatuur)))

Geleidbaarheid van extrinsieke halfgeleiders voor N-type

Gaan Geleidbaarheid van extrinsieke halfgeleiders (n-type) = Donor concentratie*[Charge-e]*Mobiliteit van Electron

Geleidbaarheid van extrinsieke halfgeleider voor P-type

Gaan Geleidbaarheid van extrinsieke halfgeleiders (p-type) = Acceptor concentratie*[Charge-e]*Mobiliteit van gaten

Lengte elektronendiffusie

Gaan Elektron diffusie lengte = sqrt(Elektronendiffusieconstante*Minderheid Carrier Lifetime)

Energiebandkloof

Gaan Energiebandkloof = Energiebandafstand bij 0K-(Temperatuur*Materiaalspecifieke constante)

Meerderheidsdragerconcentratie in halfgeleider voor p-type

Gaan Meerderheid Carrier Concentratie = Intrinsieke dragerconcentratie^2/Concentratie van minderheidsdragers

Meerderheidsdragerconcentratie in halfgeleiders

Gaan Meerderheid Carrier Concentratie = Intrinsieke dragerconcentratie^2/Concentratie van minderheidsdragers

Fermi-niveau van intrinsieke halfgeleiders

Gaan Fermi-niveau intrinsieke halfgeleider = (Geleidingsband energie+Valance Band-energie)/2

Drift huidige dichtheid

Gaan Drift huidige dichtheid = Gaten Huidige Dichtheid+Elektronenstroomdichtheid

Mobiliteit van ladingdragers

Gaan Laaddragers Mobiliteit = Drift snelheid/Elektrische veldintensiteit

Verzadigingsspanning met behulp van drempelspanning

Gaan Verzadigingsspanning = Poortbronspanning-Drempelspanning

Elektrisch veld als gevolg van Hall-spanning

Gaan Zaal elektrisch veld = Zaal spanning/Dirigent Breedte

Energiebandkloof Formule

Energiebandkloof = Energiebandafstand bij 0K-(Temperatuur*Materiaalspecifieke constante)
E_g = E_G0-(T*β_k)

Wat zijn extrinsieke halfgeleiders?

Extrinsieke halfgeleiders zijn slechts intrinsieke halfgeleiders die zijn gedoteerd met onzuiverheidsatomen (in dit geval eendimensionale substitutiedefecten). Doping is het proces waarbij halfgeleiders hun elektrische geleidbaarheid vergroten door atomen van verschillende elementen in hun rooster te introduceren.

Wat is p-type extrinsieke halfgeleider?

Een p-type halfgeleider ontstaat wanneer driewaardige elementen worden gebruikt om zuivere halfgeleiders te dopen, zoals Si en Ge. Wanneer een halfgeleider wordt gedoteerd met een driewaardig atoom, zijn gaten de meeste ladingsdragers. Aan de andere kant zijn de vrije elektronen de minderheidsladingsdragers. Daarom worden dergelijke extrinsieke halfgeleiders p-type halfgeleiders genoemd. In een p-type halfgeleider, Aantal gaten >> Aantal vrije elektronen

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!