एफईटी की गेट ड्रेन कैपेसिटेंस कैलकुलेटर

✖गेट ड्रेन कैपेसिटेंस ऑफ टाइम (FET) गेट-टू-ड्रेन कैपेसिटेंस के डिस्चार्ज होने की अवधि को दर्शाता है, जो इलेक्ट्रॉनिक सर्किट में स्विचिंग विशेषताओं और पावर दक्षता को प्रभावित करता है।ⓘ गेट ड्रेन कैपेसिटेंस ऑफ टाइम FET [T_gd-off(fet)]			+10% -10%
✖गेट टू ड्रेन वोल्टेज (FET) एक FET के गेट और ड्रेन टर्मिनलों के बीच वोल्टेज का अंतर है।ⓘ गेट टू ड्रेन वोल्टेज FET [V_gd(fet)]			+10% -10%
✖सतही विभव (FET) अर्धचालक चैनल के सतही विभव के आधार पर कार्य करता है, तथा व्युत्क्रम परतें उत्पन्न किए बिना गेट वोल्टेज के माध्यम से धारा के प्रवाह को नियंत्रित करता है।ⓘ सतही विभव FET [Ψ_0(fet)]			+10% -10%

✖गेट ड्रेन कैपेसिटेंस FET, FET के गेट और ड्रेन टर्मिनलों के बीच की कैपेसिटेंस है। यह गेट और ड्रेन क्षेत्रों के बीच ओवरलैप के कारण होता है।ⓘ एफईटी की गेट ड्रेन कैपेसिटेंस [C_gd(fet)]

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सूत्र

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एफईटी की गेट ड्रेन कैपेसिटेंस

सूत्र

`"C"_{"gd(fet)"} = "T"_{"gd-off(fet)"}/(1-"V"_{"gd(fet)"}/"Ψ"_{"0(fet)"})^(1/3)`

उदाहरण

`"-0.733363F"="6.47s"/(1-"12.784V"/"0.01859V")^(1/3)`

कैलकुलेटर

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रीसेट

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एफईटी की गेट ड्रेन कैपेसिटेंस उपाय

चरण 0: पूर्व-गणना सारांश

प्रयुक्त सूत्र

गेट ड्रेन कैपेसिटेंस FET = गेट ड्रेन कैपेसिटेंस ऑफ टाइम FET/(1-गेट टू ड्रेन वोल्टेज FET/सतही विभव FET)^(1/3)
C_gd(fet) = T_gd-off(fet)/(1-V_gd(fet)/Ψ_0(fet))^(1/3)
यह सूत्र 4 वेरिएबल का उपयोग करता है

चर

गेट ड्रेन कैपेसिटेंस FET - (में मापा गया फैरड) - गेट ड्रेन कैपेसिटेंस FET, FET के गेट और ड्रेन टर्मिनलों के बीच की कैपेसिटेंस है। यह गेट और ड्रेन क्षेत्रों के बीच ओवरलैप के कारण होता है।
गेट ड्रेन कैपेसिटेंस ऑफ टाइम FET - (में मापा गया दूसरा) - गेट ड्रेन कैपेसिटेंस ऑफ टाइम (FET) गेट-टू-ड्रेन कैपेसिटेंस के डिस्चार्ज होने की अवधि को दर्शाता है, जो इलेक्ट्रॉनिक सर्किट में स्विचिंग विशेषताओं और पावर दक्षता को प्रभावित करता है।
गेट टू ड्रेन वोल्टेज FET - (में मापा गया वोल्ट) - गेट टू ड्रेन वोल्टेज (FET) एक FET के गेट और ड्रेन टर्मिनलों के बीच वोल्टेज का अंतर है।
सतही विभव FET - (में मापा गया वोल्ट) - सतही विभव (FET) अर्धचालक चैनल के सतही विभव के आधार पर कार्य करता है, तथा व्युत्क्रम परतें उत्पन्न किए बिना गेट वोल्टेज के माध्यम से धारा के प्रवाह को नियंत्रित करता है।

चरण 1: इनपुट को आधार इकाई में बदलें

गेट ड्रेन कैपेसिटेंस ऑफ टाइम FET: 6.47 दूसरा --> 6.47 दूसरा कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
गेट टू ड्रेन वोल्टेज FET: 12.784 वोल्ट --> 12.784 वोल्ट कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
सतही विभव FET: 0.01859 वोल्ट --> 0.01859 वोल्ट कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है

चरण 2: फॉर्मूला का मूल्यांकन करें

फॉर्मूला में इनपुट वैल्यू को तैयार करना

C_gd(fet) = T_gd-off(fet)/(1-V_gd(fet)/Ψ_0(fet))^(1/3) --> 6.47/(1-12.784/0.01859)^(1/3)

मूल्यांकन हो रहा है ... ...

C_gd(fet) = -0.733363269576062

चरण 3: परिणाम को आउटपुट की इकाई में बदलें

-0.733363269576062 फैरड --> कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है

आख़री जवाब

-0.733363269576062 ≈ -0.733363 फैरड <-- गेट ड्रेन कैपेसिटेंस FET

(गणना 00.020 सेकंड में पूरी हुई)

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क्रेडिट

के द्वारा बनाई गई मोहम्मद फ़ाज़िल वी

आचार्य प्रौद्योगिकी संस्थान (उपद्वीप), बेंगलुरु

मोहम्मद फ़ाज़िल वी ने इस कैलकुलेटर और 50+ अधिक कैलकुलेटर को बनाए है!

के द्वारा सत्यापित परमिंदर सिंह

चंडीगढ़ विश्वविद्यालय (घन), पंजाब

परमिंदर सिंह ने इस कैलकुलेटर और 500+ को अधिक कैलकुलेटर से सत्यापित किया है!

< 8 एफईटी कैलक्युलेटर्स

एफईटी का ओमिक रीजन ड्रेन करंट

जाओ ड्रेन करंट FET = चैनल चालकता FET*(नाली स्रोत वोल्टेज FET+3/2*((सतही विभव FET+नाली स्रोत वोल्टेज FET-नाली स्रोत वोल्टेज FET)^(3/2)-(सतही विभव FET+नाली स्रोत वोल्टेज FET)^(3/2))/((सतही विभव FET+पिंच ऑफ वोल्टेज)^(1/2)))

एफईटी का ट्रांसकंडक्टेंस

जाओ फॉरवर्ड ट्रांसकंडक्टेंस FET = (2*शून्य बायस ड्रेन करंट)/पिंच ऑफ वोल्टेज*(1-नाली स्रोत वोल्टेज FET/पिंच ऑफ वोल्टेज)

एफईटी का ड्रेन सोर्स वोल्टेज

जाओ नाली स्रोत वोल्टेज FET = ड्रेन FET पर आपूर्ति वोल्टेज-ड्रेन करंट FET*(नाली प्रतिरोध FET+स्रोत प्रतिरोध FET)

एफईटी की गेट ड्रेन कैपेसिटेंस

जाओ गेट ड्रेन कैपेसिटेंस FET = गेट ड्रेन कैपेसिटेंस ऑफ टाइम FET/(1-गेट टू ड्रेन वोल्टेज FET/सतही विभव FET)^(1/3)

FET का गेट सोर्स कैपेसिटेंस

जाओ गेट सोर्स कैपेसिटेंस FET = गेट सोर्स कैपेसिटेंस ऑफ टाइम FET/(1-(नाली स्रोत वोल्टेज FET/सतही विभव FET))^(1/3)

एफईटी का ड्रेन करंट

जाओ ड्रेन करंट FET = शून्य बायस ड्रेन करंट*(1-नाली स्रोत वोल्टेज FET/कट-ऑफ वोल्टेज FET)^2

FET का वोल्टेज बंद करें

जाओ पिंच ऑफ वोल्टेज = पिंच ऑफ ड्रेन सोर्स वोल्टेज FET-नाली स्रोत वोल्टेज FET

एफईटी का वोल्टेज लाभ

जाओ वोल्टेज लाभ FET = -फॉरवर्ड ट्रांसकंडक्टेंस FET*नाली प्रतिरोध FET

एफईटी की गेट ड्रेन कैपेसिटेंस सूत्र

गेट ड्रेन कैपेसिटेंस FET = गेट ड्रेन कैपेसिटेंस ऑफ टाइम FET/(1-गेट टू ड्रेन वोल्टेज FET/सतही विभव FET)^(1/3)
C_gd(fet) = T_gd-off(fet)/(1-V_gd(fet)/Ψ_0(fet))^(1/3)

एफईटी की गेट ड्रेन कैपेसिटेंस की गणना कैसे करें?

एफईटी की गेट ड्रेन कैपेसिटेंस के लिए ऑनलाइन कैलकुलेटर पर, कृपया गेट ड्रेन कैपेसिटेंस ऑफ टाइम FET (T_gd-off(fet)), गेट ड्रेन कैपेसिटेंस ऑफ टाइम (FET) गेट-टू-ड्रेन कैपेसिटेंस के डिस्चार्ज होने की अवधि को दर्शाता है, जो इलेक्ट्रॉनिक सर्किट में स्विचिंग विशेषताओं और पावर दक्षता को प्रभावित करता है। के रूप में, गेट टू ड्रेन वोल्टेज FET (V_gd(fet)), गेट टू ड्रेन वोल्टेज (FET) एक FET के गेट और ड्रेन टर्मिनलों के बीच वोल्टेज का अंतर है। के रूप में & सतही विभव FET (Ψ_0(fet)), सतही विभव (FET) अर्धचालक चैनल के सतही विभव के आधार पर कार्य करता है, तथा व्युत्क्रम परतें उत्पन्न किए बिना गेट वोल्टेज के माध्यम से धारा के प्रवाह को नियंत्रित करता है। के रूप में डालें। कृपया एफईटी की गेट ड्रेन कैपेसिटेंस गणना को पूर्ण करने के लिए कैलकुलेट बटन का उपयोग करें।

एफईटी की गेट ड्रेन कैपेसिटेंस गणना

एफईटी की गेट ड्रेन कैपेसिटेंस कैलकुलेटर, गेट ड्रेन कैपेसिटेंस FET की गणना करने के लिए Gate Drain Capacitance FET = गेट ड्रेन कैपेसिटेंस ऑफ टाइम FET/(1-गेट टू ड्रेन वोल्टेज FET/सतही विभव FET)^(1/3) का उपयोग करता है। एफईटी की गेट ड्रेन कैपेसिटेंस C_gd(fet) को FET की गेट ड्रेन कैपेसिटेंस FET के गेट और ड्रेन टर्मिनलों के बीच की कैपेसिटेंस है। यह गेट और ड्रेन क्षेत्रों के बीच ओवरलैप के कारण होता है जो एक परजीवी कैपेसिटेंस है जो एफईटी सर्किट के प्रदर्शन को प्रभावित कर सकता है। उच्च आउटपुट करंट वाले गेट ड्राइवर का उपयोग करें। इससे गेट कैपेसिटेंस को अधिक तेज़ी से चार्ज और डिस्चार्ज करने में मदद मिलेगी। सी के रूप में परिभाषित किया गया है। यहाँ एफईटी की गेट ड्रेन कैपेसिटेंस गणना को संख्या में समझा जा सकता है - 9.536121 = 6.47/(1-12.784/18.59)^(1/3). आप और अधिक एफईटी की गेट ड्रेन कैपेसिटेंस उदाहरण यहाँ देख सकते हैं -

FAQ

एफईटी की गेट ड्रेन कैपेसिटेंस क्या है?

एफईटी की गेट ड्रेन कैपेसिटेंस FET की गेट ड्रेन कैपेसिटेंस FET के गेट और ड्रेन टर्मिनलों के बीच की कैपेसिटेंस है। यह गेट और ड्रेन क्षेत्रों के बीच ओवरलैप के कारण होता है जो एक परजीवी कैपेसिटेंस है जो एफईटी सर्किट के प्रदर्शन को प्रभावित कर सकता है। उच्च आउटपुट करंट वाले गेट ड्राइवर का उपयोग करें। इससे गेट कैपेसिटेंस को अधिक तेज़ी से चार्ज और डिस्चार्ज करने में मदद मिलेगी। सी है और इसे C_gd(fet) = T_gd-off(fet)/(1-V_gd(fet)/Ψ_0(fet))^(1/3) या Gate Drain Capacitance FET = गेट ड्रेन कैपेसिटेंस ऑफ टाइम FET/(1-गेट टू ड्रेन वोल्टेज FET/सतही विभव FET)^(1/3) के रूप में दर्शाया जाता है।

एफईटी की गेट ड्रेन कैपेसिटेंस की गणना कैसे करें?

एफईटी की गेट ड्रेन कैपेसिटेंस को FET की गेट ड्रेन कैपेसिटेंस FET के गेट और ड्रेन टर्मिनलों के बीच की कैपेसिटेंस है। यह गेट और ड्रेन क्षेत्रों के बीच ओवरलैप के कारण होता है जो एक परजीवी कैपेसिटेंस है जो एफईटी सर्किट के प्रदर्शन को प्रभावित कर सकता है। उच्च आउटपुट करंट वाले गेट ड्राइवर का उपयोग करें। इससे गेट कैपेसिटेंस को अधिक तेज़ी से चार्ज और डिस्चार्ज करने में मदद मिलेगी। सी Gate Drain Capacitance FET = गेट ड्रेन कैपेसिटेंस ऑफ टाइम FET/(1-गेट टू ड्रेन वोल्टेज FET/सतही विभव FET)^(1/3) C_gd(fet) = T_gd-off(fet)/(1-V_gd(fet)/Ψ_0(fet))^(1/3) के रूप में परिभाषित किया गया है। एफईटी की गेट ड्रेन कैपेसिटेंस की गणना करने के लिए, आपको गेट ड्रेन कैपेसिटेंस ऑफ टाइम FET (T_gd-off(fet)), गेट टू ड्रेन वोल्टेज FET (V_gd(fet)) & सतही विभव FET (Ψ_0(fet)) की आवश्यकता है। हमारे टूल के द्वारा, आपको गेट ड्रेन कैपेसिटेंस ऑफ टाइम (FET) गेट-टू-ड्रेन कैपेसिटेंस के डिस्चार्ज होने की अवधि को दर्शाता है, जो इलेक्ट्रॉनिक सर्किट में स्विचिंग विशेषताओं और पावर दक्षता को प्रभावित करता है।, गेट टू ड्रेन वोल्टेज (FET) एक FET के गेट और ड्रेन टर्मिनलों के बीच वोल्टेज का अंतर है। & सतही विभव (FET) अर्धचालक चैनल के सतही विभव के आधार पर कार्य करता है, तथा व्युत्क्रम परतें उत्पन्न किए बिना गेट वोल्टेज के माध्यम से धारा के प्रवाह को नियंत्रित करता है। के लिए संबंधित मान दर्ज करने और कैलकुलेट बटन को क्लिक करने की आवश्यकता है।

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