कॅलक्यूलेटर ए टू झेड
🔍
डाउनलोड करा PDF
रसायनशास्त्र
अभियांत्रिकी
आर्थिक
आरोग्य
गणित
भौतिकशास्त्र
PMOS मध्ये बॅकगेट इफेक्ट पॅरामीटर कॅल्क्युलेटर
अभियांत्रिकी
आरोग्य
आर्थिक
खेळाचे मैदान
गणित
भौतिकशास्त्र
रसायनशास्त्र
↳
इलेक्ट्रॉनिक्स
इलेक्ट्रॉनिक्स आणि इन्स्ट्रुमेंटेशन
उत्पादन अभियांत्रिकी
दिवाणी
पदार्थ विज्ञान
यांत्रिकी
रासायनिक अभियांत्रिकी
विद्युत
⤿
अॅनालॉग इलेक्ट्रॉनिक्स
CMOS डिझाइन आणि अनुप्रयोग
अँटेना
अॅनालॉग कम्युनिकेशन्स
अॅम्प्लीफायर
आरएफ मायक्रोइलेक्ट्रॉनिक
इंटिग्रेटेड सर्किट्स (IC)
इलेक्ट्रोमॅग्नेटिक फील्ड सिद्धांत
ईडीसी
उपग्रह संप्रेषण
एम्बेडेड प्रणाली
ऑप्टिकल फायबर डिझाइन
ऑप्टो इलेक्ट्रॉनिक्स उपकरणे
घन राज्य साधने
टेलिकम्युनिकेशन स्विचिंग सिस्टम
ट्रान्समिशन लाइन आणि अँटेना
डिजिटल कम्युनिकेशन
डिजिटल प्रतिमा प्रक्रिया
दूरदर्शन अभियांत्रिकी
नियंत्रण यंत्रणा
पॉवर इलेक्ट्रॉनिक्स
फायबर ऑप्टिक ट्रान्समिशन
मायक्रोवेव्ह सिद्धांत
माहिती सिद्धांत आणि कोडिंग
रडार सिस्टम
वायरलेस कम्युनिकेशन
व्हीएलएसआय फॅब्रिकेशन
सिग्नल आणि सिस्टम्स
⤿
MOSFET
बीजेटी
⤿
पी-चॅनल सुधारणा
MOSFET वैशिष्ट्ये
Transconductance
अंतर्गत कॅपेसिटिव्ह प्रभाव आणि उच्च वारंवारता मॉडेल
एन-चॅनल सुधारणा
एमओएस ट्रान्झिस्टर
कॉमन मोड रिजेक्शन रेशो (सीएमआरआर)
चालू
प्रतिकार
प्रवर्धन घटक/नफा
बायसिंग
लहान सिग्नल विश्लेषण
विद्युतदाब
✖
दाता एकाग्रता अर्धसंवाहक भौतिकशास्त्र आहे आणि अर्धसंवाहक सामग्रीच्या प्रति युनिट व्हॉल्यूम दाता अशुद्धता अणूंच्या संख्येचा संदर्भ देते.
ⓘ
दात्याची एकाग्रता [N
d
]
1 प्रति घन सेंटीमीटर
1 प्रति घनमीटर
प्रति लिटर
प्रति मिलीलीटर
+10%
-10%
✖
ऑक्साइड कॅपेसिटन्स हा एक महत्त्वाचा पॅरामीटर आहे जो एमओएस उपकरणांच्या कार्यक्षमतेवर परिणाम करतो, जसे की एकात्मिक सर्किट्सचा वेग आणि वीज वापर.
ⓘ
ऑक्साइड कॅपेसिटन्स [C
ox
]
Abफॅरड
अट्टोफरद
सेंटीफरॅड
कुलम्ब/व्होल्ट
डेकफरॅड
डेसिफरॅड
कॅपॅसिटन्सचा EMU
कॅपॅसिटन्सचा ESU
एक्साफॅरड
फॅरड
फेमटोफॅरड
गिगाफराड
हेक्टोफरॅड
किलोफरड
मेगाफराड
मायक्रोफरॅड
मिलिफरद
नॅनोफरॅड
पेटाफॅरड
पिकोफॅरड
स्टॅटफॅरड
तेराफरद
+10%
-10%
✖
बॅकगेट इफेक्ट पॅरामीटर म्हणजे फील्ड-इफेक्ट ट्रान्झिस्टरमध्ये घडणारी घटना, जी प्रवर्धन, स्विचिंग आणि इतर हेतूंसाठी वापरली जाणारी इलेक्ट्रॉनिक उपकरणे आहेत.
ⓘ
PMOS मध्ये बॅकगेट इफेक्ट पॅरामीटर [γ
p
]
⎘ कॉपी
पायर्या
👎
सुत्र
✖
PMOS मध्ये बॅकगेट इफेक्ट पॅरामीटर
सुत्र
`"γ"_{"p"} = sqrt(2*"[Permitivity-vacuum]"*"[Charge-e]"*"N"_{"d"})/"C"_{"ox"}`
उदाहरण
`"0.029015"=sqrt(2*"[Permitivity-vacuum]"*"[Charge-e]"*"1.9e20/m³")/"0.0008F"`
कॅल्क्युलेटर
LaTeX
रीसेट करा
👍
डाउनलोड करा MOSFET सुत्र PDF
PMOS मध्ये बॅकगेट इफेक्ट पॅरामीटर उपाय
चरण 0: पूर्व-गणन सारांश
फॉर्म्युला वापरले जाते
बॅकगेट इफेक्ट पॅरामीटर
=
sqrt
(2*
[Permitivity-vacuum]
*
[Charge-e]
*
दात्याची एकाग्रता
)/
ऑक्साइड कॅपेसिटन्स
γ
p
=
sqrt
(2*
[Permitivity-vacuum]
*
[Charge-e]
*
N
d
)/
C
ox
हे सूत्र
2
स्थिर
,
1
कार्ये
,
3
व्हेरिएबल्स
वापरते
सतत वापरलेले
[Permitivity-vacuum]
- व्हॅक्यूमची परवानगी मूल्य घेतले म्हणून 8.85E-12
[Charge-e]
- इलेक्ट्रॉनचा चार्ज मूल्य घेतले म्हणून 1.60217662E-19
कार्ये वापरली
sqrt
- स्क्वेअर रूट फंक्शन हे एक फंक्शन आहे जे इनपुट म्हणून नॉन-ऋणात्मक संख्या घेते आणि दिलेल्या इनपुट नंबरचे वर्गमूळ परत करते., sqrt(Number)
व्हेरिएबल्स वापरलेले
बॅकगेट इफेक्ट पॅरामीटर
- बॅकगेट इफेक्ट पॅरामीटर म्हणजे फील्ड-इफेक्ट ट्रान्झिस्टरमध्ये घडणारी घटना, जी प्रवर्धन, स्विचिंग आणि इतर हेतूंसाठी वापरली जाणारी इलेक्ट्रॉनिक उपकरणे आहेत.
दात्याची एकाग्रता
-
(मध्ये मोजली 1 प्रति घनमीटर)
- दाता एकाग्रता अर्धसंवाहक भौतिकशास्त्र आहे आणि अर्धसंवाहक सामग्रीच्या प्रति युनिट व्हॉल्यूम दाता अशुद्धता अणूंच्या संख्येचा संदर्भ देते.
ऑक्साइड कॅपेसिटन्स
-
(मध्ये मोजली फॅरड)
- ऑक्साइड कॅपेसिटन्स हा एक महत्त्वाचा पॅरामीटर आहे जो एमओएस उपकरणांच्या कार्यक्षमतेवर परिणाम करतो, जसे की एकात्मिक सर्किट्सचा वेग आणि वीज वापर.
चरण 1: इनपुट ला बेस युनिटमध्ये रूपांतरित करा
दात्याची एकाग्रता:
1.9E+20 1 प्रति घनमीटर --> 1.9E+20 1 प्रति घनमीटर कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
ऑक्साइड कॅपेसिटन्स:
0.0008 फॅरड --> 0.0008 फॅरड कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
चरण 2: फॉर्म्युलाचे मूल्यांकन करा
फॉर्म्युलामध्ये इनपुट व्हॅल्यूजची स्थापना करणे
γ
p
= sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*N
d
)/C
ox
-->
sqrt
(2*
[Permitivity-vacuum]
*
[Charge-e]
*1.9E+20)/0.0008
मूल्यांकन करत आहे ... ...
γ
p
= 0.0290154053183929
चरण 3: निकाल आउटपुटच्या युनिटमध्ये रूपांतरित करा
0.0290154053183929 --> कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
अंतिम उत्तर
0.0290154053183929
≈
0.029015
<--
बॅकगेट इफेक्ट पॅरामीटर
(गणना 00.004 सेकंदात पूर्ण झाली)
आपण येथे आहात
-
होम
»
अभियांत्रिकी
»
इलेक्ट्रॉनिक्स
»
MOSFET
»
अॅनालॉग इलेक्ट्रॉनिक्स
»
पी-चॅनल सुधारणा
»
PMOS मध्ये बॅकगेट इफेक्ट पॅरामीटर
जमा
ने निर्मित
अमन धुसावत
गुरु तेग बहादूर इन्स्टिट्यूट ऑफ टेक्नॉलॉजी
(GTBIT)
,
नवी दिल्ली
अमन धुसावत यांनी हे कॅल्क्युलेटर आणि 50+ अधिक कॅल्क्युलेटर तयार केले आहेत!
द्वारे सत्यापित
परमिंदर सिंग
चंदीगड विद्यापीठ
(CU)
,
पंजाब
परमिंदर सिंग यानी हे कॅल्क्युलेटर आणि 500+ अधिक कॅल्क्युलेटर सत्यापित केले आहेत।
<
15 पी-चॅनल सुधारणा कॅल्क्युलेटर
पीएमओएस ट्रान्झिस्टरचा एकूण ड्रेन करंट
जा
ड्रेन करंट
= 1/2*
PMOS मध्ये प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर
*
प्रसर गुणोत्तर
*(
गेट आणि स्रोत दरम्यान व्होल्टेज
-
modulus
(
थ्रेशोल्ड व्होल्टेज
))^2*(1+
ड्रेन आणि स्त्रोत दरम्यान व्होल्टेज
/
modulus
(
लवकर व्होल्टेज
))
पीएमओएस ट्रान्झिस्टरच्या ट्रायोड प्रदेशात प्रवाह प्रवाह
जा
ड्रेन करंट
=
PMOS मध्ये प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर
*
प्रसर गुणोत्तर
*((
गेट आणि स्रोत दरम्यान व्होल्टेज
-
modulus
(
थ्रेशोल्ड व्होल्टेज
))*
ड्रेन आणि स्त्रोत दरम्यान व्होल्टेज
-1/2*(
ड्रेन आणि स्त्रोत दरम्यान व्होल्टेज
)^2)
PMOS मध्ये शरीराचा प्रभाव
जा
थ्रेशोल्ड व्होल्टेजमध्ये बदल
=
थ्रेशोल्ड व्होल्टेज
+
फॅब्रिकेशन प्रक्रिया पॅरामीटर
*(
sqrt
(2*
भौतिक मापदंड
+
शरीर आणि स्रोत दरम्यान व्होल्टेज
)-
sqrt
(2*
भौतिक मापदंड
))
पीएमओएस ट्रान्झिस्टरच्या ट्रायोड क्षेत्रामध्ये ड्रेन करंट दिलेला Vsd
जा
ड्रेन करंट
=
PMOS मध्ये प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर
*
प्रसर गुणोत्तर
*(
modulus
(
प्रभावी व्होल्टेज
)-1/2*
ड्रेन आणि स्त्रोत दरम्यान व्होल्टेज
)*
ड्रेन आणि स्त्रोत दरम्यान व्होल्टेज
पीएमओएस ट्रान्झिस्टरच्या संतृप्ति क्षेत्रामध्ये प्रवाह प्रवाह
जा
संपृक्तता निचरा वर्तमान
= 1/2*
PMOS मध्ये प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर
*
प्रसर गुणोत्तर
*(
गेट आणि स्रोत दरम्यान व्होल्टेज
-
modulus
(
थ्रेशोल्ड व्होल्टेज
))^2
PMOS मध्ये बॅकगेट इफेक्ट पॅरामीटर
जा
बॅकगेट इफेक्ट पॅरामीटर
=
sqrt
(2*
[Permitivity-vacuum]
*
[Charge-e]
*
दात्याची एकाग्रता
)/
ऑक्साइड कॅपेसिटन्स
पीएमओएसमध्ये पिंच-ऑफ स्थितीत इन्व्हर्जन लेयर चार्ज
जा
इन्व्हर्जन लेयर चार्ज
= -
ऑक्साइड कॅपेसिटन्स
*(
गेट आणि स्रोत दरम्यान व्होल्टेज
-
थ्रेशोल्ड व्होल्टेज
-
ड्रेन आणि स्त्रोत दरम्यान व्होल्टेज
)
स्त्रोतापासून नाल्याकडे प्रवाह काढा
जा
ड्रेन करंट
= (
जंक्शनची रुंदी
*
इन्व्हर्जन लेयर चार्ज
*
चॅनेलमधील छिद्रांची गतिशीलता
*
चॅनेलमधील इलेक्ट्रिक फील्डचा क्षैतिज घटक
)
पीएमओएस ट्रान्झिस्टरच्या सॅच्युरेशन क्षेत्रामध्ये प्रवाहित प्रवाह दिलेला Vov
जा
संपृक्तता निचरा वर्तमान
= 1/2*
PMOS मध्ये प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर
*
प्रसर गुणोत्तर
*(
प्रभावी व्होल्टेज
)^2
पीएमओएसमध्ये इनव्हर्शन लेयर चार्ज
जा
इन्व्हर्जन लेयर चार्ज
= -
ऑक्साइड कॅपेसिटन्स
*(
गेट आणि स्रोत दरम्यान व्होल्टेज
-
थ्रेशोल्ड व्होल्टेज
)
पीएमओएसचा ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज
जा
प्रभावी व्होल्टेज
=
गेट आणि स्रोत दरम्यान व्होल्टेज
-
modulus
(
थ्रेशोल्ड व्होल्टेज
)
पीएमओएसच्या इनव्हर्जन चॅनेलमधील वर्तमान
जा
ड्रेन करंट
= (
जंक्शनची रुंदी
*
इन्व्हर्जन लेयर चार्ज
*
उलट्याचा प्रवाह वेग
)
PMOS चे प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर
जा
PMOS मध्ये प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर
=
चॅनेलमधील छिद्रांची गतिशीलता
*
ऑक्साइड कॅपेसिटन्स
PMOS च्या इनव्हर्शन चॅनेलमध्ये वर्तमान दिलेली गतिशीलता
जा
उलट्याचा प्रवाह वेग
=
चॅनेलमधील छिद्रांची गतिशीलता
*
चॅनेलमधील इलेक्ट्रिक फील्डचा क्षैतिज घटक
पीएनपी ट्रान्झिस्टरचा संक्रमण वेळ
जा
संक्रमण वेळ
=
पाया रुंदी
^2/(2*
PNP साठी प्रसार स्थिरांक
)
PMOS मध्ये बॅकगेट इफेक्ट पॅरामीटर सुत्र
बॅकगेट इफेक्ट पॅरामीटर
=
sqrt
(2*
[Permitivity-vacuum]
*
[Charge-e]
*
दात्याची एकाग्रता
)/
ऑक्साइड कॅपेसिटन्स
γ
p
=
sqrt
(2*
[Permitivity-vacuum]
*
[Charge-e]
*
N
d
)/
C
ox
होम
फुकट पीडीएफ
🔍
शोधा
श्रेण्या
शेयर
Let Others Know
✖
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!