NMOS मध्ये शरीराचा प्रभाव कॅल्क्युलेटर

✖थ्रेशोल्ड व्होल्टेज, ज्याला गेट थ्रेशोल्ड व्होल्टेज किंवा फक्त Vth असेही म्हटले जाते, हे फील्ड-इफेक्ट ट्रान्झिस्टरच्या ऑपरेशनमध्ये एक महत्त्वपूर्ण पॅरामीटर आहे, जे आधुनिक इलेक्ट्रॉनिक्समधील मूलभूत घटक आहेत.ⓘ थ्रेशोल्ड व्होल्टेज [V_T]			+10% -10%
✖फॅब्रिकेशन प्रोसेस पॅरामीटर ही प्रक्रिया आहे जी सिलिकॉन सब्सट्रेटच्या ऑक्सिडेशनपासून सुरू होते ज्यामध्ये पृष्ठभागावर तुलनेने जाड ऑक्साईड थर जमा होतो.ⓘ फॅब्रिकेशन प्रक्रिया पॅरामीटर [γ]			+10% -10%
✖भौतिक पॅरामीटर्सचा उपयोग एखाद्या भौतिक प्रणालीच्या स्थितीचे किंवा स्थितीचे वर्णन करण्यासाठी किंवा प्रणाली विविध उत्तेजनांना किंवा इनपुटला प्रतिसाद देण्याच्या पद्धतीचे वर्णन करण्यासाठी केली जाऊ शकते.ⓘ भौतिक मापदंड [φ_f]			+10% -10%
✖शरीर आणि स्त्रोत यांच्यातील व्होल्टेज महत्त्वपूर्ण आहे कारण त्याचा इलेक्ट्रॉनिक उपकरणांच्या सुरक्षित ऑपरेशनवर परिणाम होऊ शकतो.ⓘ शरीर आणि स्रोत दरम्यान व्होल्टेज [V_SB]			+10% -10%

✖थ्रेशोल्ड व्होल्टेजमधील बदल तापमानातील बदल, रेडिएशन एक्सपोजर आणि वृद्धत्व यासह विविध कारणांमुळे होऊ शकतो.ⓘ NMOS मध्ये शरीराचा प्रभाव [ΔV_th]

⎘ कॉपी

👎

सुत्र

✖

NMOS मध्ये शरीराचा प्रभाव

सुत्र

`"ΔV"_{"th"} = "V"_{"T"}+"γ"*(sqrt(2*"φ"_{"f"}+"V"_{"SB"})-sqrt(2*"φ"_{"f"}))`

उदाहरण

`"37.22441V"="1.82V"+"204"*(sqrt(2*"13V"+"1.8V")-sqrt(2*"13V"))`

कॅल्क्युलेटर

LaTeX

रीसेट करा

👍

डाउनलोड करा MOSFET सुत्र PDF PDF Image

NMOS मध्ये शरीराचा प्रभाव उपाय

चरण 0: पूर्व-गणन सारांश

फॉर्म्युला वापरले जाते

थ्रेशोल्ड व्होल्टेजमध्ये बदल = थ्रेशोल्ड व्होल्टेज+फॅब्रिकेशन प्रक्रिया पॅरामीटर*(sqrt(2*भौतिक मापदंड+शरीर आणि स्रोत दरम्यान व्होल्टेज)-sqrt(2*भौतिक मापदंड))
ΔV_th = V_T+γ*(sqrt(2*φ_f+V_SB)-sqrt(2*φ_f))
हे सूत्र 1 कार्ये, 5 व्हेरिएबल्स वापरते

कार्ये वापरली

sqrt - स्क्वेअर रूट फंक्शन हे एक फंक्शन आहे जे इनपुट म्हणून नॉन-ऋणात्मक संख्या घेते आणि दिलेल्या इनपुट नंबरचे वर्गमूळ परत करते., sqrt(Number)

व्हेरिएबल्स वापरलेले

थ्रेशोल्ड व्होल्टेजमध्ये बदल - (मध्ये मोजली व्होल्ट) - थ्रेशोल्ड व्होल्टेजमधील बदल तापमानातील बदल, रेडिएशन एक्सपोजर आणि वृद्धत्व यासह विविध कारणांमुळे होऊ शकतो.
थ्रेशोल्ड व्होल्टेज - (मध्ये मोजली व्होल्ट) - थ्रेशोल्ड व्होल्टेज, ज्याला गेट थ्रेशोल्ड व्होल्टेज किंवा फक्त Vth असेही म्हटले जाते, हे फील्ड-इफेक्ट ट्रान्झिस्टरच्या ऑपरेशनमध्ये एक महत्त्वपूर्ण पॅरामीटर आहे, जे आधुनिक इलेक्ट्रॉनिक्समधील मूलभूत घटक आहेत.
फॅब्रिकेशन प्रक्रिया पॅरामीटर - फॅब्रिकेशन प्रोसेस पॅरामीटर ही प्रक्रिया आहे जी सिलिकॉन सब्सट्रेटच्या ऑक्सिडेशनपासून सुरू होते ज्यामध्ये पृष्ठभागावर तुलनेने जाड ऑक्साईड थर जमा होतो.
भौतिक मापदंड - (मध्ये मोजली व्होल्ट) - भौतिक पॅरामीटर्सचा उपयोग एखाद्या भौतिक प्रणालीच्या स्थितीचे किंवा स्थितीचे वर्णन करण्यासाठी किंवा प्रणाली विविध उत्तेजनांना किंवा इनपुटला प्रतिसाद देण्याच्या पद्धतीचे वर्णन करण्यासाठी केली जाऊ शकते.
शरीर आणि स्रोत दरम्यान व्होल्टेज - (मध्ये मोजली व्होल्ट) - शरीर आणि स्त्रोत यांच्यातील व्होल्टेज महत्त्वपूर्ण आहे कारण त्याचा इलेक्ट्रॉनिक उपकरणांच्या सुरक्षित ऑपरेशनवर परिणाम होऊ शकतो.

चरण 1: इनपुट ला बेस युनिटमध्ये रूपांतरित करा

थ्रेशोल्ड व्होल्टेज: 1.82 व्होल्ट --> 1.82 व्होल्ट कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
फॅब्रिकेशन प्रक्रिया पॅरामीटर: 204 --> कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
भौतिक मापदंड: 13 व्होल्ट --> 13 व्होल्ट कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
शरीर आणि स्रोत दरम्यान व्होल्टेज: 1.8 व्होल्ट --> 1.8 व्होल्ट कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही

चरण 2: फॉर्म्युलाचे मूल्यांकन करा

फॉर्म्युलामध्ये इनपुट व्हॅल्यूजची स्थापना करणे

ΔV_th = V_T+γ*(sqrt(2*φ_f+V_SB)-sqrt(2*φ_f)) --> 1.82+204*(sqrt(2*13+1.8)-sqrt(2*13))

मूल्यांकन करत आहे ... ...

ΔV_th = 37.2244074665399

चरण 3: निकाल आउटपुटच्या युनिटमध्ये रूपांतरित करा

37.2244074665399 व्होल्ट --> कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही

अंतिम उत्तर

37.2244074665399 ≈ 37.22441 व्होल्ट <-- थ्रेशोल्ड व्होल्टेजमध्ये बदल

(गणना 00.004 सेकंदात पूर्ण झाली)

आपण येथे आहात -

होम » अभियांत्रिकी » इलेक्ट्रॉनिक्स » MOSFET » अॅनालॉग इलेक्ट्रॉनिक्स » एन-चॅनल सुधारणा » NMOS मध्ये शरीराचा प्रभाव

जमा

ने निर्मित पायल प्रिया

बिरसा तंत्रज्ञान तंत्रज्ञान संस्था (बिट), सिंदरी

पायल प्रिया यांनी हे कॅल्क्युलेटर आणि 600+ अधिक कॅल्क्युलेटर तयार केले आहेत!

द्वारे सत्यापित उर्वी राठोड

विश्वकर्मा शासकीय अभियांत्रिकी महाविद्यालय (व्हीजीईसी), अहमदाबाद

उर्वी राठोड यानी हे कॅल्क्युलेटर आणि 1900+ अधिक कॅल्क्युलेटर सत्यापित केले आहेत।

< 17 एन-चॅनल सुधारणा कॅल्क्युलेटर

एनएमओएसच्या ट्रायोड प्रदेशातील ड्रेन-स्रोत सध्या प्रवेश करत आहे

जा NMOS मधील प्रवाह = NMOS मध्ये प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर*चॅनेलची रुंदी/चॅनेलची लांबी*((गेट स्त्रोत व्होल्टेज-थ्रेशोल्ड व्होल्टेज)*ड्रेन स्त्रोत व्होल्टेज-1/2*(ड्रेन स्त्रोत व्होल्टेज)^2)

NMOS च्या वर्तमान एंटरिंग ड्रेन टर्मिनलला गेट सोर्स व्होल्टेज दिलेला आहे

जा NMOS मधील प्रवाह = NMOS मध्ये प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर*चॅनेलची रुंदी/चॅनेलची लांबी*((गेट स्त्रोत व्होल्टेज-थ्रेशोल्ड व्होल्टेज)*ड्रेन स्त्रोत व्होल्टेज-1/2*ड्रेन स्त्रोत व्होल्टेज^2)

NMOS मध्ये शरीराचा प्रभाव

जा थ्रेशोल्ड व्होल्टेजमध्ये बदल = थ्रेशोल्ड व्होल्टेज+फॅब्रिकेशन प्रक्रिया पॅरामीटर*(sqrt(2*भौतिक मापदंड+शरीर आणि स्रोत दरम्यान व्होल्टेज)-sqrt(2*भौतिक मापदंड))

NMOS चे वर्तमान प्रवेश करणारे ड्रेन टर्मिनल

जा NMOS मधील प्रवाह = NMOS मध्ये प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर*चॅनेलची रुंदी/चॅनेलची लांबी*ड्रेन स्त्रोत व्होल्टेज*(NMOS मध्ये ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज-1/2*ड्रेन स्त्रोत व्होल्टेज)

रेखीय प्रतिकार म्हणून NMOS

जा रेखीय प्रतिकार = चॅनेलची लांबी/(चॅनेलच्या पृष्ठभागावर इलेक्ट्रॉन्सची गतिशीलता*ऑक्साइड कॅपेसिटन्स*चॅनेलची रुंदी*(गेट स्त्रोत व्होल्टेज-थ्रेशोल्ड व्होल्टेज))

जेव्हा NMOS व्होल्टेज-नियंत्रित वर्तमान स्त्रोत म्हणून कार्य करते तेव्हा प्रवाह काढून टाका

जा NMOS मधील प्रवाह = 1/2*NMOS मध्ये प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर*चॅनेलची रुंदी/चॅनेलची लांबी*(गेट स्त्रोत व्होल्टेज-थ्रेशोल्ड व्होल्टेज)^2

NMOS च्या संपृक्तता क्षेत्रामध्ये प्रवाह प्रवेश करणारी ड्रेन-स्रोत

NMOS चे फॅब्रिकेशन प्रोसेस पॅरामीटर

जा फॅब्रिकेशन प्रक्रिया पॅरामीटर = sqrt(2*[Charge-e]*पी सब्सट्रेटचे डोपिंग एकाग्रता*[Permitivity-vacuum])/ऑक्साइड कॅपेसिटन्स

एनएमओएसच्या संपृक्ततेच्या प्रदेशातील प्रवाहात प्रवेश करणार्‍या ड्रेन-स्रोतला प्रभावी व्होल्टेज दिलेला आहे

जा संपृक्तता निचरा वर्तमान = 1/2*NMOS मध्ये प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर*चॅनेलची रुंदी/चॅनेलची लांबी*(NMOS मध्ये ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज)^2

एनएमओएसच्या संतृप्ति आणि ट्रायोड प्रदेशाच्या सीमारेषेवर वर्तमान प्रवेश करणारा नाला स्त्रोत

जा NMOS मधील प्रवाह = 1/2*NMOS मध्ये प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर*चॅनेलची रुंदी/चॅनेलची लांबी*(ड्रेन स्त्रोत व्होल्टेज)^2

एनएमओएस ट्रान्झिस्टरमधील चॅनेलचा इलेक्ट्रॉन ड्रिफ्ट वेग

जा इलेक्ट्रॉन ड्रिफ्ट वेग = चॅनेलच्या पृष्ठभागावर इलेक्ट्रॉन्सची गतिशीलता*चॅनेलच्या लांबीवर इलेक्ट्रिक फील्ड

NMOS दिलेला ड्रेन करंट व्होल्टेज-नियंत्रित वर्तमान स्त्रोत म्हणून कार्य करतो

जा ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर = PMOS मध्ये प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर*प्रसर गुणोत्तर

NMOS मध्ये एकूण वीजपुरवठा

जा वीजपुरवठा केला = पुरवठा व्होल्टेज*(NMOS मधील प्रवाह+चालू)

वर्तमान स्रोत NMOS चे आउटपुट रेझिस्टन्स दिलेले ड्रेन करंट

जा आउटपुट प्रतिकार = डिव्हाइस पॅरामीटर/चॅनेल लांबी मॉड्यूलेशनशिवाय प्रवाह काढून टाका

NMOS मध्ये एकूण उर्जा नष्ट झाली

जा शक्ती उधळली = NMOS मधील प्रवाह^2*चॅनल प्रतिकार चालू

एनएमओएसमध्ये चॅनेलची लांबी दिलेली पॉझिटिव्ह व्होल्टेज

जा विद्युतदाब = डिव्हाइस पॅरामीटर*चॅनेलची लांबी

NMOS चे ऑक्साइड कॅपेसिटन्स

जा ऑक्साइड कॅपेसिटन्स = (3.45*10^(-11))/ऑक्साईड जाडी

NMOS मध्ये शरीराचा प्रभाव सुत्र

एनएमओएसमध्ये शरीरावर परिणाम होण्याचे कारण काय आहे? शरीराचा पक्षपात म्हणजे काय?

शरीरावर परिणाम होतो कारण स्त्रोत आणि शरीरातील व्होल्टेज फरक व्हीटीवर परिणाम करते, शरीराला दुसरा द्वार म्हणून विचार करता येतो जो ट्रान्झिस्टर कसा चालू आणि बंद करतो हे निर्धारित करण्यात मदत करतो. बॉडी बायसमध्ये ट्रान्झिस्टर बॉडीस पॉवर किंवा ग्राउंडऐवजी सर्किट लेआउटमधील बायस नेटवर्कशी जोडले जाते. बाह्य पूर्वाग्रह बाह्य (ऑफ-चिप) स्त्रोत किंवा अंतर्गत (ऑन-चिप) स्त्रोताद्वारे पुरविला जाऊ शकतो.

होम

फुकट पीडीएफ

🔍 शोधा

श्रेण्या

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!