Gap de banda de energia Calculadora

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Características do semicondutor

Características do Diodo

Características do portador de carga

Parâmetros Eletrostáticos

Parâmetros Operacionais do Transistor

✖Energy Band Gap em 0K descreve a influência dos fótons na energia de banda proibida na temperatura de 0K.ⓘ Intervalo de banda de energia em 0K [E_G0]			+10% -10%
✖Temperatura é o grau ou intensidade de calor presente em uma substância ou objeto.ⓘ Temperatura [T]			+10% -10%
✖A Constante Específica do Material é definida como a constante que é determinada experimentalmente e difere de material para material.ⓘ Constante Específica do Material [β_k]			+10% -10%

✖Energy Band Gap descreve a influência dos fótons na energia do intervalo de banda.ⓘ Gap de banda de energia [E_g]

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Fórmula

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Gap de banda de energia

Fórmula

`"E"_{"g"} = "E"_{"G0"}-("T"*"β"_{"k"})`

Exemplo

`"0.765601eV"="0.87eV"-("290K"*"5.7678e-23J/K")`

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Gap de banda de energia Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Gap de banda de energia = Intervalo de banda de energia em 0K-(Temperatura*Constante Específica do Material)
E_g = E_G0-(T*β_k)
Esta fórmula usa 4 Variáveis

Variáveis Usadas

Gap de banda de energia - (Medido em Joule) - Energy Band Gap descreve a influência dos fótons na energia do intervalo de banda.
Intervalo de banda de energia em 0K - (Medido em Joule) - Energy Band Gap em 0K descreve a influência dos fótons na energia de banda proibida na temperatura de 0K.
Temperatura - (Medido em Kelvin) - Temperatura é o grau ou intensidade de calor presente em uma substância ou objeto.
Constante Específica do Material - (Medido em Joule por Kelvin) - A Constante Específica do Material é definida como a constante que é determinada experimentalmente e difere de material para material.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Intervalo de banda de energia em 0K: 0.87 Electron-Volt --> 1.39389427710001E-19 Joule (Verifique a conversão aqui)
Temperatura: 290 Kelvin --> 290 Kelvin Nenhuma conversão necessária
Constante Específica do Material: 5.7678E-23 Joule por Kelvin --> 5.7678E-23 Joule por Kelvin Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

E_g = E_G0-(T*β_k) --> 1.39389427710001E-19-(290*5.7678E-23)

Avaliando ... ...

E_g = 1.22662807710001E-19

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

1.22662807710001E-19 Joule -->0.765600694836947 Electron-Volt (Verifique a conversão aqui)

RESPOSTA FINAL

0.765600694836947 ≈ 0.765601 Electron-Volt <-- Gap de banda de energia

(Cálculo concluído em 00.020 segundos)

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Créditos

Criado por Akshada Kulkarni

Instituto Nacional de Tecnologia da Informação (NIIT), Neemrana

Akshada Kulkarni criou esta calculadora e mais 500+ calculadoras!

Verificado por Equipe Softusvista

Escritório Softusvista (Pune), Índia

Equipe Softusvista verificou esta calculadora e mais 1100+ calculadoras!

< 13 Características do semicondutor Calculadoras

Condutividade em semicondutores

Vai Condutividade = (Densidade eletrônica*[Charge-e]*Mobilidade do Elétron)+(Densidade dos furos*[Charge-e]*Mobilidade de Buracos)

Função de Distribuição de Fermi Dirac

Vai Função de Distribuição de Fermi Dirac = 1/(1+e^((Nível Fermi de Energia-Nível Fermi de Energia)/([BoltZ]*Temperatura)))

Condutividade do semicondutor extrínseco para tipo P

Vai Condutividade de Semicondutores Extrínsecos (tipo p) = Concentração do Aceitador*[Charge-e]*Mobilidade de Buracos

Condutividade de semicondutores extrínsecos para tipo N

Vai Condutividade de Semicondutores Extrínsecos (tipo n) = Concentração de Doadores*[Charge-e]*Mobilidade do Elétron

Comprimento de difusão de elétrons

Vai Comprimento da difusão de elétrons = sqrt(Constante de difusão de elétrons*Vida útil do portador minoritário)

Gap de banda de energia

Vai Gap de banda de energia = Intervalo de banda de energia em 0K-(Temperatura*Constante Específica do Material)

Concentração de portadores majoritários em semicondutores para tipo p

Vai Concentração de portadores majoritários = Concentração de Portadores Intrínsecos^2/Concentração de portadores minoritários

Concentração de Portadores Majoritários em Semicondutores

Vai Concentração de portadores majoritários = Concentração de Portadores Intrínsecos^2/Concentração de portadores minoritários

Nível Fermi de Semicondutores Intrínsecos

Vai Fermi Nível Intrínseco Semicondutor = (Energia da Banda de Condução+Energia da banda de valência)/2

Densidade de corrente de deriva

Vai Densidade de corrente de deriva = Densidade atual dos furos+Densidade de Corrente Eletrônica

Mobilidade de Portadores de Carga

Vai Mobilidade de Portadores de Carga = Velocidade de deriva/Intensidade do Campo Elétrico

Tensão de saturação usando tensão limite

Vai Tensão de saturação = Tensão da fonte do portão-Tensão de limiar

Campo elétrico devido à tensão Hall

Vai Campo Elétrico Hall = Tensão Hall/Largura do Condutor

Gap de banda de energia Fórmula

Gap de banda de energia = Intervalo de banda de energia em 0K-(Temperatura*Constante Específica do Material)
E_g = E_G0-(T*β_k)

O que são semicondutores extrínsecos?

Semicondutores extrínsecos são apenas semicondutores intrínsecos que foram dopados com átomos de impureza (defeitos substitucionais unidimensionais neste caso). Dopagem é o processo em que semicondutores aumentam sua condutividade elétrica, introduzindo átomos de diferentes elementos em sua rede.

O que é semicondutor extrínseco do tipo p?

Um semicondutor do tipo p é criado quando elementos trivalentes são usados para dopar semicondutores puros, como Si e Ge. Quando um semicondutor é dopado com um átomo trivalente, os buracos são os principais portadores de carga. Por outro lado, os elétrons livres são os portadores de carga minoritários. Portanto, esses semicondutores extrínsecos são chamados de semicondutores do tipo p. Em um semicondutor do tipo p, Número de lacunas >> Número de elétrons livres

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