Pasmo energetyczne Kalkulator

↳

Elektronika

Cywilny

Elektronika i oprzyrządowanie

Elektryczny

Inżynieria chemiczna

Inżynieria materiałowa

Inżynieria produkcji

Mechaniczny

⤿

Charakterystyka półprzewodników

Charakterystyka diody

Charakterystyka nośnika ładunku

Parametry elektrostatyczne

Parametry pracy tranzystora

✖Energy Band Gap w 0K opisuje wpływ fotonów na energię pasma wzbronionego w temperaturze 0K.ⓘ Pasmo energetyczne przy 0K [E_G0]			+10% -10%
✖Temperatura to stopień lub intensywność ciepła obecnego w substancji lub przedmiocie.ⓘ Temperatura [T]			+10% -10%
✖Stała specyficzna dla materiału jest zdefiniowana jako stała, która jest określana eksperymentalnie i różni się w zależności od materiału.ⓘ Stała specyficzna dla materiału [β_k]			+10% -10%

✖Energy Band Gap opisuje wpływ fotonów na energię pasma wzbronionego.ⓘ Pasmo energetyczne [E_g]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Pasmo energetyczne

Formuła

`"E"_{"g"} = "E"_{"G0"}-("T"*"β"_{"k"})`

Przykład

`"0.765601eV"="0.87eV"-("290K"*"5.7678e-23J/K")`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Charakterystyka półprzewodników Formuły PDF PDF Image

Pasmo energetyczne Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Pasmo energetyczne = Pasmo energetyczne przy 0K-(Temperatura*Stała specyficzna dla materiału)
E_g = E_G0-(T*β_k)
Ta formuła używa 4 Zmienne

Używane zmienne

Pasmo energetyczne - (Mierzone w Dżul) - Energy Band Gap opisuje wpływ fotonów na energię pasma wzbronionego.
Pasmo energetyczne przy 0K - (Mierzone w Dżul) - Energy Band Gap w 0K opisuje wpływ fotonów na energię pasma wzbronionego w temperaturze 0K.
Temperatura - (Mierzone w kelwin) - Temperatura to stopień lub intensywność ciepła obecnego w substancji lub przedmiocie.
Stała specyficzna dla materiału - (Mierzone w Dżul na Kelvin) - Stała specyficzna dla materiału jest zdefiniowana jako stała, która jest określana eksperymentalnie i różni się w zależności od materiału.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Pasmo energetyczne przy 0K: 0.87 Elektron-wolt --> 1.39389427710001E-19 Dżul (Sprawdź konwersję tutaj)
Temperatura: 290 kelwin --> 290 kelwin Nie jest wymagana konwersja
Stała specyficzna dla materiału: 5.7678E-23 Dżul na Kelvin --> 5.7678E-23 Dżul na Kelvin Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

E_g = E_G0-(T*β_k) --> 1.39389427710001E-19-(290*5.7678E-23)

Ocenianie ... ...

E_g = 1.22662807710001E-19

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

1.22662807710001E-19 Dżul -->0.765600694836947 Elektron-wolt (Sprawdź konwersję tutaj)

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

0.765600694836947 ≈ 0.765601 Elektron-wolt <-- Pasmo energetyczne

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » EDC » Charakterystyka półprzewodników » Pasmo energetyczne

Kredyty

Stworzone przez Akshada Kulkarni

Narodowy Instytut Informatyki (NIIT), Neemrana

Akshada Kulkarni utworzył ten kalkulator i 500+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Team Softusvista

Softusvista Office (Pune), Indie

Team Softusvista zweryfikował ten kalkulator i 1100+ więcej kalkulatorów!

< 13 Charakterystyka półprzewodników Kalkulatory

Przewodnictwo w półprzewodnikach

Iść Przewodność = (Gęstość elektronów*[Charge-e]*Ruchliwość elektronów)+(Gęstość otworów*[Charge-e]*Ruchliwość otworów)

Funkcja dystrybucji Fermiego Diraca

Iść Funkcja dystrybucji Fermiego Diraca = 1/(1+e^((Energia poziomu Fermiego-Energia poziomu Fermiego)/([BoltZ]*Temperatura)))

Przewodność zewnętrznego półprzewodnika dla typu P

Iść Przewodnictwo zewnętrznych półprzewodników (typu p) = Koncentracja akceptora*[Charge-e]*Ruchliwość otworów

Przewodność zewnętrznych półprzewodników typu N

Iść Przewodnictwo zewnętrznych półprzewodników (typu n) = Koncentracja dawców*[Charge-e]*Ruchliwość elektronów

Długość dyfuzji elektronów

Iść Długość dyfuzji elektronów = sqrt(Stała dyfuzji elektronów*Dożywotni przewoźnik mniejszościowy)

Pasmo energetyczne

Iść Pasmo energetyczne = Pasmo energetyczne przy 0K-(Temperatura*Stała specyficzna dla materiału)

Koncentracja większości nośników w półprzewodnikach dla typu p

Iść Koncentracja większości nośników = Wewnętrzne stężenie nośnika^2/Koncentracja przewoźników mniejszościowych

Stężenie większości nośników w półprzewodnikach

Iść Koncentracja większości nośników = Wewnętrzne stężenie nośnika^2/Koncentracja przewoźników mniejszościowych

Poziom Fermiego samoistnych półprzewodników

Iść Samoistny półprzewodnik poziomu Fermiego = (Energia pasma przewodnictwa+Energia pasma Valance'a)/2

Mobilność nośników ładunku

Iść Mobilność przewoźników ładunków = Prędkość dryfu/Natężenie pola elektrycznego

Gęstość prądu dryfu

Iść Gęstość prądu dryfu = Gęstość prądu otworów+Gęstość prądu elektronowego

Pole elektryczne wywołane napięciem Halla

Iść Pole elektryczne Halla = Napięcie Halla/Szerokość przewodnika

Napięcie nasycenia za pomocą napięcia progowego

Iść Napięcie nasycenia = Napięcie źródła bramki-Próg napięcia

Pasmo energetyczne Formułę

Pasmo energetyczne = Pasmo energetyczne przy 0K-(Temperatura*Stała specyficzna dla materiału)
E_g = E_G0-(T*β_k)

Co to są zewnętrzne półprzewodniki?

Zewnętrzne półprzewodniki to po prostu wewnętrzne półprzewodniki, które zostały domieszkowane atomami zanieczyszczeń (w tym przypadku jednowymiarowe defekty substytucyjne). Domieszkowanie to proces, w którym półprzewodniki zwiększają swoje przewodnictwo elektryczne poprzez wprowadzanie do sieci atomów różnych pierwiastków.

Co to jest zewnętrzny półprzewodnik typu p?

Półprzewodnik typu p powstaje, gdy pierwiastki trójwartościowe są używane do domieszkowania czystych półprzewodników, takich jak Si i Ge. Kiedy półprzewodnik jest domieszkowany atomem trójwartościowym, dziury są większościowymi nośnikami ładunku. Z drugiej strony, wolne elektrony są nośnikami ładunku mniejszościowego. Dlatego takie zewnętrzne półprzewodniki nazywane są półprzewodnikami typu p. W półprzewodniku typu p Liczba otworów >> Liczba wolnych elektronów

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!