बेस ट्रान्सपोर्ट फॅक्टर दिलेली बेस रुंदी उपाय

चरण 0: पूर्व-गणन सारांश
फॉर्म्युला वापरले जाते
बेस ट्रान्सपोर्ट फॅक्टर = 1-(1/2*(भौतिक रुंदी/इलेक्ट्रॉन प्रसार लांबी)^2)
αT = 1-(1/2*(Wp/Le)^2)
हे सूत्र 3 व्हेरिएबल्स वापरते
व्हेरिएबल्स वापरलेले
बेस ट्रान्सपोर्ट फॅक्टर - बेस ट्रान्सपोर्ट फॅक्टर आपल्याला सांगतो की बेसमध्ये इंजेक्ट केलेल्या इलेक्ट्रॉन प्रवाहाचा कोणता अंश प्रत्यक्षात तो कलेक्टर जंक्शनला बनवतो.
भौतिक रुंदी - (मध्ये मोजली मीटर) - भौतिक रुंदी स्त्रोत आणि ड्रेन टर्मिनल्समधील चॅनेल प्रदेशाच्या रुंदीचा संदर्भ देते. या चॅनेलची रुंदी MOSFET ची वर्तमान वाहून नेण्याची क्षमता निर्धारित करते.
इलेक्ट्रॉन प्रसार लांबी - (मध्ये मोजली मीटर) - इलेक्ट्रॉन डिफ्यूजन लांबी ही अर्धसंवाहक भौतिकशास्त्रात वापरली जाणारी एक संकल्पना आहे ज्याचा वापर इलेक्ट्रॉन विखुरणे किंवा पुनर्संयोजन होण्यापूर्वी सरासरी अंतराचे वर्णन करते.
चरण 1: इनपुट ला बेस युनिटमध्ये रूपांतरित करा
भौतिक रुंदी: 1.532 मीटर --> 1.532 मीटर कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
इलेक्ट्रॉन प्रसार लांबी: 1.2 मीटर --> 1.2 मीटर कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
चरण 2: फॉर्म्युलाचे मूल्यांकन करा
फॉर्म्युलामध्ये इनपुट व्हॅल्यूजची स्थापना करणे
αT = 1-(1/2*(Wp/Le)^2) --> 1-(1/2*(1.532/1.2)^2)
मूल्यांकन करत आहे ... ...
αT = 0.185061111111111
चरण 3: निकाल आउटपुटच्या युनिटमध्ये रूपांतरित करा
0.185061111111111 --> कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
अंतिम उत्तर
0.185061111111111 0.185061 <-- बेस ट्रान्सपोर्ट फॅक्टर
(गणना 00.004 सेकंदात पूर्ण झाली)

जमा

Creator Image
ने निर्मित बानुप्रकाश
दयानंद सागर अभियांत्रिकी महाविद्यालय (DSCE), बंगलोर
बानुप्रकाश यांनी हे कॅल्क्युलेटर आणि 50+ अधिक कॅल्क्युलेटर तयार केले आहेत!
Verifier Image
द्वारे सत्यापित संतोष यादव
दयानंद सागर अभियांत्रिकी महाविद्यालय (DSCE), बंगलोर
संतोष यादव यानी हे कॅल्क्युलेटर आणि 50+ अधिक कॅल्क्युलेटर सत्यापित केले आहेत।

19 बायपोलर आयसी फॅब्रिकेशन कॅल्क्युलेटर

आयताकृती समांतर पाईपचा प्रतिकार
​ जा प्रतिकार = ((प्रतिरोधकता*लेयरची जाडी)/(डिफ्यूज्ड लेयरची रुंदी*डिफ्यूज्ड लेयरची लांबी))*(ln(तळाच्या आयताची रुंदी/तळाच्या आयताची लांबी)/(तळाच्या आयताची रुंदी-तळाच्या आयताची लांबी))
अशुद्धता अणू प्रति युनिट क्षेत्र
​ जा एकूण अशुद्धता = प्रभावी प्रसार*(एमिटर बेस जंक्शन क्षेत्र*((चार्ज करा*आंतरिक एकाग्रता^2)/जिल्हाधिकारी वर्तमान)*exp(व्होल्टेज बेस एमिटर/थर्मल व्होल्टेज))
पी-प्रकारची चालकता
​ जा ओमिक चालकता = चार्ज करा*(इलेक्ट्रॉन डोपिंग सिलिकॉन मोबिलिटी*(आंतरिक एकाग्रता^2/पी-टाइपची समतोल एकाग्रता)+भोक डोपिंग सिलिकॉन गतिशीलता*पी-टाइपची समतोल एकाग्रता)
N-प्रकारची चालकता
​ जा ओमिक चालकता = चार्ज करा*(इलेक्ट्रॉन डोपिंग सिलिकॉन मोबिलिटी*एन-टाइपची समतोल एकाग्रता+भोक डोपिंग सिलिकॉन गतिशीलता*(आंतरिक एकाग्रता^2/एन-टाइपची समतोल एकाग्रता))
गेट सोर्स कॅपेसिटन्स दिलेली ओव्हरलॅप कॅपेसिटन्स
​ जा गेट सोर्स कॅपेसिटन्स = (2/3*ट्रान्झिस्टरची रुंदी*ट्रान्झिस्टरची लांबी*ऑक्साइड कॅपेसिटन्स)+(ट्रान्झिस्टरची रुंदी*ओव्हरलॅप कॅपेसिटन्स)
अशुद्धतेची ओमिक चालकता
​ जा ओमिक चालकता = चार्ज करा*(इलेक्ट्रॉन डोपिंग सिलिकॉन मोबिलिटी*इलेक्ट्रॉन एकाग्रता+भोक डोपिंग सिलिकॉन गतिशीलता*भोक एकाग्रता)
पीएनपी ट्रान्झिस्टरचे कलेक्टर-करंट
​ जा जिल्हाधिकारी वर्तमान = (चार्ज करा*एमिटर बेस जंक्शन क्षेत्र*एन-टाइपची समतोल एकाग्रता*PNP साठी प्रसार स्थिरांक)/पाया रुंदी
ट्रान्झिस्टरमध्ये संपृक्तता प्रवाह
​ जा संपृक्तता वर्तमान = (चार्ज करा*एमिटर बेस जंक्शन क्षेत्र*प्रभावी प्रसार*आंतरिक एकाग्रता^2)/एकूण अशुद्धता
पुरवठा व्होल्टेज दिलेला कॅपेसिटिव्ह लोड वीज वापर
​ जा कॅपेसिटिव्ह लोड पॉवर वापर = लोड कॅपेसिटन्स*पुरवठा व्होल्टेज^2*आउटपुट सिग्नल वारंवारता*आउटपुट स्विचिंगची एकूण संख्या
थर च्या शीट प्रतिकार
​ जा पत्रक प्रतिकार = 1/(चार्ज करा*इलेक्ट्रॉन डोपिंग सिलिकॉन मोबिलिटी*एन-टाइपची समतोल एकाग्रता*लेयरची जाडी)
डिफ्यूज्ड लेयरचा प्रतिकार
​ जा प्रतिकार = (1/ओमिक चालकता)*(डिफ्यूज्ड लेयरची लांबी/(डिफ्यूज्ड लेयरची रुंदी*लेयरची जाडी))
वर्तमान घनता भोक
​ जा भोक वर्तमान घनता = चार्ज करा*PNP साठी प्रसार स्थिरांक*(भोक समतोल एकाग्रता/पाया रुंदी)
कलेक्टर एमिटरचे ब्रेकआउट व्होल्टेज
​ जा कलेक्टर एमिटर ब्रेकआउट व्होल्टेज = कलेक्टर बेस ब्रेकआउट व्होल्टेज/(BJT चा सध्याचा फायदा)^(1/रूट क्रमांक)
आंतरिक एकाग्रतेसह अशुद्धता
​ जा आंतरिक एकाग्रता = sqrt((इलेक्ट्रॉन एकाग्रता*भोक एकाग्रता)/तापमान अशुद्धता)
एमिटर इंजेक्शन कार्यक्षमता
​ जा एमिटर इंजेक्शन कार्यक्षमता = एमिटर करंट/(इलेक्ट्रॉन्समुळे उत्सर्जक करंट+छिद्रांमुळे उत्सर्जक करंट)
डोपिंग स्थिरांक दिलेली एमिटर इंजेक्शनची कार्यक्षमता
​ जा एमिटर इंजेक्शन कार्यक्षमता = एन-साइड वर डोपिंग/(एन-साइड वर डोपिंग+पी-साइड वर डोपिंग)
जेनर डायोडमध्ये प्रवाही प्रवाह
​ जा डायोड करंट = (इनपुट संदर्भ व्होल्टेज-स्थिर आउटपुट व्होल्टेज)/जेनर प्रतिकार
ICs मध्ये व्होल्टेज ते वारंवारता रूपांतरण घटक
​ जा ICs मध्ये व्होल्टेज ते वारंवारता रूपांतरण घटक = आउटपुट सिग्नल वारंवारता/इनपुट व्होल्टेज
बेस ट्रान्सपोर्ट फॅक्टर दिलेली बेस रुंदी
​ जा बेस ट्रान्सपोर्ट फॅक्टर = 1-(1/2*(भौतिक रुंदी/इलेक्ट्रॉन प्रसार लांबी)^2)

बेस ट्रान्सपोर्ट फॅक्टर दिलेली बेस रुंदी सुत्र

बेस ट्रान्सपोर्ट फॅक्टर = 1-(1/2*(भौतिक रुंदी/इलेक्ट्रॉन प्रसार लांबी)^2)
αT = 1-(1/2*(Wp/Le)^2)
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!