MOSFET च्या लिनियर रेझिस्टन्स मध्ये आचरण उपाय

चरण 0: पूर्व-गणन सारांश
फॉर्म्युला वापरले जाते
चॅनेलचे संचालन = 1/रेखीय प्रतिकार
G = 1/Rds
हे सूत्र 2 व्हेरिएबल्स वापरते
व्हेरिएबल्स वापरलेले
चॅनेलचे संचालन - (मध्ये मोजली सीमेन्स) - वाहिनीचे प्रवाहकत्व हे सामान्यत: चॅनेलमधून जाणारे विद्युत् प्रवाह आणि त्यावरील व्होल्टेजचे गुणोत्तर म्हणून परिभाषित केले जाते.
रेखीय प्रतिकार - (मध्ये मोजली ओहम) - रेखीय प्रतिकार, विरोध किंवा प्रतिकाराचे प्रमाण हे ओमच्या कायद्याने वर्णन केल्याप्रमाणे त्यामधून वाहणाऱ्या विद्युत् प्रवाहाच्या प्रमाणाशी थेट प्रमाणात असते.
चरण 1: इनपुट ला बेस युनिटमध्ये रूपांतरित करा
रेखीय प्रतिकार: 0.166 किलोहम --> 166 ओहम (रूपांतरण तपासा ​येथे)
चरण 2: फॉर्म्युलाचे मूल्यांकन करा
फॉर्म्युलामध्ये इनपुट व्हॅल्यूजची स्थापना करणे
G = 1/Rds --> 1/166
मूल्यांकन करत आहे ... ...
G = 0.00602409638554217
चरण 3: निकाल आउटपुटच्या युनिटमध्ये रूपांतरित करा
0.00602409638554217 सीमेन्स -->6.02409638554217 मिलिसीमेन्स (रूपांतरण तपासा ​येथे)
अंतिम उत्तर
6.02409638554217 6.024096 मिलिसीमेन्स <-- चॅनेलचे संचालन
(गणना 00.004 सेकंदात पूर्ण झाली)

जमा

Creator Image
ने निर्मित पायल प्रिया
बिरसा तंत्रज्ञान तंत्रज्ञान संस्था (बिट), सिंदरी
पायल प्रिया यांनी हे कॅल्क्युलेटर आणि 600+ अधिक कॅल्क्युलेटर तयार केले आहेत!
Verifier Image
द्वारे सत्यापित प्रल्हाद सिंग
जयपूर अभियांत्रिकी महाविद्यालय व संशोधन केंद्र (जेईसीआरसी), जयपूर
प्रल्हाद सिंग यानी हे कॅल्क्युलेटर आणि 10+ अधिक कॅल्क्युलेटर सत्यापित केले आहेत।

14 प्रतिकार कॅल्क्युलेटर

MOSFET रेखीय प्रतिकार दिलेले गुणोत्तर म्हणून
​ जा रेखीय प्रतिकार = चॅनेलची लांबी/(चॅनेलच्या पृष्ठभागावर इलेक्ट्रॉन्सची गतिशीलता*ऑक्साइड कॅपेसिटन्स*चॅनेल रुंदी*प्रभावी व्होल्टेज)
विभेदक अॅम्प्लीफायरचे आउटपुट प्रतिरोध
​ जा आउटपुट प्रतिकार = ((सामान्य मोड इनपुट सिग्नल*Transconductance)-एकूण वर्तमान)/(2*Transconductance*एकूण वर्तमान)
Mosfet च्या इनपुट प्रतिकार
​ जा इनपुट प्रतिकार = इनपुट व्होल्टेज/(जिल्हाधिकारी वर्तमान*लहान सिग्नल वर्तमान लाभ)
निचरा आणि स्रोत दरम्यान मर्यादित प्रतिकार
​ जा मर्यादित प्रतिकार = modulus(सकारात्मक डीसी व्होल्टेज)/ड्रेन करंट
इनपुट प्रतिरोध दिलेला ट्रान्सकंडक्टन्स
​ जा इनपुट प्रतिकार = लहान सिग्नल वर्तमान लाभ/Transconductance
इलेक्ट्रॉन मीन फ्री पाथ
​ जा इलेक्ट्रॉन मीन फ्री पाथ = 1/(आउटपुट प्रतिकार*ड्रेन करंट)
ड्रेन आउटपुट प्रतिकार
​ जा आउटपुट प्रतिकार = 1/(इलेक्ट्रॉन मीन फ्री पाथ*ड्रेन करंट)
चॅनेल लांबीचे मॉड्युलेशन दिलेले आउटपुट प्रतिरोध
​ जा आउटपुट प्रतिकार = 1/(चॅनेल लांबी मॉड्यूलेशन*ड्रेन करंट)
Mosfet च्या आउटपुट प्रतिकार
​ जा आउटपुट प्रतिकार = लवकर व्होल्टेज/जिल्हाधिकारी वर्तमान
आउटपुट रेझिस्टन्स दिलेला ट्रान्सकंडक्टन्स
​ जा आउटपुट प्रतिकार = 1/(वाहक गतिशीलता*Transconductance)
MOSFET मध्ये व्होल्टेज अवलंबित प्रतिकार
​ जा मर्यादित प्रतिकार = प्रभावी व्होल्टेज/ड्रेन करंट
लहान सिग्नल इनपुट प्रतिरोध
​ जा इनपुट प्रतिकार = इनपुट व्होल्टेज/बेस करंट
MOSFET च्या लिनियर रेझिस्टन्स मध्ये आचरण
​ जा चॅनेलचे संचालन = 1/रेखीय प्रतिकार
रेखीय प्रतिकार म्हणून MOSFET
​ जा रेखीय प्रतिकार = 1/चॅनेलचे संचालन

16 MOSFET वैशिष्ट्ये कॅल्क्युलेटर

गेट टू सोर्स व्होल्टेज वापरून MOSFET च्या चॅनेलचे आचरण
​ जा चॅनेलचे संचालन = चॅनेलच्या पृष्ठभागावर इलेक्ट्रॉन्सची गतिशीलता*ऑक्साइड कॅपेसिटन्स*चॅनेल रुंदी/चॅनेलची लांबी*(गेट-स्रोत व्होल्टेज-थ्रेशोल्ड व्होल्टेज)
MOSFET Transconductance दिलेला ऑक्साइड कॅपेसिटन्स
​ जा MOSFET मध्ये ट्रान्सकंडक्टन्स = sqrt(2*इलेक्ट्रॉन गतिशीलता*ऑक्साइड कॅपेसिटन्स*(ट्रान्झिस्टरची रुंदी/ट्रान्झिस्टरची लांबी)*ड्रेन करंट)
MOSFET च्या लोड रेझिस्टन्समुळे व्होल्टेज वाढणे
​ जा व्होल्टेज वाढणे = Transconductance*(1/(1/लोड प्रतिकार+1/आउटपुट प्रतिकार))/(1+Transconductance*स्रोत प्रतिकार)
MOSFET ची संक्रमण वारंवारता
​ जा संक्रमण वारंवारता = Transconductance/(2*pi*(स्त्रोत गेट कॅपेसिटन्स+गेट-ड्रेन कॅपेसिटन्स))
बायस पॉइंटवर कमाल व्होल्टेज वाढ
​ जा कमाल व्होल्टेज वाढ = 2*(पुरवठा व्होल्टेज-प्रभावी व्होल्टेज)/(प्रभावी व्होल्टेज)
लहान सिग्नल वापरून व्होल्टेज वाढवणे
​ जा व्होल्टेज वाढणे = Transconductance*1/(1/लोड प्रतिकार+1/मर्यादित प्रतिकार)
MOSFET च्या स्त्रोत चॅनेल रुंदीचे गेट
​ जा चॅनेल रुंदी = ओव्हरलॅप कॅपेसिटन्स/(ऑक्साइड कॅपेसिटन्स*ओव्हरलॅप लांबी)
ड्रेन व्होल्टेज दिलेला व्होल्टेज गेन
​ जा व्होल्टेज वाढणे = (ड्रेन करंट*लोड प्रतिकार*2)/प्रभावी व्होल्टेज
MOSFET चे संपृक्तता व्होल्टेज
​ जा ड्रेन आणि स्त्रोत संपृक्तता व्होल्टेज = गेट-स्रोत व्होल्टेज-थ्रेशोल्ड व्होल्टेज
Transconductance वर शरीर प्रभाव
​ जा बॉडी ट्रान्सकंडक्टन्स = थ्रेशोल्डमध्ये बेस व्होल्टेजमध्ये बदल*Transconductance
MOSFET चे बायस व्होल्टेज
​ जा एकूण तात्काळ बायस व्होल्टेज = डीसी बायस व्होल्टेज+डीसी व्होल्टेज
सर्व व्होल्टेज दिलेला कमाल व्होल्टेज वाढ
​ जा कमाल व्होल्टेज वाढ = (पुरवठा व्होल्टेज-0.3)/थर्मल व्होल्टेज
MOSFET चे ट्रेशोल्ड व्होल्टेज
​ जा थ्रेशोल्ड व्होल्टेज = गेट-स्रोत व्होल्टेज-प्रभावी व्होल्टेज
MOSFET मध्ये ट्रान्सकंडक्टन्स
​ जा Transconductance = (2*ड्रेन करंट)/ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज
लहान सिग्नल MOSFET मॉडेलमध्ये प्रवर्धन घटक
​ जा प्रवर्धन घटक = Transconductance*आउटपुट प्रतिकार
MOSFET च्या लिनियर रेझिस्टन्स मध्ये आचरण
​ जा चॅनेलचे संचालन = 1/रेखीय प्रतिकार

MOSFET च्या लिनियर रेझिस्टन्स मध्ये आचरण सुत्र

चॅनेलचे संचालन = 1/रेखीय प्रतिकार
G = 1/Rds

MOSFET एक सममितीय डिव्हाइस आहे?

मॉसफ़ेट एक सममित डिव्हाइस आहे, म्हणून उत्तर होय आहे. तथापि आपल्या सर्किट डिझाइनमध्ये आपण आपले शरीर टर्मिनलंपैकी एकाशी जोडले असल्यास, आपणास ते टर्मिनल स्त्रोत पाहिजे आहे.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!