चॅनेल प्रतिकार उपाय

चरण 0: पूर्व-गणन सारांश
फॉर्म्युला वापरले जाते
चॅनेल प्रतिकार = ट्रान्झिस्टरची लांबी/ट्रान्झिस्टरची रुंदी*1/(इलेक्ट्रॉन गतिशीलता*वाहक घनता)
Rch = Lt/Wt*1/(μn*Qon)
हे सूत्र 5 व्हेरिएबल्स वापरते
व्हेरिएबल्स वापरलेले
चॅनेल प्रतिकार - (मध्ये मोजली ओहम) - चॅनल रेझिस्टन्स म्हणजे चॅनेलमधील सेमीकंडक्टर मटेरिअलद्वारे ऑफर केलेल्या रेझिस्टन्सचा संदर्भ ज्याद्वारे स्त्रोत आणि ड्रेन टर्मिनल्स दरम्यान प्रवाहित होतो.
ट्रान्झिस्टरची लांबी - (मध्ये मोजली मीटर) - ट्रान्झिस्टरची लांबी MOSFET मधील चॅनेल क्षेत्राच्या लांबीचा संदर्भ देते. हे परिमाण ट्रान्झिस्टरची विद्युत वैशिष्ट्ये आणि कार्यप्रदर्शन निश्चित करण्यात महत्त्वपूर्ण भूमिका बजावते.
ट्रान्झिस्टरची रुंदी - (मध्ये मोजली मीटर) - ट्रान्झिस्टरची रुंदी MOSFET मधील चॅनेल क्षेत्राच्या रुंदीचा संदर्भ देते. हे परिमाण ट्रान्झिस्टरची विद्युत वैशिष्ट्ये आणि कार्यप्रदर्शन निश्चित करण्यात महत्त्वपूर्ण भूमिका बजावते.
इलेक्ट्रॉन गतिशीलता - (मध्ये मोजली स्क्वेअर मीटर प्रति व्होल्ट प्रति सेकंद) - इलेक्ट्रॉन मोबिलिटी इलेक्ट्रिक फील्डच्या प्रतिसादात इलेक्ट्रॉन सामग्रीमधून किती वेगाने फिरू शकतात याचे वर्णन करते.
वाहक घनता - (मध्ये मोजली इलेक्ट्रॉन्स प्रति घनमीटर) - वाहक घनता अर्धसंवाहक चॅनेलमध्ये उपस्थित चार्ज वाहक (इलेक्ट्रॉन किंवा छिद्र) च्या संख्येचा संदर्भ देते.
चरण 1: इनपुट ला बेस युनिटमध्ये रूपांतरित करा
ट्रान्झिस्टरची लांबी: 3.2 मायक्रोमीटर --> 3.2E-06 मीटर (रूपांतरण तपासा ​येथे)
ट्रान्झिस्टरची रुंदी: 5.5 मायक्रोमीटर --> 5.5E-06 मीटर (रूपांतरण तपासा ​येथे)
इलेक्ट्रॉन गतिशीलता: 30 स्क्वेअर मीटर प्रति व्होल्ट प्रति सेकंद --> 30 स्क्वेअर मीटर प्रति व्होल्ट प्रति सेकंद कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
वाहक घनता: 0.0056 इलेक्ट्रॉन्स प्रति घनमीटर --> 0.0056 इलेक्ट्रॉन्स प्रति घनमीटर कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
चरण 2: फॉर्म्युलाचे मूल्यांकन करा
फॉर्म्युलामध्ये इनपुट व्हॅल्यूजची स्थापना करणे
Rch = Lt/Wt*1/(μn*Qon) --> 3.2E-06/5.5E-06*1/(30*0.0056)
मूल्यांकन करत आहे ... ...
Rch = 3.46320346320346
चरण 3: निकाल आउटपुटच्या युनिटमध्ये रूपांतरित करा
3.46320346320346 ओहम --> कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
अंतिम उत्तर
3.46320346320346 3.463203 ओहम <-- चॅनेल प्रतिकार
(गणना 00.004 सेकंदात पूर्ण झाली)

जमा

Creator Image
ने निर्मित बानुप्रकाश
दयानंद सागर अभियांत्रिकी महाविद्यालय (DSCE), बंगलोर
बानुप्रकाश यांनी हे कॅल्क्युलेटर आणि 50+ अधिक कॅल्क्युलेटर तयार केले आहेत!
Verifier Image
द्वारे सत्यापित संतोष यादव
दयानंद सागर अभियांत्रिकी महाविद्यालय (DSCE), बंगलोर
संतोष यादव यानी हे कॅल्क्युलेटर आणि 50+ अधिक कॅल्क्युलेटर सत्यापित केले आहेत।

15 एमओएस आयसी फॅब्रिकेशन कॅल्क्युलेटर

स्विचिंग पॉइंट व्होल्टेज
​ जा स्विचिंग पॉइंट व्होल्टेज = (पुरवठा व्होल्टेज+पीएमओएस थ्रेशोल्ड व्होल्टेज+NMOS थ्रेशोल्ड व्होल्टेज*sqrt(NMOS ट्रान्झिस्टर लाभ/पीएमओएस ट्रान्झिस्टर गेन))/(1+sqrt(NMOS ट्रान्झिस्टर लाभ/पीएमओएस ट्रान्झिस्टर गेन))
MOSFET मध्ये शरीराचा प्रभाव
​ जा सब्सट्रेटसह थ्रेशोल्ड व्होल्टेज = शून्य शरीर पूर्वाग्रह सह थ्रेशोल्ड व्होल्टेज+बॉडी इफेक्ट पॅरामीटर*(sqrt(2*बल्क फर्मी पोटेंशियल+शरीरावर व्होल्टेज लागू)-sqrt(2*बल्क फर्मी पोटेंशियल))
दाता डोपंट एकाग्रता
​ जा दाता डोपंट एकाग्रता = (संपृक्तता वर्तमान*ट्रान्झिस्टरची लांबी)/([Charge-e]*ट्रान्झिस्टरची रुंदी*इलेक्ट्रॉन गतिशीलता*डिप्लेशन लेयर कॅपेसिटन्स)
संपृक्तता प्रदेशात MOSFET चा प्रवाह प्रवाह
​ जा ड्रेन करंट = ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर/2*(गेट स्त्रोत व्होल्टेज-शून्य शरीर पूर्वाग्रह सह थ्रेशोल्ड व्होल्टेज)^2*(1+चॅनेल लांबी मॉड्युलेशन फॅक्टर*ड्रेन स्त्रोत व्होल्टेज)
स्वीकारणारा डोपेंट एकाग्रता
​ जा स्वीकारणारा डोपेंट एकाग्रता = 1/(2*pi*ट्रान्झिस्टरची लांबी*ट्रान्झिस्टरची रुंदी*[Charge-e]*भोक गतिशीलता*डिप्लेशन लेयर कॅपेसिटन्स)
जास्तीत जास्त डोपेंट एकाग्रता
​ जा जास्तीत जास्त डोपेंट एकाग्रता = संदर्भ एकाग्रता*exp(-घन विद्राव्यतेसाठी सक्रियता ऊर्जा/([BoltZ]*परिपूर्ण तापमान))
प्रसार वेळ
​ जा प्रसार वेळ = 0.7*पास ट्रान्झिस्टरची संख्या*((पास ट्रान्झिस्टरची संख्या+1)/2)*MOSFET मध्ये प्रतिकार*लोड कॅपेसिटन्स
मुक्त इलेक्ट्रॉन्समुळे प्रवाही घनता
​ जा इलेक्ट्रॉन्समुळे प्रवाही घनता = [Charge-e]*इलेक्ट्रॉन एकाग्रता*इलेक्ट्रॉन गतिशीलता*इलेक्ट्रिक फील्ड तीव्रता
छिद्रांमुळे प्रवाहाची घनता वाहते
​ जा छिद्रांमुळे प्रवाहाची घनता वाहते = [Charge-e]*भोक एकाग्रता*भोक गतिशीलता*इलेक्ट्रिक फील्ड तीव्रता
चॅनेल प्रतिकार
​ जा चॅनेल प्रतिकार = ट्रान्झिस्टरची लांबी/ट्रान्झिस्टरची रुंदी*1/(इलेक्ट्रॉन गतिशीलता*वाहक घनता)
MOSFET युनिटी-गेन वारंवारता
​ जा MOSFET मध्ये युनिटी गेन वारंवारता = MOSFET मध्ये ट्रान्सकंडक्टन्स/(गेट सोर्स कॅपेसिटन्स+गेट ड्रेन कॅपेसिटन्स)
गंभीर परिमाण
​ जा गंभीर परिमाण = प्रक्रिया अवलंबित स्थिरांक*फोटोलिथोग्राफी मध्ये तरंगलांबी/संख्यात्मक छिद्र
फोकसची खोली
​ जा फोकसची खोली = आनुपातिकता घटक*फोटोलिथोग्राफी मध्ये तरंगलांबी/(संख्यात्मक छिद्र^2)
प्रति वेफर मरणे
​ जा डाई प्रति वेफर = (pi*वेफर व्यास^2)/(4*प्रत्येक डाईचा आकार)
समतुल्य ऑक्साईड जाडी
​ जा समतुल्य ऑक्साईड जाडी = सामग्रीची जाडी*(3.9/साहित्याचा डायलेक्ट्रिक स्थिरांक)

चॅनेल प्रतिकार सुत्र

चॅनेल प्रतिकार = ट्रान्झिस्टरची लांबी/ट्रान्झिस्टरची रुंदी*1/(इलेक्ट्रॉन गतिशीलता*वाहक घनता)
Rch = Lt/Wt*1/(μn*Qon)
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!