Gap di banda energetica calcolatrice

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Caratteristiche dei semiconduttori

Caratteristiche del diodo

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Parametri elettrostatici

Parametri operativi del transistor

✖Energy Band Gap at 0K descrive l'influenza dei fotoni sull'energia del band-gap alla temperatura di 0K.ⓘ Energy Band Gap a 0K [E_G0]			+10% -10%
✖La temperatura è il grado o l'intensità del calore presente in una sostanza o oggetto.ⓘ Temperatura [T]			+10% -10%
✖La costante specifica del materiale è definita come la costante che è determinata sperimentalmente e differisce da materiale a materiale.ⓘ Costante specifica del materiale [β_k]			+10% -10%

✖Energy Band Gap descrive l'influenza dei fotoni sull'energia del band-gap.ⓘ Gap di banda energetica [E_g]

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Formula

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Gap di banda energetica

Formula

`"E"_{"g"} = "E"_{"G0"}-("T"*"β"_{"k"})`

Esempio

`"0.765601eV"="0.87eV"-("290K"*"5.7678e-23J/K")`

Calcolatrice

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Gap di banda energetica Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Gap di banda energetica = Energy Band Gap a 0K-(Temperatura*Costante specifica del materiale)
E_g = E_G0-(T*β_k)
Questa formula utilizza 4 Variabili

Variabili utilizzate

Gap di banda energetica - (Misurato in Joule) - Energy Band Gap descrive l'influenza dei fotoni sull'energia del band-gap.
Energy Band Gap a 0K - (Misurato in Joule) - Energy Band Gap at 0K descrive l'influenza dei fotoni sull'energia del band-gap alla temperatura di 0K.
Temperatura - (Misurato in Kelvin) - La temperatura è il grado o l'intensità del calore presente in una sostanza o oggetto.
Costante specifica del materiale - (Misurato in Joule per Kelvin) - La costante specifica del materiale è definita come la costante che è determinata sperimentalmente e differisce da materiale a materiale.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Energy Band Gap a 0K: 0.87 Electron-Volt --> 1.39389427710001E-19 Joule (Controlla la conversione qui)
Temperatura: 290 Kelvin --> 290 Kelvin Nessuna conversione richiesta
Costante specifica del materiale: 5.7678E-23 Joule per Kelvin --> 5.7678E-23 Joule per Kelvin Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

E_g = E_G0-(T*β_k) --> 1.39389427710001E-19-(290*5.7678E-23)

Valutare ... ...

E_g = 1.22662807710001E-19

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

1.22662807710001E-19 Joule -->0.765600694836947 Electron-Volt (Controlla la conversione qui)

RISPOSTA FINALE

0.765600694836947 ≈ 0.765601 Electron-Volt <-- Gap di banda energetica

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Akshada Kulkarni

Istituto nazionale di tecnologia dell'informazione (NIIT), Neemrana

Akshada Kulkarni ha creato questa calcolatrice e altre 500+ altre calcolatrici!

Verificato da Team Softusvista

Ufficio Softusvista (Pune), India

Team Softusvista ha verificato questa calcolatrice e altre 1100+ altre calcolatrici!

< 13 Caratteristiche dei semiconduttori Calcolatrici

Conduttività nei semiconduttori

Partire Conducibilità = (Densità elettronica*[Charge-e]*Mobilità dell'elettrone)+(Densità dei fori*[Charge-e]*Mobilità dei fori)

Funzione di distribuzione di Fermi Dirac

Partire Funzione di distribuzione di Fermi Dirac = 1/(1+e^((Energia del livello di Fermi-Energia del livello di Fermi)/([BoltZ]*Temperatura)))

Conducibilità dei semiconduttori estrinseci per il tipo N

Partire Conducibilità dei semiconduttori estrinseci (tipo n) = Concentrazione dei donatori*[Charge-e]*Mobilità dell'elettrone

Conduttività del semiconduttore estrinseco per il tipo P

Partire Conducibilità dei semiconduttori estrinseci (tipo p) = Concentrazione dell'accettore*[Charge-e]*Mobilità dei fori

Lunghezza di diffusione elettronica

Partire Lunghezza di diffusione elettronica = sqrt(Costante di diffusione elettronica*Portatore di minoranza a vita)

Gap di banda energetica

Partire Gap di banda energetica = Energy Band Gap a 0K-(Temperatura*Costante specifica del materiale)

Concentrazione di portatori maggioritari in semiconduttore per tipo p

Partire Concentrazione di portatori maggioritari = Concentrazione portante intrinseca^2/Concentrazione di portatori di minoranza

Concentrazione del vettore maggioritario nei semiconduttori

Partire Concentrazione di portatori maggioritari = Concentrazione portante intrinseca^2/Concentrazione di portatori di minoranza

Livello di Fermi dei semiconduttori intrinseci

Partire Semiconduttore intrinseco di livello Fermi = (Energia della banda di conduzione+Energia della banda di mantovana)/2

Densità di corrente di deriva

Partire Densità di corrente di deriva = Densità di corrente dei fori+Densità di corrente elettronica

Mobilità dei vettori di carica

Partire Portatori di carica Mobilità = Velocità di deriva/Intensità del campo elettrico

Tensione di saturazione utilizzando la tensione di soglia

Partire Tensione di saturazione = Tensione sorgente gate-Soglia di voltaggio

Campo elettrico dovuto alla tensione di Hall

Partire Campo elettrico di Hall = Tensione di sala/Larghezza del conduttore

Gap di banda energetica Formula

Gap di banda energetica = Energy Band Gap a 0K-(Temperatura*Costante specifica del materiale)
E_g = E_G0-(T*β_k)

Cosa sono i semiconduttori estrinseci?

I semiconduttori estrinseci sono solo semiconduttori intrinseci che sono stati drogati con atomi di impurità (difetti sostituzionali unidimensionali in questo caso). Il doping è il processo in cui i semiconduttori aumentano la loro conduttività elettrica introducendo atomi di diversi elementi nel loro reticolo.

Cos'è il semiconduttore estrinseco di tipo p?

Un semiconduttore di tipo p viene creato quando elementi trivalenti vengono utilizzati per drogare semiconduttori puri, come Si e Ge. Quando un semiconduttore è drogato con un atomo trivalente, i fori sono i portatori di carica maggioritari. D'altra parte, gli elettroni liberi sono i portatori di carica minoritari. Pertanto, tali semiconduttori estrinseci sono chiamati semiconduttori di tipo p. In un semiconduttore di tipo p, Numero di buchi >> Numero di elettroni liberi

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