Energiebandlücke Taschenrechner

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✖Die Energiebandlücke bei 0 K beschreibt den Einfluss von Photonen auf die Bandlückenenergie bei einer Temperatur von 0 K.ⓘ Energiebandlücke bei 0K [E_G0]			+10% -10%
✖Die Temperatur ist der Grad oder die Intensität der Wärme, die in einer Substanz oder einem Objekt vorhanden ist.ⓘ Temperatur [T]			+10% -10%
✖Die materialspezifische Konstante ist als die Konstante definiert, die experimentell bestimmt wird und von Material zu Material unterschiedlich ist.ⓘ Materialspezifische Konstante [β_k]			+10% -10%

✖Die Energiebandlücke beschreibt den Einfluss von Photonen auf die Bandlückenenergie.ⓘ Energiebandlücke [E_g]

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Formel

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Energiebandlücke

Formel

`"E"_{"g"} = "E"_{"G0"}-("T"*"β"_{"k"})`

Beispiel

`"0.765601eV"="0.87eV"-("290K"*"5.7678e-23J/K")`

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Energiebandlücke Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Energiebandlücke = Energiebandlücke bei 0K-(Temperatur*Materialspezifische Konstante)
E_g = E_G0-(T*β_k)
Diese formel verwendet 4 Variablen

Verwendete Variablen

Energiebandlücke - (Gemessen in Joule) - Die Energiebandlücke beschreibt den Einfluss von Photonen auf die Bandlückenenergie.
Energiebandlücke bei 0K - (Gemessen in Joule) - Die Energiebandlücke bei 0 K beschreibt den Einfluss von Photonen auf die Bandlückenenergie bei einer Temperatur von 0 K.
Temperatur - (Gemessen in Kelvin) - Die Temperatur ist der Grad oder die Intensität der Wärme, die in einer Substanz oder einem Objekt vorhanden ist.
Materialspezifische Konstante - (Gemessen in Joule pro Kelvin) - Die materialspezifische Konstante ist als die Konstante definiert, die experimentell bestimmt wird und von Material zu Material unterschiedlich ist.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Energiebandlücke bei 0K: 0.87 Elektronen Volt --> 1.39389427710001E-19 Joule (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Temperatur: 290 Kelvin --> 290 Kelvin Keine Konvertierung erforderlich
Materialspezifische Konstante: 5.7678E-23 Joule pro Kelvin --> 5.7678E-23 Joule pro Kelvin Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

E_g = E_G0-(T*β_k) --> 1.39389427710001E-19-(290*5.7678E-23)

Auswerten ... ...

E_g = 1.22662807710001E-19

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

1.22662807710001E-19 Joule -->0.765600694836947 Elektronen Volt (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

0.765600694836947 ≈ 0.765601 Elektronen Volt <-- Energiebandlücke

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Akshada Kulkarni

Nationales Institut für Informationstechnologie (NIIT), Neemrana

Akshada Kulkarni hat diesen Rechner und 500+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Team Softusvista

Softusvista Office (Pune), Indien

Team Softusvista hat diesen Rechner und 1100+ weitere Rechner verifiziert!

< 13 Halbleitereigenschaften Taschenrechner

Leitfähigkeit in Halbleitern

Gehen Leitfähigkeit = (Elektronendichte*[Charge-e]*Mobilität des Elektrons)+(Lochdichte*[Charge-e]*Mobilität von Löchern)

Fermi-Dirac-Verteilungsfunktion

Gehen Fermi-Dirac-Verteilungsfunktion = 1/(1+e^((Fermi-Niveau-Energie-Fermi-Niveau-Energie)/([BoltZ]*Temperatur)))

Leitfähigkeit extrinsischer Halbleiter für N-Typ

Gehen Leitfähigkeit extrinsischer Halbleiter (n-Typ) = Spenderkonzentration*[Charge-e]*Mobilität des Elektrons

Leitfähigkeit von extrinsischen Halbleitern für P-Typ

Gehen Leitfähigkeit extrinsischer Halbleiter (p-Typ) = Akzeptorkonzentration*[Charge-e]*Mobilität von Löchern

Elektronendiffusionslänge

Gehen Elektronendiffusionslänge = sqrt(Elektronendiffusionskonstante*Minority Carrier Lifetime)

Energiebandlücke

Gehen Energiebandlücke = Energiebandlücke bei 0K-(Temperatur*Materialspezifische Konstante)

Mehrheitliche Ladungsträgerkonzentration in Halbleitern

Gehen Konzentration der Mehrheit der Träger = Intrinsische Trägerkonzentration^2/Konzentration von Minderheitsträgern

Mehrheitsträgerkonzentration im Halbleiter für p-Typ

Gehen Konzentration der Mehrheit der Träger = Intrinsische Trägerkonzentration^2/Konzentration von Minderheitsträgern

Fermi-Niveau intrinsischer Halbleiter

Gehen Intrinsischer Fermi-Level-Halbleiter = (Leitungsbandenergie+Volantband-Energie)/2

Mobilität von Ladungsträgern

Gehen Ladungsträgermobilität = Driftgeschwindigkeit/Elektrische Feldstärke

Driftstromdichte

Gehen Driftstromdichte = Löcher Stromdichte+Elektronenstromdichte

Sättigungsspannung unter Verwendung der Schwellenspannung

Gehen Sättigungsspannung = Gate-Source-Spannung-Grenzspannung

Elektrisches Feld aufgrund der Hall-Spannung

Gehen Hall elektrisches Feld = Hall-Spannung/Leiterbreite

Energiebandlücke Formel

Energiebandlücke = Energiebandlücke bei 0K-(Temperatur*Materialspezifische Konstante)
E_g = E_G0-(T*β_k)

Was sind extrinsische Halbleiter?

Extrinsische Halbleiter sind nur intrinsische Halbleiter, die mit Verunreinigungsatomen dotiert wurden (in diesem Fall eindimensionale Substitutionsdefekte). Dotierung ist der Prozess, bei dem Halbleiter ihre elektrische Leitfähigkeit erhöhen, indem sie Atome verschiedener Elemente in ihr Gitter einbringen.

Was ist ein extrinsischer p-Halbleiter?

Ein p-Halbleiter wird erzeugt, wenn dreiwertige Elemente verwendet werden, um reine Halbleiter wie Si und Ge zu dotieren. Wenn ein Halbleiter mit einem dreiwertigen Atom dotiert ist, sind Löcher die Hauptladungsträger. Andererseits sind die freien Elektronen die Minoritätsladungsträger. Daher werden solche extrinsischen Halbleiter als p-Halbleiter bezeichnet. In einem p-Halbleiter Anzahl der Löcher >> Anzahl der freien Elektronen

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