MOSFET युनिटी-गेन वारंवारता कॅल्क्युलेटर

✖MOSFET मधील ट्रान्सकंडक्टन्स हे मुख्य पॅरामीटर आहे जे इनपुट व्होल्टेज आणि आउटपुट करंट यांच्यातील संबंधांचे वर्णन करते.ⓘ MOSFET मध्ये ट्रान्सकंडक्टन्स [g_m]			+10% -10%
✖गेट सोर्स कॅपेसिटन्स म्हणजे फील्ड-इफेक्ट ट्रान्झिस्टर (FET) च्या गेट आणि सोर्स टर्मिनल्समधील कॅपेसिटन्सचा संदर्भ आहे.ⓘ गेट सोर्स कॅपेसिटन्स [C_gs]			+10% -10%
✖गेट ड्रेन कॅपेसिटन्स यंत्राच्या गेट आणि ड्रेन टर्मिनल्समधील कॅपेसिटन्सचा संदर्भ देते.ⓘ गेट ड्रेन कॅपेसिटन्स [C_gd]			+10% -10%

✖MOSFET मधील युनिटी गेन फ्रिक्वेन्सी म्हणजे रेझिस्टिव्ह लोडसह सामान्य-स्रोत कॉन्फिगरेशनमध्ये डिव्हाइसचा व्होल्टेज वाढ 1 (0dB) पर्यंत घसरते.ⓘ MOSFET युनिटी-गेन वारंवारता [f_t]

⎘ कॉपी

👎

सुत्र

✖

MOSFET युनिटी-गेन वारंवारता

सुत्र

`"f"_{"t"} = "g"_{"m"}/("C"_{"gs"}+"C"_{"gd"})`

उदाहरण

`"37.41497kHz"="2.2S"/("56μF"+"2.8μF")`

कॅल्क्युलेटर

LaTeX

रीसेट करा

👍

डाउनलोड करा एमओएस आयसी फॅब्रिकेशन सूत्रे PDF PDF Image

MOSFET युनिटी-गेन वारंवारता उपाय

चरण 0: पूर्व-गणन सारांश

फॉर्म्युला वापरले जाते

MOSFET मध्ये युनिटी गेन वारंवारता = MOSFET मध्ये ट्रान्सकंडक्टन्स/(गेट सोर्स कॅपेसिटन्स+गेट ड्रेन कॅपेसिटन्स)
f_t = g_m/(C_gs+C_gd)
हे सूत्र 4 व्हेरिएबल्स वापरते

व्हेरिएबल्स वापरलेले

MOSFET मध्ये युनिटी गेन वारंवारता - (मध्ये मोजली हर्ट्झ) - MOSFET मधील युनिटी गेन फ्रिक्वेन्सी म्हणजे रेझिस्टिव्ह लोडसह सामान्य-स्रोत कॉन्फिगरेशनमध्ये डिव्हाइसचा व्होल्टेज वाढ 1 (0dB) पर्यंत घसरते.
MOSFET मध्ये ट्रान्सकंडक्टन्स - (मध्ये मोजली सीमेन्स) - MOSFET मधील ट्रान्सकंडक्टन्स हे मुख्य पॅरामीटर आहे जे इनपुट व्होल्टेज आणि आउटपुट करंट यांच्यातील संबंधांचे वर्णन करते.
गेट सोर्स कॅपेसिटन्स - (मध्ये मोजली फॅरड) - गेट सोर्स कॅपेसिटन्स म्हणजे फील्ड-इफेक्ट ट्रान्झिस्टर (FET) च्या गेट आणि सोर्स टर्मिनल्समधील कॅपेसिटन्सचा संदर्भ आहे.
गेट ड्रेन कॅपेसिटन्स - (मध्ये मोजली फॅरड) - गेट ड्रेन कॅपेसिटन्स यंत्राच्या गेट आणि ड्रेन टर्मिनल्समधील कॅपेसिटन्सचा संदर्भ देते.

चरण 1: इनपुट ला बेस युनिटमध्ये रूपांतरित करा

MOSFET मध्ये ट्रान्सकंडक्टन्स: 2.2 सीमेन्स --> 2.2 सीमेन्स कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
गेट सोर्स कॅपेसिटन्स: 56 मायक्रोफरॅड --> 5.6E-05 फॅरड (रूपांतरण तपासा येथे)
गेट ड्रेन कॅपेसिटन्स: 2.8 मायक्रोफरॅड --> 2.8E-06 फॅरड (रूपांतरण तपासा येथे)

चरण 2: फॉर्म्युलाचे मूल्यांकन करा

फॉर्म्युलामध्ये इनपुट व्हॅल्यूजची स्थापना करणे

f_t = g_m/(C_gs+C_gd) --> 2.2/(5.6E-05+2.8E-06)

मूल्यांकन करत आहे ... ...

f_t = 37414.9659863946

चरण 3: निकाल आउटपुटच्या युनिटमध्ये रूपांतरित करा

37414.9659863946 हर्ट्झ -->37.4149659863946 किलोहर्ट्झ (रूपांतरण तपासा येथे)

अंतिम उत्तर

37.4149659863946 ≈ 37.41497 किलोहर्ट्झ <-- MOSFET मध्ये युनिटी गेन वारंवारता

(गणना 00.004 सेकंदात पूर्ण झाली)

आपण येथे आहात -

होम » अभियांत्रिकी » इलेक्ट्रॉनिक्स » इंटिग्रेटेड सर्किट्स (IC) » एमओएस आयसी फॅब्रिकेशन » MOSFET युनिटी-गेन वारंवारता

जमा

ने निर्मित बानुप्रकाश

दयानंद सागर अभियांत्रिकी महाविद्यालय (DSCE), बंगलोर

बानुप्रकाश यांनी हे कॅल्क्युलेटर आणि 50+ अधिक कॅल्क्युलेटर तयार केले आहेत!

द्वारे सत्यापित संतोष यादव

दयानंद सागर अभियांत्रिकी महाविद्यालय (DSCE), बंगलोर

संतोष यादव यानी हे कॅल्क्युलेटर आणि 50+ अधिक कॅल्क्युलेटर सत्यापित केले आहेत।

< 15 एमओएस आयसी फॅब्रिकेशन कॅल्क्युलेटर

स्विचिंग पॉइंट व्होल्टेज

जा स्विचिंग पॉइंट व्होल्टेज = (पुरवठा व्होल्टेज+पीएमओएस थ्रेशोल्ड व्होल्टेज+NMOS थ्रेशोल्ड व्होल्टेज*sqrt(NMOS ट्रान्झिस्टर लाभ/पीएमओएस ट्रान्झिस्टर गेन))/(1+sqrt(NMOS ट्रान्झिस्टर लाभ/पीएमओएस ट्रान्झिस्टर गेन))

MOSFET मध्ये शरीराचा प्रभाव

जा सब्सट्रेटसह थ्रेशोल्ड व्होल्टेज = शून्य शरीर पूर्वाग्रह सह थ्रेशोल्ड व्होल्टेज+बॉडी इफेक्ट पॅरामीटर*(sqrt(2*बल्क फर्मी पोटेंशियल+शरीरावर व्होल्टेज लागू)-sqrt(2*बल्क फर्मी पोटेंशियल))

दाता डोपंट एकाग्रता

जा दाता डोपंट एकाग्रता = (संपृक्तता वर्तमान*ट्रान्झिस्टरची लांबी)/([Charge-e]*ट्रान्झिस्टरची रुंदी*इलेक्ट्रॉन गतिशीलता*डिप्लेशन लेयर कॅपेसिटन्स)

संपृक्तता प्रदेशात MOSFET चा प्रवाह प्रवाह

जा ड्रेन करंट = ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर/2*(गेट स्त्रोत व्होल्टेज-शून्य शरीर पूर्वाग्रह सह थ्रेशोल्ड व्होल्टेज)^2*(1+चॅनेल लांबी मॉड्युलेशन फॅक्टर*ड्रेन स्त्रोत व्होल्टेज)

स्वीकारणारा डोपेंट एकाग्रता

जा स्वीकारणारा डोपेंट एकाग्रता = 1/(2*pi*ट्रान्झिस्टरची लांबी*ट्रान्झिस्टरची रुंदी*[Charge-e]*भोक गतिशीलता*डिप्लेशन लेयर कॅपेसिटन्स)

जास्तीत जास्त डोपेंट एकाग्रता

जा जास्तीत जास्त डोपेंट एकाग्रता = संदर्भ एकाग्रता*exp(-घन विद्राव्यतेसाठी सक्रियता ऊर्जा/([BoltZ]*परिपूर्ण तापमान))

प्रसार वेळ

जा प्रसार वेळ = 0.7*पास ट्रान्झिस्टरची संख्या*((पास ट्रान्झिस्टरची संख्या+1)/2)*MOSFET मध्ये प्रतिकार*लोड कॅपेसिटन्स

मुक्त इलेक्ट्रॉन्समुळे प्रवाही घनता

जा इलेक्ट्रॉन्समुळे प्रवाही घनता = [Charge-e]*इलेक्ट्रॉन एकाग्रता*इलेक्ट्रॉन गतिशीलता*इलेक्ट्रिक फील्ड तीव्रता

छिद्रांमुळे प्रवाहाची घनता वाहते

जा छिद्रांमुळे प्रवाहाची घनता वाहते = [Charge-e]*भोक एकाग्रता*भोक गतिशीलता*इलेक्ट्रिक फील्ड तीव्रता

चॅनेल प्रतिकार

जा चॅनेल प्रतिकार = ट्रान्झिस्टरची लांबी/ट्रान्झिस्टरची रुंदी*1/(इलेक्ट्रॉन गतिशीलता*वाहक घनता)

MOSFET युनिटी-गेन वारंवारता

जा MOSFET मध्ये युनिटी गेन वारंवारता = MOSFET मध्ये ट्रान्सकंडक्टन्स/(गेट सोर्स कॅपेसिटन्स+गेट ड्रेन कॅपेसिटन्स)

गंभीर परिमाण

जा गंभीर परिमाण = प्रक्रिया अवलंबित स्थिरांक*फोटोलिथोग्राफी मध्ये तरंगलांबी/संख्यात्मक छिद्र

फोकसची खोली

जा फोकसची खोली = आनुपातिकता घटक*फोटोलिथोग्राफी मध्ये तरंगलांबी/(संख्यात्मक छिद्र^2)

प्रति वेफर मरणे

जा डाई प्रति वेफर = (pi*वेफर व्यास^2)/(4*प्रत्येक डाईचा आकार)

समतुल्य ऑक्साईड जाडी

जा समतुल्य ऑक्साईड जाडी = सामग्रीची जाडी*(3.9/साहित्याचा डायलेक्ट्रिक स्थिरांक)

MOSFET युनिटी-गेन वारंवारता सुत्र

MOSFET मध्ये युनिटी गेन वारंवारता = MOSFET मध्ये ट्रान्सकंडक्टन्स/(गेट सोर्स कॅपेसिटन्स+गेट ड्रेन कॅपेसिटन्स)
f_t = g_m/(C_gs+C_gd)

होम

फुकट पीडीएफ

🔍 शोधा

श्रेण्या

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!