MOSFET मध्ये शरीराचा प्रभाव कॅल्क्युलेटर

✖झिरो बॉडी बायससह थ्रेशोल्ड व्होल्टेज जेव्हा सेमीकंडक्टर सब्सट्रेट (बॉडी टर्मिनल) वर कोणतेही बाह्य पूर्वाग्रह लागू केले जात नाही तेव्हा थ्रेशोल्ड व्होल्टेजचा संदर्भ देते.ⓘ शून्य शरीर पूर्वाग्रह सह थ्रेशोल्ड व्होल्टेज [V_th]			+10% -10%
✖बॉडी इफेक्ट पॅरामीटर हे एक पॅरामीटर आहे जे MOSFET च्या थ्रेशोल्ड व्होल्टेजची संवेदनशीलता दर्शवते.ⓘ बॉडी इफेक्ट पॅरामीटर [γ]			+10% -10%
✖बल्क फर्मी पोटेंशियल हे एक पॅरामीटर आहे जे सेमीकंडक्टर सामग्रीच्या मोठ्या प्रमाणात (इंटिरिअर) इलेक्ट्रोस्टॅटिक संभाव्यतेचे वर्णन करते.ⓘ बल्क फर्मी पोटेंशियल [Φ_f]			+10% -10%
✖व्होल्टेज अप्लाइड टू बॉडी म्हणजे बॉडी टर्मिनलवर लागू व्होल्टेज. या व्होल्टेजचा MOSFET च्या वर्तनावर आणि कार्यक्षमतेवर लक्षणीय परिणाम होऊ शकतो.ⓘ शरीरावर व्होल्टेज लागू [V_bs]			+10% -10%

✖सब्सट्रेटसह थ्रेशोल्ड व्होल्टेज हा एक महत्त्वाचा पॅरामीटर आहे जो ट्रान्झिस्टर स्त्रोतापासून ड्रेनपर्यंत प्रवाह चालविण्यास सुरुवात करतो त्या बिंदूची व्याख्या करतो.ⓘ MOSFET मध्ये शरीराचा प्रभाव [V_t]

⎘ कॉपी

👎

सुत्र

✖

MOSFET मध्ये शरीराचा प्रभाव

सुत्र

`"V"_{"t"} = "V"_{"th"}+"γ"*(sqrt(2*"Φ"_{"f"}+"V"_{"bs"})-sqrt(2*"Φ"_{"f"}))`

उदाहरण

`"3.962586V"="3.4V"+"0.56"*(sqrt(2*"0.25V"+"2.43V")-sqrt(2*"0.25V"))`

कॅल्क्युलेटर

LaTeX

रीसेट करा

👍

डाउनलोड करा एमओएस आयसी फॅब्रिकेशन सूत्रे PDF PDF Image

MOSFET मध्ये शरीराचा प्रभाव उपाय

चरण 0: पूर्व-गणन सारांश

फॉर्म्युला वापरले जाते

सब्सट्रेटसह थ्रेशोल्ड व्होल्टेज = शून्य शरीर पूर्वाग्रह सह थ्रेशोल्ड व्होल्टेज+बॉडी इफेक्ट पॅरामीटर*(sqrt(2*बल्क फर्मी पोटेंशियल+शरीरावर व्होल्टेज लागू)-sqrt(2*बल्क फर्मी पोटेंशियल))
V_t = V_th+γ*(sqrt(2*Φ_f+V_bs)-sqrt(2*Φ_f))
हे सूत्र 1 कार्ये, 5 व्हेरिएबल्स वापरते

कार्ये वापरली

sqrt - स्क्वेअर रूट फंक्शन हे एक फंक्शन आहे जे इनपुट म्हणून नॉन-ऋणात्मक संख्या घेते आणि दिलेल्या इनपुट नंबरचे वर्गमूळ परत करते., sqrt(Number)

व्हेरिएबल्स वापरलेले

सब्सट्रेटसह थ्रेशोल्ड व्होल्टेज - (मध्ये मोजली व्होल्ट) - सब्सट्रेटसह थ्रेशोल्ड व्होल्टेज हा एक महत्त्वाचा पॅरामीटर आहे जो ट्रान्झिस्टर स्त्रोतापासून ड्रेनपर्यंत प्रवाह चालविण्यास सुरुवात करतो त्या बिंदूची व्याख्या करतो.
शून्य शरीर पूर्वाग्रह सह थ्रेशोल्ड व्होल्टेज - (मध्ये मोजली व्होल्ट) - झिरो बॉडी बायससह थ्रेशोल्ड व्होल्टेज जेव्हा सेमीकंडक्टर सब्सट्रेट (बॉडी टर्मिनल) वर कोणतेही बाह्य पूर्वाग्रह लागू केले जात नाही तेव्हा थ्रेशोल्ड व्होल्टेजचा संदर्भ देते.
बॉडी इफेक्ट पॅरामीटर - बॉडी इफेक्ट पॅरामीटर हे एक पॅरामीटर आहे जे MOSFET च्या थ्रेशोल्ड व्होल्टेजची संवेदनशीलता दर्शवते.
बल्क फर्मी पोटेंशियल - (मध्ये मोजली व्होल्ट) - बल्क फर्मी पोटेंशियल हे एक पॅरामीटर आहे जे सेमीकंडक्टर सामग्रीच्या मोठ्या प्रमाणात (इंटिरिअर) इलेक्ट्रोस्टॅटिक संभाव्यतेचे वर्णन करते.
शरीरावर व्होल्टेज लागू - (मध्ये मोजली व्होल्ट) - व्होल्टेज अप्लाइड टू बॉडी म्हणजे बॉडी टर्मिनलवर लागू व्होल्टेज. या व्होल्टेजचा MOSFET च्या वर्तनावर आणि कार्यक्षमतेवर लक्षणीय परिणाम होऊ शकतो.

चरण 1: इनपुट ला बेस युनिटमध्ये रूपांतरित करा

शून्य शरीर पूर्वाग्रह सह थ्रेशोल्ड व्होल्टेज: 3.4 व्होल्ट --> 3.4 व्होल्ट कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
बॉडी इफेक्ट पॅरामीटर: 0.56 --> कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
बल्क फर्मी पोटेंशियल: 0.25 व्होल्ट --> 0.25 व्होल्ट कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
शरीरावर व्होल्टेज लागू: 2.43 व्होल्ट --> 2.43 व्होल्ट कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही

चरण 2: फॉर्म्युलाचे मूल्यांकन करा

फॉर्म्युलामध्ये इनपुट व्हॅल्यूजची स्थापना करणे

V_t = V_th+γ*(sqrt(2*Φ_f+V_bs)-sqrt(2*Φ_f)) --> 3.4+0.56*(sqrt(2*0.25+2.43)-sqrt(2*0.25))

मूल्यांकन करत आहे ... ...

V_t = 3.96258579757846

चरण 3: निकाल आउटपुटच्या युनिटमध्ये रूपांतरित करा

3.96258579757846 व्होल्ट --> कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही

अंतिम उत्तर

3.96258579757846 ≈ 3.962586 व्होल्ट <-- सब्सट्रेटसह थ्रेशोल्ड व्होल्टेज

(गणना 00.004 सेकंदात पूर्ण झाली)

आपण येथे आहात -

होम » अभियांत्रिकी » इलेक्ट्रॉनिक्स » इंटिग्रेटेड सर्किट्स (IC) » एमओएस आयसी फॅब्रिकेशन » MOSFET मध्ये शरीराचा प्रभाव

जमा

ने निर्मित बानुप्रकाश

दयानंद सागर अभियांत्रिकी महाविद्यालय (DSCE), बंगलोर

बानुप्रकाश यांनी हे कॅल्क्युलेटर आणि 50+ अधिक कॅल्क्युलेटर तयार केले आहेत!

द्वारे सत्यापित संतोष यादव

दयानंद सागर अभियांत्रिकी महाविद्यालय (DSCE), बंगलोर

संतोष यादव यानी हे कॅल्क्युलेटर आणि 50+ अधिक कॅल्क्युलेटर सत्यापित केले आहेत।

< 15 एमओएस आयसी फॅब्रिकेशन कॅल्क्युलेटर

स्विचिंग पॉइंट व्होल्टेज

जा स्विचिंग पॉइंट व्होल्टेज = (पुरवठा व्होल्टेज+पीएमओएस थ्रेशोल्ड व्होल्टेज+NMOS थ्रेशोल्ड व्होल्टेज*sqrt(NMOS ट्रान्झिस्टर लाभ/पीएमओएस ट्रान्झिस्टर गेन))/(1+sqrt(NMOS ट्रान्झिस्टर लाभ/पीएमओएस ट्रान्झिस्टर गेन))

MOSFET मध्ये शरीराचा प्रभाव

जा सब्सट्रेटसह थ्रेशोल्ड व्होल्टेज = शून्य शरीर पूर्वाग्रह सह थ्रेशोल्ड व्होल्टेज+बॉडी इफेक्ट पॅरामीटर*(sqrt(2*बल्क फर्मी पोटेंशियल+शरीरावर व्होल्टेज लागू)-sqrt(2*बल्क फर्मी पोटेंशियल))

दाता डोपंट एकाग्रता

जा दाता डोपंट एकाग्रता = (संपृक्तता वर्तमान*ट्रान्झिस्टरची लांबी)/([Charge-e]*ट्रान्झिस्टरची रुंदी*इलेक्ट्रॉन गतिशीलता*डिप्लेशन लेयर कॅपेसिटन्स)

संपृक्तता प्रदेशात MOSFET चा प्रवाह प्रवाह

जा ड्रेन करंट = ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर/2*(गेट स्त्रोत व्होल्टेज-शून्य शरीर पूर्वाग्रह सह थ्रेशोल्ड व्होल्टेज)^2*(1+चॅनेल लांबी मॉड्युलेशन फॅक्टर*ड्रेन स्त्रोत व्होल्टेज)

स्वीकारणारा डोपेंट एकाग्रता

जा स्वीकारणारा डोपेंट एकाग्रता = 1/(2*pi*ट्रान्झिस्टरची लांबी*ट्रान्झिस्टरची रुंदी*[Charge-e]*भोक गतिशीलता*डिप्लेशन लेयर कॅपेसिटन्स)

जास्तीत जास्त डोपेंट एकाग्रता

जा जास्तीत जास्त डोपेंट एकाग्रता = संदर्भ एकाग्रता*exp(-घन विद्राव्यतेसाठी सक्रियता ऊर्जा/([BoltZ]*परिपूर्ण तापमान))

प्रसार वेळ

जा प्रसार वेळ = 0.7*पास ट्रान्झिस्टरची संख्या*((पास ट्रान्झिस्टरची संख्या+1)/2)*MOSFET मध्ये प्रतिकार*लोड कॅपेसिटन्स

मुक्त इलेक्ट्रॉन्समुळे प्रवाही घनता

जा इलेक्ट्रॉन्समुळे प्रवाही घनता = [Charge-e]*इलेक्ट्रॉन एकाग्रता*इलेक्ट्रॉन गतिशीलता*इलेक्ट्रिक फील्ड तीव्रता

छिद्रांमुळे प्रवाहाची घनता वाहते

जा छिद्रांमुळे प्रवाहाची घनता वाहते = [Charge-e]*भोक एकाग्रता*भोक गतिशीलता*इलेक्ट्रिक फील्ड तीव्रता

चॅनेल प्रतिकार

जा चॅनेल प्रतिकार = ट्रान्झिस्टरची लांबी/ट्रान्झिस्टरची रुंदी*1/(इलेक्ट्रॉन गतिशीलता*वाहक घनता)

MOSFET युनिटी-गेन वारंवारता

जा MOSFET मध्ये युनिटी गेन वारंवारता = MOSFET मध्ये ट्रान्सकंडक्टन्स/(गेट सोर्स कॅपेसिटन्स+गेट ड्रेन कॅपेसिटन्स)

गंभीर परिमाण

जा गंभीर परिमाण = प्रक्रिया अवलंबित स्थिरांक*फोटोलिथोग्राफी मध्ये तरंगलांबी/संख्यात्मक छिद्र

फोकसची खोली

जा फोकसची खोली = आनुपातिकता घटक*फोटोलिथोग्राफी मध्ये तरंगलांबी/(संख्यात्मक छिद्र^2)

प्रति वेफर मरणे

जा डाई प्रति वेफर = (pi*वेफर व्यास^2)/(4*प्रत्येक डाईचा आकार)

समतुल्य ऑक्साईड जाडी

जा समतुल्य ऑक्साईड जाडी = सामग्रीची जाडी*(3.9/साहित्याचा डायलेक्ट्रिक स्थिरांक)

MOSFET मध्ये शरीराचा प्रभाव सुत्र

होम

फुकट पीडीएफ

🔍 शोधा

श्रेण्या

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!